這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢壘凹陷應(yīng)用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化允許獲得寬范圍的蝕刻速率~0.6至~11納米/周期，而相對于未蝕刻的表面，表面粗糙度沒有任何可觀察到的增加。
2021-12-13 16:07:58
2195 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44891 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58552 
13um應(yīng)變補償多量子阱SLD臺面制作工藝的研究臺面制作工藝對１?３μｍ應(yīng)變補償多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影響。根據(jù)外延結(jié)構(gòu)，分析比較了兩種臺面制作的方法，即選擇性濕法腐蝕法和ＩＣＰ 刻蝕
2009-10-06 09:52:24
3591A選擇性電壓表操作和維修手冊
2018-11-05 16:21:21
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
`華林科納濕法設(shè)備分類全自動設(shè)備：全自動RCA清洗機全自動硅片刻蝕機全自動片盒清洗機全自動石英管清洗機半自動設(shè)備：半自動RCA清洗機半自動硅片刻蝕機半自動石英管清洗機半自動有機清洗機`
2021-02-07 10:14:51
所謂選擇性發(fā)射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進行重摻雜，在電極之間位置進行輕摻雜。這樣的結(jié)構(gòu)可降低擴散層復(fù)合，由此可提高光線的短波
2018-09-26 09:44:54
選擇性打開前面板
2013-10-16 15:48:13
噴涂沉積在PCB上的焊劑位置精度為±0.5mm，才能保證焊劑始終覆蓋在被焊部位上面，噴涂焊劑量的公差由供應(yīng)商提供，技術(shù)說明書應(yīng)規(guī)定焊劑使用量，通常建議100%的安全公差范圍。 預(yù)熱工藝 在選擇性
2009-04-07 17:17:49
典型的選擇性焊接的工藝流程包括：助焊劑噴涂，PCB預(yù)熱、浸焊和拖焊。 助焊劑涂布工藝 在選擇性焊接中，助焊劑涂布工序起著重要的作用。焊接加熱與焊接結(jié)束時，助焊劑應(yīng)有足夠的活性防止橋接的產(chǎn)生并防止
2012-10-18 16:31:31
AOE刻蝕氧化硅可以，同時這個設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過去用的ICP，還沒有用過AOE刻蝕硅，請哪位大佬指點一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上非常緊密的空間上進
2013-09-13 10:25:12
的無鉛焊兼容，這些優(yōu)點都使得選擇焊接的應(yīng)用范圍越來越廣。選擇性焊接的工藝特點可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性焊 接
2017-10-31 13:40:44
焊接。使用者可根據(jù)具體的情況來安排選擇性焊接的工藝流程。 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上
2012-10-17 15:58:37
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
PCB選擇性焊接技術(shù)詳細 回顧近年來電子工業(yè)工藝發(fā)展歷程，可以注意到一個很明顯的趨勢就是回流焊技術(shù)。原則上傳統(tǒng)插裝件也可用
2012-10-18 16:26:06
PCB選擇性焊接技術(shù)詳細 回顧近年來電子工業(yè)工藝發(fā)展歷程，可以注意到一個很明顯的趨勢就是回流焊技術(shù)。原則上傳統(tǒng)插裝件也可用回流焊工藝，這就是通常所說的通孔回流焊接。其優(yōu)點是有可能在同一時間內(nèi)完成
2012-10-18 16:32:47
；另一種觀點認(rèn)為不需要預(yù)熱而直接進行焊接。使用者可根據(jù)具體的情況來安排選擇性焊接的工藝流 程。 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個小焊嘴焊錫波上完成
2018-09-14 11:28:22
的情況來安排選擇性焊接的工藝流程。 焊接工藝 選擇性焊接工藝有兩種不同工藝：拖焊工藝和浸焊工藝。 選擇性拖焊工藝是在單個小焊嘴焊錫波上完成的。拖焊工藝適用于在PCB上非常緊密的空間上進行焊接。例如
2018-09-10 16:50:02
我會冒泡排序，但是我做選擇性排序時，不知道如何將最外層for循環(huán)的每層最大值給傳遞下去，交換索引地址也出現(xiàn)了問題
2018-03-24 14:13:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
黃金。以上只是基于實驗的基礎(chǔ)，實驗設(shè)備也比較簡陋，如果再結(jié)合濕法清洗設(shè)備進行蝕刻工藝，效果會有明顯的提高，南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司生產(chǎn)的濕法清洗設(shè)備能在各方面滿足要求，使清洗達到事半功倍的效果。 如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
測試，并且在錯誤的情況下可能導(dǎo)致工藝失敗，因此，基于研究的重要性，不管從藥液還是設(shè)備都需選擇穩(wěn)定可靠的，而華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司在濕法刻蝕領(lǐng)域已有十幾年的經(jīng)驗，其生產(chǎn)的設(shè)備功能完善，并能針對客戶的需求給出一系列的解決辦法跟方案。 如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:39:22
在PCB上的焊劑位置精度為±0.5mm，才能保證焊劑始終覆蓋在被焊部位上面，噴涂焊劑量的公差由供應(yīng)商提供，技術(shù)說明書應(yīng)規(guī)定焊劑使用量，通常建議100%的安全公差范圍。預(yù)熱工藝在選擇性焊接工藝中的預(yù)熱
