日前，科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司司長趙玉海在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立大會上強(qiáng)調(diào)，應(yīng)加強(qiáng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略研究，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。欲知更多科技資訊，請關(guān)注每天的電子芯聞早報。
2015-09-15 10:38:28
1277 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591048 工信部副部長辛國斌在此間表示，當(dāng)前，全球汽車產(chǎn)業(yè)正加速向智能化、電動化的方向轉(zhuǎn)變，為搶占新一輪制高點(diǎn)，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢和機(jī)遇，我國已啟動傳統(tǒng)能源車停產(chǎn)停售時間表研究。
2017-09-11 07:07:001042 LoRa與NB-IoT是最有發(fā)展前景的兩個低功耗廣域網(wǎng)通信技術(shù)。不過兩者之間到底有什么區(qū)別和不同？誰又將更勝一籌占領(lǐng)LPWAN制高點(diǎn)？
2016-10-24 09:25:463557 未來的AI制高點(diǎn)到底是什么？德迅投資董事總經(jīng)理謝彤認(rèn)為，還是要靠傳感器、信號處理芯片等這樣的硬科技。
2019-11-18 09:27:205081 、封裝測試、半導(dǎo)體專用設(shè)備、半導(dǎo)體專用材料、半導(dǎo)體分立器件的海內(nèi)外廠商，企事業(yè)單位搭建了一個展示最新成果，打造產(chǎn)品品牌的平臺。而且聚焦產(chǎn)業(yè)政策解讀，涵蓋“體制創(chuàng)新、模式創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新”等內(nèi)容的高峰論壇
2017-09-15 09:29:38
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，其禁帶寬度達(dá)到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
一文解讀HEVC視頻標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)內(nèi)濾波，看完你就懂了
2021-06-03 06:08:38
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計(jì)算中的瓶頸。此外當(dāng)PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時，一般的階梯近似不足以滿足計(jì)算精度。針對以上兩個問題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導(dǎo)帶寬度對S參數(shù)的影響，最后設(shè)計(jì)了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2019-06-27 07:01:22
我廠專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體加熱材料，半導(dǎo)體烘干設(shè)備，這種新型的半導(dǎo)體材料能節(jié)約能源，讓熱能循環(huán)再利用。如有需要請聯(lián)系我們。網(wǎng)址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521
2013-04-01 13:13:15
半導(dǎo)體材料
2012-04-18 16:45:16
半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
敏感，據(jù)此可以制造各種敏感元件，用于信息轉(zhuǎn)換。 半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)有禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率、非平衡載流子壽命和位錯密度。禁帶寬度由半導(dǎo)體的電子態(tài)、原子組態(tài)決定，反映組成這種材料的原子中價
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運(yùn)動時，便會釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
摘要：半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生受激發(fā)射作用的器件。其工作原理是，通過一定的激勵方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價帶）之問，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級之間，實(shí)現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當(dāng)處于粒、子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時，便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。
2021-01-12 10:20:39
隔著一條禁帶，當(dāng)電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導(dǎo)帶中去時就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導(dǎo)帶跳回價帶，又可以把電的能量變成光，這時材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長。 小功率半導(dǎo)體
2016-01-14 15:34:44
電阻率是決定半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的重要參數(shù)，為了表征工藝質(zhì)量以及材料的摻雜情況，需要測試材料的電阻率。半導(dǎo)體材料電阻率測試方法有很多種，其中四探針法具有設(shè)備簡單、操作方便、測量精度高以及對樣品形狀
2021-01-13 07:20:44
下降。當(dāng)半導(dǎo)體的溫度升到某一點(diǎn)時，其電導(dǎo)率與金屬導(dǎo)體的相近。同時有兩種載流子參加導(dǎo)電。兩種載流子是指帶負(fù)電荷的電子與帶正電荷的空穴。在大多數(shù)的情況下，同一種半導(dǎo)體材料因摻雜劑的不同，既可以形成以電子為主
2018-03-29 09:04:21
進(jìn)口日本半導(dǎo)體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
方向，承載了世界人民夢想。同時，物聯(lián)網(wǎng)也被視作全球經(jīng)濟(jì)增長新引擎，在全球則能帶來10萬億美元的經(jīng)濟(jì)價值，各國紛紛制訂相關(guān)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展戰(zhàn)略，以此搶占這一輪信息科技發(fā)展制高點(diǎn)。物聯(lián)網(wǎng)概念對于...
