引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:131396 
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻
2022-01-27 14:07:432203 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:57918 
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其上沉積有材料的抗蝕劑掩模。
2022-07-12 14:20:541755 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導(dǎo)體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
本內(nèi)容詳解了晶圓制造工藝流程，包括表面清洗，初次氧化，熱處理，光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)等
2011-11-24 09:32:106259 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模增長帶動了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 有人知道 為什么光刻完事 剝離那么容易脫落呢 怎么避免呢
2012-06-26 12:40:30
:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)?！」庵驴刮g劑 簡稱光刻膠或抗蝕劑，指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑：受光照部分發(fā)生降解反應(yīng)而能為顯影液所溶解。留下的非
2012-01-12 10:51:59
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上。 當(dāng)然
2020-07-07 14:22:55
SU 8光刻膠加工模具澆鑄PDMS芯片示意圖SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要對基材進行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡，隨后
2018-07-12 11:57:08
在集成電路制造中的應(yīng)用，對其反應(yīng)機理及應(yīng)用性能指標(biāo)進行闡述，重點從工藝的角度去提出新的研究方向。關(guān)鍵詞：光刻膠；應(yīng)用性能；反應(yīng)機理；集成電路；光刻 中圖分類號：TN305.7 文獻標(biāo)識碼： A
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
過程中，θ相Ａｌ２Ｃｕ 在Ａｌ 晶界聚集成大顆粒，并且在隨后的有機溶液濕法清洗過程中原電池反應(yīng)導(dǎo)致Ａｌ 被腐蝕而在互連導(dǎo)線側(cè)壁生成孔洞。通過對光刻膠去除工藝溫度以及濕法清洗工藝中有機溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
高壓氣）l主要原物料、輔料擴散片、顯影液、定影液、剝離液、二甲苯、結(jié)合粉、結(jié)合劑、光刻膠、鹽酸、硝酸、發(fā)煙硝酸、冰醋酸、鎳組、（鍍金水）、IPA、丙酮、玻璃粉 歡迎討論交流，QQ：490815421
2011-05-13 22:01:41
`浮膠是顯影或腐蝕過程中常出現(xiàn)的一種不良現(xiàn)像，也是影響較為嚴(yán)重的一種光刻弊病。顯影時產(chǎn)生的浮膠 在顯影時，玻璃表面的膠膜皺起呈桔皮狀或膠膜大片剝離。產(chǎn)生這一現(xiàn)像，說明膠膜與玻璃表面ITO層粘附不好
2018-11-22 16:04:49
版完全一致的ITO圖形。J. 清洗干燥：用高純水沖洗余下的堿液和殘留的光刻膠以及其它的雜質(zhì)。2、特殊制程：（TOP膜的涂布到固化后清洗）一般的TN與STN產(chǎn)品不要求此步驟，TOP膜的涂布工藝是在光刻工藝
2019-07-16 17:46:15
、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
內(nèi)，清洗液必須與元器件、PCB表面、金屬鍍層、鋁鍍層、標(biāo)簽、字跡等材料兼容，特殊部件需考慮能否經(jīng)受清洗?！ ?b class="flag-6" style="color: red">清洗工藝流程為：入板→化學(xué)預(yù)洗→化學(xué)清洗→化學(xué)隔離→預(yù)漂洗→漂洗→噴淋→風(fēng)切干燥→烘干 2
2021-02-05 15:27:50
lithography是一種平板印刷技術(shù)，在平面光波回路的制作中一直發(fā)揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
)、HF 等，已廣泛應(yīng)用于濕法清洗工藝，以去除硅片表面上的光刻膠、顆粒、輕質(zhì)有機物、金屬污染物和天然氧化物。然而，隨著硅電路和器件架構(gòu)的規(guī)模不斷縮小（例如從 VLSI 到 ULSI 技術(shù)），探索有效和可靠
2021-07-06 09:36:27
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉(zhuǎn)移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學(xué)氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構(gòu)建
2021-07-08 13:13:06
的圖案。在"刻蝕"過程中，晶圓被烘烤和顯影，一些光刻膠被洗掉，從而顯示出一個開放通道的3D圖案?？涛g工藝必須在不影響芯片結(jié)構(gòu)的整體完整性和穩(wěn)定性的情況下，精準(zhǔn)且一致地形成導(dǎo)電特征
2022-04-08 15:12:41
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對準(zhǔn)時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
噴膠機是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪Σ煌叽绾托螤畹幕M行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進行均勻涂膠；通過計算機系統(tǒng)控制器進行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數(shù)在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
一．工藝流程簡述： 前段工位： ITO 玻璃的投入（grading）—— 玻璃清洗與干燥（CLEANING）——涂光刻膠（PR COAT）——前烘烤（PREBREAK）——曝光（DEVELOP
2016-06-30 09:03:48
地噴在光刻膠上，或?qū)⑵毓夂蟮臉悠陲@影液中幾十秒鐘，則正型光刻膠的曝光部分(或負(fù)膠的未曝光部分)被溶解。顯影后的圖形精度受顯影液的濃度，溫度以及顯影的時間等影響。顯影后用純水清洗。 (5)后烘
2019-08-16 11:11:34
是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。刻蝕環(huán)節(jié)是復(fù)制
2020-07-07 11:36:10
求大神告知，為什么在我光刻鍍膜完之后用丙酮剝離金屬老掉呢？
2018-08-19 19:08:42
有一種可剝離防焊膠主要應(yīng)用于什么工藝生產(chǎn)環(huán)節(jié)上？產(chǎn)品介紹說主要應(yīng)用在PCB波峰焊/回流焊，但許多生產(chǎn)車間里不知道或者根本不用這樣的產(chǎn)品；請技術(shù)大神可以回答，謝謝！