2018-06-28 21:28:53
暴露于OH-離子時，在刻蝕中硅表面會變粗糙。鋁膜濕法刻蝕對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應(yīng)。結(jié)果既可
2018-12-21 13:49:20
選擇性焊接的流程包括哪些？選擇性焊接工藝有哪幾種？
2021-04-25 10:00:18
我是南通華林科納半導(dǎo)體的，主要做半導(dǎo)體，太陽能，液晶LED，電子器件濕法工藝，各種清洗，濕制程設(shè)備。我們3月14日—16日去上海新國際博覽中心參加2017慕尼黑上海半導(dǎo)體展，有其他去的公司嗎，應(yīng)該
2017-03-04 11:50:42
選擇性焊接的工藝特點是什么典型的選擇性焊接的工藝流程包括哪幾個步驟
2021-04-25 08:59:39
蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
2016-09-06 13:53:08
北京華林嘉業(yè)科技有限公司(簡稱CGB)，公司致力于為以下行業(yè)提供蝕刻、清洗、顯影、去膜、制絨、減薄等高品質(zhì)設(shè)備：半導(dǎo)體LED：硅片清洗機；硅片腐蝕機；硅片清洗腐蝕設(shè)備；基片濕處理設(shè)備；硅片清洗刻蝕
2011-04-13 13:23:10
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負責(zé)
2015-04-02 17:21:04
怎么對labview的數(shù)據(jù)庫中的數(shù)據(jù)，按時間選擇性讀取啊
2016-01-25 13:03:07
怎么對兩個寄存器的數(shù)據(jù)進行有選擇性的合并，大致電路框圖怎么實現(xiàn)？
2018-01-30 17:51:36
招聘蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司職位月薪：面議工作地點：蘇州工作性質(zhì)：全職工作經(jīng)驗：1年以上最低學(xué)歷：大專招聘人數(shù)：5人 職位類別：銷售經(jīng)理職位描述要求：工作經(jīng)驗：1年以上崗位職責(zé)：1、負責(zé)
2015-07-28 11:38:16
就能對層上的特定部分進行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”。“干法”（等離子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
目前手上有個應(yīng)用程序，生成的數(shù)據(jù)可以復(fù)制到剪貼板中，在Excel中選擇“選擇性粘貼”-》“粘貼鏈接”功能后，excel中顯示的數(shù)據(jù)是前面那個軟件的實時數(shù)據(jù)。現(xiàn)在我想把這個功能在labview里實現(xiàn)，請大俠們指點。
2014-01-12 11:43:58
影響的問題，選擇焊接還能夠與將來的無鉛焊兼容，這些優(yōu)點都使得選擇焊接的應(yīng)用范圍越來越廣。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 選擇性焊接的工藝特點
2013-09-23 14:32:50
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負責(zé)
2015-04-02 17:23:36
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負責(zé)
2015-04-02 17:26:21
公司名稱：蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司公司地址：蘇州工業(yè)園區(qū)啟月街288號公司電話：0512-62872541蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備
2016-10-26 17:05:04
蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域濕制程設(shè)備的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導(dǎo)體、太陽能、FPD領(lǐng)域其它國外設(shè)備，負責(zé)
2015-04-02 17:22:46
選擇性控制系統(tǒng)屬于復(fù)雜控制系統(tǒng)之一，昌暉儀表與大家分享選擇性控制系統(tǒng)口訣、選擇性控制系統(tǒng)分類和選擇性控制系統(tǒng)應(yīng)用的相關(guān)專業(yè)技術(shù)知識。選擇性控制系統(tǒng)儀表工口訣 常用的控制系統(tǒng)通常只能在一定工況下工
2019-04-21 16:40:03
除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)。SVR蝕刻方法可以完全地去除犧牲材料而不損害機械結(jié)構(gòu)或?qū)е吗じ剑瑫r提供了高度的可選擇性、可重復(fù)性和均勻性。SVR保留有干燥的表面，沒有任何殘留物或水汽，這也省去
2013-11-04 11:51:00
的大小，最好的使用辦法是將一個齊納管與一個正向偏置的二極管串聯(lián)。齊納管電壓的選擇，是為使其具有正溫度系數(shù)，以抵消二極管的負溫度系數(shù)（-2.1 mV/C）。為什么齊納管有正溫度系數(shù)而二極管有負溫度系數(shù)，如果
2024-01-26 23:28:52
本文介紹了選擇性控制系統(tǒng)的工作原理和設(shè)計方法;選擇器是選擇性控制系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，本文給出了確定選擇器型式的一種方法— 靜態(tài)特性交叉法。本方法簡單、形象、直觀，并以
2010-01-12 17:19:59
33 釋放MEMS機械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880 選擇性焊接的工藝特點 可通過與波峰焊的比較來了解選擇性焊接的工藝特點。兩者間最明顯的差異在于波峰焊中PCB的下部完全浸入液態(tài)焊料中，而在選擇性
2010-09-20 01:07:22690 SLM選擇性激光融化
