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Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

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超細金屬顆粒在硅片表面的行為研究

的方法。使用氣體沉積方法將直徑為幾納米到幾百納米的超細金屬顆粒沉積在硅表面。研究了使用各種清潔溶液去除超細顆粒的效率。APM(NH4OH~H2O2-H2O)清洗可以去除150nm的Au顆粒,但不能去除直徑小于幾十納米的超細Au顆粒。此外,當執行 DHF-H2O2 清洗
2022-03-03 14:17:36376

半導體工藝—晶片清洗工藝評估

摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術:一種是傳統的濕法技術,其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中,然后干燥;另一種
2022-03-04 15:03:502588

檸檬酸清洗液對金屬去除效果的評價

我們華林科納研究了基于檸檬酸(CA)的清洗液來去除金屬污染物硅片表面。 采用旋涂法對硅片進行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等標準污染,并在各種添加Ca的清洗液中進行清洗。 金屬的濃度采用氣相分
2022-03-07 13:58:161071

用兆頻超聲波能量從有機溶劑中的硅片上去除顆粒的實驗

時間化學成分,對幾種清洗配方進行評估。當使用低兆聲波功率時,發現粒子在分離后聚集并重新沉積在晶片表面上。這種現象可以用特定溶劑中顆粒和硅表面的帶電現象來解釋。添加表面活性劑以防止聚集和再沉積,從而顯著提高顆粒去除效率。
2022-03-07 15:26:56541

DHF在氧化后CMP清洗工藝中的應用

晶圓-機械聚晶(CMP)過程中產生的漿體顆粒對硅晶片表面的污染對設備工藝中收率(Yield)的下降有著極大的影響。
2022-03-14 10:50:141077

兆聲清洗晶片過程中去除力的分析

的方向傳播。兆頻超聲波清洗領域的大部分工作都是針對尋找兆頻超聲波功率和磁場持續時間等條件來優化粒子去除。已知或相信在兆電子領域中有幾個過程是有效的,即微空化、聲流和壓力誘導的化學效應。兆聲波可以想象為以音速傳播到流體中的壓力變化。當聲波通過固體顆粒時,該波中的壓力梯度會對該顆粒施加作用力。
2022-03-15 11:28:22460

使用臭氧和HF清洗去除金屬雜質的研究

本研究在實際單位工藝中容易誤染,用傳統的濕式清潔方法去除Cu和Fe等金屬雜質,為了提高效率,只進行了HF濕式清洗,考察了對表面粗糙度的影響,為了知道上面提出的清洗的效果,測量了金屬雜質的去除
2022-03-24 17:10:271760

濕臺清洗顆粒去除的新概念

面損傷有負面影響。近年來,它已被修改為加入更稀的溶液,以減少由氫氧化銨引起的表面微觀粗糙度。在本文中,提出了一種新思路,即使用去離子水快速傾倒沖洗 (QDR) 模式從對話設置轉變為改進模式。使用 DIW 進行修改的修改配方可以在加工過程中完全去除顆粒。
2022-03-30 14:29:42311

如何成功地清除來自晶片表面的顆粒污染

為了成功地清除來自晶片表面的顆粒污染,有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒粘附和去除機理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒(0.1-0.5mm)沉積
2022-04-06 16:53:501046

濕法和顆粒去除工藝的簡要概述

過程的內在能力和局限性。已經確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程,甚至來自圖案晶片,具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制,最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過計算施加給細顆粒
2022-04-08 17:22:531231

濕法和顆粒去除工藝詳解

能力和局限性。已經確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程,甚至來自圖案晶片,具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制,最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520

PVA刷接觸式清洗過程中超細顆粒清洗現象

為了LSI的小型·高性能化, 為了實現高精度的基板表面粗糙度,在制造工序中推進了微細且多層布線化。 要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP(Chemical Mechanical
2022-04-15 10:53:51516

半導體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

CMP裝置被應用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的清洗技術極為重要。在本文中,關于半導體制造工序
2022-04-18 16:34:342912