2021-07-28 06:07:30
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
STM32系列打造意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略產(chǎn)品
2012-07-31 21:36:53
之間移動的電子稱為帶隙能量。絕緣體、導(dǎo)體和半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能可以從它們帶隙的不同來理解。圖 1 和圖 2 說明了摻雜劑如何影響半導(dǎo)體的電阻率/電導(dǎo)率。在圖 1 中，摻雜劑產(chǎn)生了一個空穴，因?yàn)樗鄙倥c四價
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來源：來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
。 （5）本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價帶是滿帶，遭到熱激起后，價帶中的局部電子會越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價帶中短少一個
2020-03-26 15:40:25
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
2021-06-08 07:09:36
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
本文基于Agilent ADS仿真軟件設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一款高效GaN寬禁帶功率放大器，詳細(xì)說明設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試，結(jié)果表明放大器可以在2．3～2．4 GHz內(nèi)實(shí)現(xiàn)功率15W以上，附加效率超過67％的輸出。
2021-04-06 06:56:41
請問有人知道怎么建立基于其他材料的器件仿真模型庫，不是硅材料的，比如說，GaN,SiC等寬禁帶材料的，謝謝啦，比如SiC的功率mos，我有功率mos的數(shù)值仿真數(shù)據(jù)，但是不知道怎樣在pspice中使用，呵呵，求達(dá)人告知
2009-12-02 11:35:39
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
傳感器與計(jì)算機(jī)、通信被稱為信息系統(tǒng)的三大支柱，傳感器技術(shù)的優(yōu)劣成為衡量一個國家科技水平和是否處在國際戰(zhàn)略競爭制高點(diǎn)的重要標(biāo)志，是發(fā)達(dá)國家高度重視的核心基礎(chǔ)技術(shù)。傳感器產(chǎn)業(yè)已被國內(nèi)外公認(rèn)為是具有
2019-01-21 09:26:55
安森美半導(dǎo)體被德國汽車制造商奧迪挑選加入推進(jìn)半導(dǎo)體計(jì)劃（PSCP），這一合作將推動即將到來的自動和電動汽車的電子創(chuàng)新和質(zhì)量。這一跨領(lǐng)域的半導(dǎo)體戰(zhàn)略旨在推動創(chuàng)新及品質(zhì)，并在早期為奧迪車型提供最新的技術(shù)
2018-10-11 14:33:43
`我司專業(yè)生產(chǎn)制造半導(dǎo)體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯(lián)系方式：24632085`
2016-09-27 15:02:08
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中
2016-11-27 22:34:51
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
鋰電池產(chǎn)業(yè)全球已成三足鼎立,仍需搶占動力電池制高點(diǎn)
2009年11月4日16:14:10
鋰離子電池是目前理想的新一代綠色能源，具有儲能
2009-11-04 16:14:21418 半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料是什么意思
半導(dǎo)體材料（semiconductor material）
導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半
2010-03-04 10:28:035544 低維半導(dǎo)體材料, 低維半導(dǎo)體材料是什么意思
實(shí)際上這里說的低維半導(dǎo)體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，主要是不想
2010-03-04 10:31:425083 什么是半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料（semiconductormaterial）是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可
2010-03-04 10:36:173395 3D戰(zhàn)火延燒臺灣 電視大廠正面交鋒搶占制高點(diǎn)
超乎預(yù)期地，3D電視在全球市場的反應(yīng)回響十分熱烈，3D電視大廠之間的競爭態(tài)勢也
2010-03-30 10:40:31471 我國提交傳感器服務(wù)規(guī)范 政府推動物聯(lián)網(wǎng)搶占行業(yè)制高點(diǎn)
傳感網(wǎng)國家標(biāo)準(zhǔn)工作組副秘書長邢濤3月29日表示，由我國提交給ISO/IEC JTC1(ISO/IEC 信息
2010-04-02 10:47:34542 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 日前國務(wù)院印發(fā)《十三五國家信息化規(guī)劃》，要求加快推進(jìn)5G技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化。中興通訊憑借30年來的信息技術(shù)積累和持續(xù)的高強(qiáng)度研發(fā)投資，已成為全球極少數(shù)掌握5G核心技術(shù)的企業(yè)之一。 瞄準(zhǔn)戰(zhàn)略制高點(diǎn) 中興
2017-01-11 11:42:12979 搶占第三代半導(dǎo)體材料戰(zhàn)略制高點(diǎn)，緊密配合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略，布局一體化產(chǎn)業(yè)生態(tài)，由科技部、財(cái)政部、教育部三部委聯(lián)合指導(dǎo)的第六屆創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽之第二屆國際第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽（以下簡稱“大賽”）即將于11月在北京舉辦總決賽。
