本文討論了傳統MLCC技術的最新技術，并將該技術與潛在的MLCC薄膜制造技術進行了比較,討論了MLCC制造、相關限制、潛在制造技術和設計理念方面的薄膜技術的實用性。同時還考慮了電子行業的總體趨勢的影響、MLCC形狀因子的預期演變以及薄膜技術作為一種潛在可行的未來MLCC制造方法的一般器件要求。

由于傳統MLCC工藝的基本限制，結合薄層薄粒鈦酸鋇鐵電介質，MLCC技術可能會開始滯后于“MLCC曲線”，薄膜技術長期以來一直被認為是MLCC的下一個技術，然而，薄膜技術在制造高層計數器件方面有基本的局限性。此外，薄膜高K介質與厚薄膜基高K介質相同的K還原相同，因此，需要考慮新的電容器結構來最大化最大的體積電容的VE，使高VE能夠實現，而不受多層薄膜工藝的相關成本和限制。這些結構很可能包括浸漬一個復雜的多孔結構。此外，很可能會使用混合浸漬和陽極化過程來實現。

圖1顯示了自ca以來0603MLCC的電容和VE的增加,這種增加很好地符合一個關系，表明對于0603外殼尺寸，最大可用電容和VE隨著時間的推移以超過摩爾定律的速度增加，大約每13到14個月增加一倍(摩爾定律為大約18個月)。為了實現這一令人印象深刻的速度，MLCC的所有設計參數都隨著時間的推移而變化。

圖2表明，對MLCC VE和電容增加速率的最大貢獻是減少介電厚度和增加有效計數的組合,隨著介電介質厚度在~0.8μm以下明顯下降，這一趨勢是否會繼續下去還值得懷疑,造成這種懷疑的普遍原因是，所使用的介電介質需要在每個介電層的厚度上有幾個晶粒，以便使這些基于batio3的2類介質適當可靠,雖然每層晶粒數量也隨著時間的推移而減少，但除非引入介電材料的突破技術，每層介電晶粒數量可能不會低于~4。考慮到這一點，預計的介電晶粒尺寸將需要顯著減少，以實現如圖5所示的預計的介電厚度目標。

此外，這些計算和預測是通過假設K沒有，也不會隨著時間（或介電厚度）發生明顯的變化而進行的，可以開發替代材料，如弛豫介質，盡管它們通常含鉛，并且大多數主要的MLCC制造商由于各種法律和環境監管原因而避免。從以上討論可以明顯看出，傳統的MLCC材料和制造技術將很難跟上“MLCC曲線”的步伐。介電厚度小于0.2μm的MLCC，結合1800多個活性層，產率高，可靠性好，成本有競爭力，采用傳統材料和MLCC制造技術制造，難以理解，如果傳統的MLCC材料和制造技術開始滯后于“MLCC曲線”，那么顛覆性技術的機會就會出現，多層薄膜技術長期以來一直被認為是MLCC的下一個技術，取代傳統的MLCC技術來制造高VE，然而，這種預期還有待實現，薄膜工藝對多層結構有相關的基本限制。因此，有必要開發一種與傳統方法一樣利用可移動襯底的制造工藝。