PVA刷擦洗對CMP清洗過程的影響

介紹 聚乙烯醇刷洗是化學溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類,根據其接觸類型(非接觸,完全接觸)。全接觸擦洗被認為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而,許多研究人員指責
2022-04-27 16:56:281310

聚乙烯醇刷非接觸洗滌對CMP清洗的影響

全接觸洗滌被認為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動力阻力,在晶片上安裝了壓電傳感器(圓片型)。為了研究磨料顆粒Cu和PETEOS(等離子體增強
2022-05-06 15:24:47298

采用臨界粒子雷諾數方法去除晶圓表面的粘附顆粒

化學機械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導體器件制造的一個關鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發生刷-粒子接觸??紤]了直徑
2022-05-07 15:48:381575

硅晶片的清洗技術

本文闡述了金屬雜質和顆粒雜質在硅片表面的粘附機理,并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274

稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除效率

本文介紹了我們華林科納在稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除,在SC1清洗過程中,兩種化學成分之間存在協同和補償作用,H2O2氧化硅并形成化學氧化物,這種氧化物的形成受到氧化性物質擴散的限制
2022-05-18 17:12:59575

使用全濕法去除Cu BEOL中的光刻膠和BARC

上蝕刻后光刻膠和BARC層的去除,掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線光電子能譜(XPS)用于評估清洗效率,使用平面電容器結構確定暴露于等離子體和濕化學對低k膜的介電常數的影響。 對圖案化結構的橫截面SEM檢查表明,在幾種實驗條件和化學條件下可以實現蝕刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241115

濕法清洗去除硅片表面的顆粒

用半導體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683

RCA清洗中晶片表面的顆粒粘附和去除

溶液中顆粒和晶片表面之間發生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來,與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機制相關的研究蓬勃發展,并為闡明顆粒粘附機制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491

不同添加劑(FEC、VC、CEC)電解液對電池性能影響!

本文作者對扣式鋰離子電池進行充放電性能測試,通過分析不同EC基電解液添加劑比例下電池的放電比容量、首次庫侖效率、循環穩定性等,探究EC基電解液添加劑對Si-C負極體系性能的影響。
2023-03-29 10:55:589338

什么是晶圓清洗

晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學雜質和顆粒雜質。晶圓表面必須保持不受影響,這樣粗糙、腐蝕或點蝕會抵消晶圓清潔過程的結果
2023-05-11 22:03:03785

食品添加劑檢測儀器的技術參數及應用領域

養、鈣質、維生素、微量元素,都無法利用吸收。添加劑中的顆粒物質難以消化,如果應用過多,容易影響到胃腸功能的情況,導致出現有腹瀉嘔吐等情況的發生。也會有害于骨骼的情況
2021-03-09 17:57:15338

cmp是什么意思 cmp工藝原理

段來分可以分為前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工藝主要為 STI-CMP 和 Poly-CMP,后段制程工藝主要為介質層 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金屬層 W-CMP、Cu-CMP 等。
2023-07-18 11:48:183035

電路板臟了?如何清洗?

電路板沾污物的危害:顆粒性污染物——電短路。極性沾污物—介質擊穿、漏電、元件/電路腐蝕。非極性沾污—影響外觀、白色粉點、粘附灰塵、電接觸不良。線路板的清洗方式: 普通清洗主要使用單個清洗槽,需要清洗的PCB放在清洗劑液體里浸泡清洗
2023-08-17 15:29:371354

在濕臺工藝中使用RCA清洗技術

半導體制造業依賴復雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗,這個是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過程,否則可能會損害產品質量或可靠性。RCA清洗技術能有效去除硅晶圓表面的有機和無機污染物,是一項標準的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14236

Microvision/維視智造+機器視覺系統解決方案+食品干燥包裝袋封口檢測

一般涉及到空包、連包、夾料等包裝問題,主要在干燥、脫氧、食品添加劑等袋裝產品的生產包裝過程。其中食品干燥在人們的生活應用最為廣泛,一般附帶于食品起到食品保鮮的作用;是不能食用的產品包附帶
2021-01-25 10:40:51

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