2017-10-09 14:32:05630 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:521538 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵GaAs 砷化鎵GaAs 砷化鎵的電子
2017-12-07 14:37:191755 “2018中國半導(dǎo)體材料及設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會”在京召開。本次大會由中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院主辦、邳州市政府協(xié)辦，旨在通過梳理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向、推介半導(dǎo)體材料及設(shè)備產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新理念，共同促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境的構(gòu)建，推動我國集成電路產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。
2018-02-06 03:56:521434 推動互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能和實(shí)體經(jīng)濟(jì)深度融合，做大做強(qiáng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)。在近日召開的福建兩會上，2018年福建省政府工作報告將物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展納入數(shù)字福建的戰(zhàn)略版圖，為萬物互聯(lián)、人機(jī)交互、天地一體
2018-02-24 13:55:382429 在今日舉行的“2018全球下一代 互聯(lián)網(wǎng) 峰會”上，國家 信息化專家咨詢委員會常務(wù)副主任周宏仁在演講時表示，全球物聯(lián)網(wǎng)將成為下一代互聯(lián)網(wǎng)，應(yīng)未雨綢繆，搶占這個制高點(diǎn)，爭奪國際話語權(quán)。
2018-05-29 15:35:00961 隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等一批信息技術(shù)發(fā)展以及人工智能的發(fā)展，加速了制造業(yè)向智能化轉(zhuǎn)型。作為未來制造業(yè)的主攻方向，智能制造是搶占國際制造業(yè)科技競爭的制高點(diǎn)。而工業(yè)機(jī)器人是智能制造業(yè)最具代表性的裝備，市場發(fā)展空間十分巨大。
2018-04-12 08:33:001218 深度學(xué)習(xí)框架是新一輪人工智能跨越發(fā)展的核心引擎，也是全球科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前沿陣地。近年來，各國競相布局深度學(xué)習(xí)框架，力爭搶占該領(lǐng)域的制高點(diǎn)。現(xiàn)階段，我國人工智能發(fā)展存在深度學(xué)習(xí)框架面臨國際戰(zhàn)略
2018-08-16 17:41:341255 我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入高速發(fā)展階段。從戰(zhàn)略上講，重視第三代半導(dǎo)體材料是整個國家的需要，也是我國發(fā)展的新機(jī)會。第三代半導(dǎo)體材料作為新材料產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點(diǎn)。
2018-11-02 08:58:001929 未來的世界是一個萬物互聯(lián)的世界，而萬物互聯(lián)最廣泛的應(yīng)用場景便是智能家居。如今，這個萬億級的市場吸引了全球科技巨頭的深度參與，包括Google、亞馬遜、海爾、華為、BAT等都在積極搶占技術(shù)和市場的制高點(diǎn)。
2018-10-12 10:29:55897 文章簡要回顧了半導(dǎo)體的研究歷史，介紹了半導(dǎo)體材料與相關(guān)應(yīng)用，闡述了半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件的工作原理，并展示了半導(dǎo)體自旋電子學(xué)及低維窄禁帶半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的研究現(xiàn)狀與發(fā)展前景。
2018-11-29 17:04:1711894 7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 9月4日，第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在北京召開，作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟會員單位，湖南天玥科技有限公司（長沙新一代半導(dǎo)體研究院）參加會議。 公司副總裁袁堅(jiān)出席會議。 本次會議
2020-09-26 10:55:022339 鎵等材料為代表是4G時代的主力，第三代半導(dǎo)體則是以氮化鉀，碳化硅，氧化鋅，氧化鋁，金剛石為代表，更合適在高頻，高功率及高溫環(huán)境下工作，這是各國在集成電路領(lǐng)域中競相追逐的戰(zhàn)略制高點(diǎn)，將對產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生重大的影響。
2020-10-26 14:23:442459 ，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速
2020-10-30 02:09:47560 ，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2020-12-30 04:49:0036 今（26）日，2020（第十二屆）傳感器與MEMS產(chǎn)業(yè)化技術(shù)國際研討會（暨成果展）于廈門海滄正式召開。廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司董事總經(jīng)理王匯聯(lián)發(fā)表《“詩和遠(yuǎn)方”——探尋中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑》的主題演講。
2020-11-26 10:52:262068 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979 
新型存儲技術(shù)不斷出現(xiàn)，這次ULTRARAM占據(jù)了制高點(diǎn)。
2023-08-22 16:19:37921 
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