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電子發燒友網>制造/封裝>二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學及HF輔助刻蝕的觀察

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學及HF輔助刻蝕的觀察

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二氧化硅層在芯片中有何作用

二氧化硅它是屬于光纖的主要制作材料
2021-12-21 15:30:059547

用磷酸揭示氮化硅二氧化硅的選擇性蝕刻機理

電流的極端規模集成。在這個過程中,固相氮化硅(Si3N4)層在部分二氧化硅(SiO2)沉積中起到掩模的作用。通過這種沉積,形成了由數百個交替堆疊的Si3N4和二氧化硅原子層組成的垂直堆疊結構.Si3N4掩模必須在程序結束時去除,通常通過熱化學
2021-12-28 16:38:085460

化硅二氧化硅之間穩定性的刻蝕選擇性

磷酸(H3PO4) -水(H2O)混合物在高溫下已被使用多年來蝕刻對二氧化硅(二氧化硅)層有選擇性的氮化硅(Si3N4)。生產需要完全去除Si3N4,同時保持二氧化硅損失最小。批量晶片清洗的挑戰是如何保持Si3N4對二氧化硅的高蝕刻選擇性,以獲得更長的槽壽命。
2022-02-15 11:25:592557

單片濕法刻蝕—《華林科納-半導體工藝》

性,單片濕法刻蝕法是一種有用的技術。其進一步推進應得到理論計算的支持。 因此,在我們之前的研究中開發了使用單晶片濕法蝕刻機進行二氧化硅膜蝕刻的數值計算模型。首先,通過水流可視化獲得旋轉晶片上的整個水運動,并進行評估
2022-03-02 13:58:36751

二氧化硅蝕刻標準操作程序研究報告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風險,建議用戶使用在執行工藝之前,請仔細閱讀材料安全數據表。
2022-03-10 16:43:35798

用濕化學工藝制備的超薄氧化硅結構

近十年來,濕化學法制備超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅結構的技術和研究取得了迅速發展。這種結構最重要是與大尺寸硅晶片上氧化物層的均勻生長有關。
2022-03-11 13:57:22828

通過濕法化學刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

)、掃描電子顯微鏡(SEM)和光致發光(PL)光譜進行表征,以允許對它們的結構和光學性質進行檢查。XRD結果表明,當薄膜在不同的氫氮濃度下刻蝕不同的時間時,ZnO的強度降低。上述觀察歸因于氧化鋅的溶解
2022-04-24 14:58:20930

硅化物膜的濺射刻蝕速率研究

我們測量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的濺射刻蝕速率,并研究了離子能量的依賴性,發現它們與二氧化硅薄膜的相對濺射刻蝕速率幾乎與濺射離子能量無關,從相對濺射蝕刻速率和計算
2022-05-07 15:41:461126

在超臨界二氧化碳中蝕刻氧化硅薄膜

介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨立式結構,例如微機電系統(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統的含水HF已經廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層,因為它成本低廉。然而,當具有高縱橫比的結構在含水
2022-05-23 17:01:43948

氧化物涂層晶圓概述

當應用于硅(Si)、玻璃和其他材料時,二氧化硅(SiO2)涂層提供介電層或鈍化層,用于半導體、MEMS、生物醫學、儲能設備和其他應用的晶片類型。
2022-07-26 14:56:261236

紫外照射裝置的透視窗采用什么玻璃

堿金屬、堿土金屬氧化物的不同含量,又分為: 1、石英玻璃 石英玻璃二氧化硅含量大于99.5%,其熱膨脹系數低、耐高溫、化學穩定性好、透紫外光和紅外光、熔制溫度高、粘度大、成型較難。石英玻璃多用于半導體、電光源、光導通
2022-08-01 10:01:311670

常見的各向同性濕法刻蝕的實際應用

濕法刻蝕也稱腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術。其中,各向同性 (Isotropic)濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸(HF)、硝酸( HNO3)和乙酸(CH3COOH)組成的混合物
2022-10-08 09:16:323581

嵌入式源漏選擇性外延(Embedded Source and Drain Selective Epitaxy)

源漏選擇性外延一般采用氮化硅二氧化硅作為硬掩模遮蔽層,利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長,僅在曝露出硅的源漏極區域實現外延生長。
2022-11-29 16:05:151708

濕法刻蝕工藝的流程包括哪些?

濕法刻蝕利用化學溶液溶解晶圓表面的材料,達到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學反應的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:184085

化學刻蝕、純物理刻蝕及反應式離子刻蝕介紹

刻蝕有三種:純化學刻蝕、純物理刻蝕,以及介于兩者之間的反應式離子刻蝕(ReactiveIonEtch,RIE)。
2023-02-20 09:45:072586

劃片機:晶圓加工第二篇—關于晶圓氧化過程,這些變量會影響它的厚度

有機物、金屬等雜質及蒸發殘留的水分。清潔完成后就可以將晶圓置于800至1200攝氏度的高溫環境下,通過氧氣或蒸氣在晶圓表面的流動形成二氧化硅(即“氧化物”)層。氧氣
2022-07-10 10:27:31965

劃片機:晶圓加工第四篇—刻蝕的兩種方法

:使用特定的化學溶液進行化學反應來去除氧化膜的濕法刻蝕,以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產率高
2022-07-12 15:49:251454

刻蝕分為哪兩種方式 刻蝕的目的和原理

刻蝕(Etching)的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程,通過移除材料表面的原子或分子,使材料發生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383915

半導體材料是什么 半導體材料是硅還是二氧化硅

硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、鍺(Ge)等。其中,硅是最為常見和廣泛應用的半導體材料之一。 硅是地殼中非常豐富的元素之一,它具有較高的化學穩定性、熱穩定性和機械性能,因此硅材料具有廣泛的應用前景。硅晶體的晶體結構為鉆
2024-02-04 09:46:07458

二氧化碳傳感器的分類及其原理

碳傳感器的分類及其工作原理。 二氧化碳傳感器可以根據其傳感原理的不同分為以下幾類: 1. 電化學傳感器: 電化學傳感器是利用電化學反應來檢測環境中二氧化碳濃度的傳感器。最常見的電化學傳感器是基于氧化還原反應的傳感器。
2024-03-06 14:58:46227

刻蝕機是干什么用的 刻蝕機和光刻機的區別

刻蝕機的刻蝕過程和傳統的雕刻類似,先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜,再將掩膜與待加工物料模組裝好,將樣品置于刻蝕室內,通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區域刻蝕掉,以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24471

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