2021-06-08 16:37:08
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2離線光刻膠微粒子計數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機化學(xué)品、有機化學(xué)品、有機溶劑、清洗
2022-12-14 10:44:24
MPS-100A化學(xué)品、光刻膠微粒子計數(shù)器是普納赫科技向韓國公司訂制的一款新型在線液體顆粒監(jiān)測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水
2023-01-03 15:30:32
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數(shù)器，采用英國普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 光刻機（Mask Aligner） 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
2018-04-10 09:49:17131483 
這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計未來3年仍以年均5%的速度增長，預(yù)計至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484098 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1416535 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。
2020-10-15 15:09:186447 的可靠性、生產(chǎn)率和靈活性。 光刻膠剝離過去一直被認(rèn)為是技術(shù)含量較低的工藝。然而，隨著3D架構(gòu)、雙重圖形化技術(shù)、多層罩式掩膜和高劑量植入剝離（HDIS）等新技術(shù)的出現(xiàn)，光刻膠剝離工藝的復(fù)雜度也在不斷提升。目前來看，在300mm晶圓領(lǐng)域的高級存儲和邏輯節(jié)點上，很
2020-11-26 15:48:251813 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 德國達姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領(lǐng)先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導(dǎo)體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:102646 
的、顆粒的、會影響光刻膠的厚度。 涂膠：根據(jù)工藝要求，目前常用的兩種涂膠工藝，一個就是旋轉(zhuǎn)涂覆、一個就是噴涂。根據(jù)工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。 前烘：就比較講究了，因為這東西肉眼看不見變化。只有最后
2021-10-13 10:59:423893 
光刻膠是光刻機研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 待加工基片上。其被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 一言以蔽之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造
2022-01-20 21:02:461208 
摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687 
。 發(fā)明領(lǐng)域 本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造，更具體地涉及剝離光致抗蝕劑和/或清潔半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的金屬或金屬硅化物區(qū)域的方法。 發(fā)明背景 電互連技術(shù)通常需要金屬或其他導(dǎo)電層或區(qū)域之間的電連接，這些導(dǎo)電層或區(qū)域位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)或
2022-02-24 13:45:53946 
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝，同時保持低缺陷水平和至少相當(dāng)于記錄工藝的高產(chǎn)量性能?；一襟E的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時間，釋放
2022-03-01 14:39:431351 
類型和智能流體?配方發(fā)生反應(yīng)，將最有希望的組合進行到第二階段進行深入研究。后續(xù)實驗結(jié)果證明了通過改變工藝溫度設(shè)置和添加兆聲能來優(yōu)化工藝參數(shù)。通過目視檢查和接觸角測量來量化光刻膠剝離結(jié)果。 介紹 光刻膠材料的去
2022-03-03 14:20:05452 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:56733 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23756 
，用于抗蝕劑剝離和有機物去除，以消除化學(xué)霧的形成。然而，已經(jīng)表明基于 DIO3 的剝離和清潔工藝會導(dǎo)致光掩模材料的氧化降解。這種材料損壞會影響功能掩模層的光學(xué)特性，導(dǎo)致 CD 線寬、相位、透射和反射變化，對光刻過程中的圖像傳輸產(chǎn)生不利影響。
2022-03-30 14:32:31564 
本文一般涉及處理光掩模的領(lǐng)域，具體涉及用于從光掩模上剝離光致抗蝕劑和/或清洗集成電路制造中使用的光掩模的設(shè)備和方法。
2022-04-01 14:26:37610 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42872 
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對
2022-05-07 15:11:11621 
雖然通過蝕刻的結(jié)構(gòu)化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了獲得合適的抗蝕劑掩模的要求、涂層方面的問題，以及最終去除其沉積材料的抗蝕劑掩模。
2022-05-12 15:42:441986 
本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:252 南大光電最新消息顯示，國產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415831 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121165 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05189 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50284 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56442 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18402 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50200 
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