2016-12-25 22:12:070 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個剝離的例子。總的來說，有圖形刻蝕和無圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來實現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768523 清洗不當(dāng)造成的表面缺陷的形成機理，并通過合理的實驗設(shè)計和分析，給出了具體的解決方案。 熱磷酸濕法刻蝕已經(jīng)在半導(dǎo)體制造工藝中應(yīng)用了幾十年了。由于熱磷酸對氮化硅和氮氧化硅刻蝕具有良好的均勻性和較高的選擇比，一直到
2020-12-29 14:36:072510 
在集成電路的制造過程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來進行
2020-12-29 14:42:588547 
我們華林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實現(xiàn)有效的襯底減薄或去除至關(guān)重要，從而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:51564 
高，而各向同性蝕刻(如高頻)會在所有方向上進行。使用氫氧化鉀工藝是因為它在制造中的可重復(fù)性和均勻性，同時保持低生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常被添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。 使用氫氧化鉀蝕
2022-01-11 11:50:332152 
蝕刻的濕法蝕刻技術(shù)的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應(yīng)力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。通過分析的結(jié)果，提出了一種改進的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:401873 
摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實，在廣泛的蝕刻速率下獲得了
2022-01-26 14:46:48307 
北京時間2022年2月10日，泛林集團 （NASDAQ： LRCX） 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應(yīng)用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng)新的化學(xué)成分，以支持芯片制造商開發(fā)環(huán)柵 （GAA） 晶體管結(jié)構(gòu)。
2022-02-10 14:45:401102 
性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進一步推進應(yīng)得到理論計算的支持。 因此，在我們之前的研究中開發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機進行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計算模型。首先，通過水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個水運動，并進行評估
2022-03-02 13:58:36751 
通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團隊的合作，他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實現(xiàn)突破，這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設(shè)備。
2022-03-22 09:26:071836 
泛林集團推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 泛林集團深信創(chuàng)新不僅來自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細致和努力交付才能實現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)值得信賴的伙伴。 日前泛林集團
2022-03-22 14:35:592667 濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須滿足以下要求：掩模
2022-04-15 14:56:572049 
）、掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發(fā)光（PL）光譜進行表征，以允許對它們的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行檢查。XRD結(jié)果表明，當(dāng)薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時間時，ZnO的強度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解
2022-04-24 14:58:20930 
ZnO是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可摻雜為透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，用于無機和有機光伏器件，為了更好地理解ZnO薄膜的腐蝕過程，我們華林科納發(fā)現(xiàn)了一種原子力顯微鏡(AFM)重新排列腐蝕步驟的方法，使用這種
2022-05-09 13:28:32423 
本文介紹了我們華林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺射的ZnO薄膜在氫氧化銨(NH4OH)溶液中腐蝕，全面研究了刻蝕時間和添加H2O2溶液對多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的影響。
2022-05-09 15:19:34560 
我們華林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗，評價了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時間
