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電子發燒友網>制造/封裝>英特爾正開發工藝和封裝技術通往萬億晶體管時代

英特爾正開發工藝和封裝技術通往萬億晶體管時代

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北京中科同志科技股份有限公司發布于 2024-02-26 08:58:21

英特爾采用Super MIM優化技術推出晶體管技術SuperFin

制程工藝是非常重要的基礎。在今年“架構日”上,英特爾推出了創新的晶體管技術SuperFin。這項技術擁有行業顛覆意義,英特爾在底層晶體管設計上做了優化,降低了電阻,提高了電流,同時在電容層級采用了Super MIM的大幅優化技術,電容量提高了5倍,同時降低了壓降。
2020-08-27 11:14:582275

淺析英特爾加速制程工藝封裝技術創新

新聞重點 1. 英特爾制程工藝封裝技術創新路線圖,為從現在到2025年乃至更遠未來的下一波產品注入動力。 2. 兩項突破性制程技術英特爾近十多年來推出的首個全新晶體管架構RibbonFET,以及
2021-08-09 10:47:231726

英特爾繼續推進摩爾定律,為在2030年打造出萬億晶體管芯片鋪平道路

)上,英特爾發布了多項突破性研究成果,繼續探索技術創新,以在未來十年內持續推進摩爾定律,最終實現在單個封裝中集成一萬億晶體管英特爾的研究人員展示了以下研究成果:3D封裝技術的新進展,可將密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶體管微縮的新材料,包括僅三個
2022-12-06 15:50:21962

英特爾宣布完成PowerVia背面供電技術開發

英特爾在2023年國際電子設備制造大會上宣布,他們已經成功完成了一項名為PowerVia的背面供電技術開發。這個技術是基于英特爾的最新晶體管研究成果,它實現了互補金屬氧化物半導體場效應晶體管
2023-12-11 16:10:42502

英特爾CEO基辛格:摩爾定律放緩,仍能制造萬億晶體

帕特·基辛格進一步預測,盡管摩爾定律顯著放緩,到2030年英特爾依然可以生產出包含1萬億晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、PowerVIA電源傳輸、下一代工藝節點以及3D芯片堆疊等技術實現。目前單個封裝的最大芯片含有約1000億個晶體管
2023-12-26 15:07:37312

英特爾:2030年前實現單個封裝內集成1萬億晶體管

12月9日,英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國際電子器件會議)上展示了使用背面電源觸點將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關鍵技術英特爾表示將在2030年前實現在單個封裝內集成1萬億晶體管
2023-12-28 13:58:43258

如何走向萬億晶體管之路?

臺積電預計封裝技術(CoWoS、InFO、SoIC 等)將取得進步,使其能夠在 2030 年左右構建封裝超過一萬億晶體管的大規模多芯片解決方案。
2023-12-29 10:35:28102

英特爾3D封裝工藝進入量產,集成萬億晶體管

眾所周知,整個半導體領域正邁進一個同時整合多個‘芯粒’(Chiplets,也被稱為‘小芯片’)在同一封裝中的多元時代。基于此,英特爾的 Foveros 及新型 EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)等高級封裝解決方案被譽為能將一萬億晶體管融于單一封裝之內
2024-01-26 09:44:28189

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