2022-05-20 16:37:451683 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 本文描述了我們華林科納一種新的和簡單的方法，通過監(jiān)測腐蝕過程中薄膜的電阻來研究濕法腐蝕ITO薄膜的動力學(xué)，該方法能夠研究0.1至150納米/分鐘之間的蝕刻速率。通常可以區(qū)分三種不同的狀態(tài)：(1)緩慢
2022-07-01 14:39:132242 
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液
2022-07-06 16:00:211643 
本文介紹了我們華林科納在半導(dǎo)體制造過程中進行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因為干法蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321539 
（也稱為 HNA 腐蝕劑）；對硅的刻蝕速率和對掩模材料的刻蝕選擇性可通過各組分比例的不同來調(diào)節(jié)。目前，各向同性濕法刻蝕的實際應(yīng)用較少。
2022-10-08 09:16:323581 選擇性波峰焊的出現(xiàn)主要是為了替代傳統(tǒng)的手工焊接，主要用于PCB板其他元器件組裝完成后對個別插腳元器件進行焊接。選擇性波峰焊的優(yōu)點是它的適用性很強，可以點焊、線焊和雙面焊接，可以很好的焊接不同位
2022-10-18 15:52:093882 
濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:187251 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。
2022-11-29 16:05:151708 刻蝕是移除晶圓表面材料，達到IC設(shè)計要求的一種工藝過程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184085 前言 濕法制程工藝即制造過程中需要使用化學(xué)藥液的工藝，被廣泛使用于集成電路、平板顯示、太陽能光伏等領(lǐng)域的制造過程中。以集成電路領(lǐng)域為例，晶圓制造過程中，去膠、顯影、刻蝕、清洗都屬于濕法
2023-02-22 17:07:00371 
對于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點都取決于時間，而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法，所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難，一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031773 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271462 
刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時帶走表面顆粒。隨著器件尺寸縮減會引入很多新材料（如高介電常數(shù)和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關(guān)鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調(diào)整刻蝕對多晶硅和其他材料的選擇比。
2023-06-05 15:10:011598 光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353321 
5月18日-5月19日，由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會在江蘇南通市成功召開。會議共邀請42家企業(yè)參會，參會人員96人。本期交流會安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報告、流體展示及實操等多種形式的活動，交流高純流體在濕法領(lǐng)域的技術(shù)與應(yīng)用，并展示了超100種高純流體產(chǎn)品。
2023-06-09 17:30:34418 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181 
：使用特定的化學(xué)溶液進行化學(xué)反應(yīng)來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高
2022-07-12 15:49:251454 
國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進行一對一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
由華林科納舉辦的2023泛半導(dǎo)體濕法交流會第五期：化學(xué)流體系統(tǒng)技術(shù)與應(yīng)用交流會在江蘇南通市成功召開。會議共邀請42家企業(yè)參會，參會人員96人。本期交流會安排了學(xué)術(shù)技術(shù)交流報告、流體展示
2023-07-14 08:47:03357 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392859 很多半導(dǎo)體、光伏行業(yè)的制造企業(yè)在選擇化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道時，都喜歡選擇華林科納的高純PFA管，選擇華林科納生產(chǎn)的高純PFA管作為化學(xué)品酸堿輸送供應(yīng)管道有以下幾個重要原因： 1、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性
2023-09-13 17:29:48266 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003307 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17454 
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