俄羅斯科學院表示自行研發的光刻機將于2028年面世，可生產出7nm芯片。目前該機器正在開發中，計劃在2028年建成。當它準備好時，據稱可以比ASML的Twinscan NXT:2000i設備更加高效。

俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到 2030 年開發該國自己的 28nm 級制造技術，對盡可能多的外國芯片進行逆向工程，并培養當地人才從事國產芯片替代工作。?

但是，到 2030 年，28nm 級的生產節點依然存在問題。俄羅斯最先進的晶圓廠目前只可以使用 65nm 制造技術生產芯片。同時，由于制裁，美國和歐洲的晶圓設備制造商無法向俄羅斯供應設備，因此該國要想采用 28nm 節點，就必須設計和建造國產晶圓生產設備。從本質上講，像 ASML 和 應用材料（Applied Materials）這樣的公司花了幾十年的時間來開發和迭代的工作必須趕在大約八年內完成。??

顯然，根據俄羅斯科技網站CNews透露的計劃顯示，俄羅斯科學院的俄羅斯應用物理研究所IAP打算在 2028 年之前超越所有人的預期，生產出具有 7nm 能力的光刻機 。

能夠使用 7nm 級工藝技術處理晶圓的現代光刻機是一種高度復雜的設備，它涉及高性能光源、精密光學和精確計量，等很多關鍵部件。然而，作為俄羅斯領先的應用物理大學，IAP 相信它可以在相對較短的時間內開發出這樣一個工具。??

該工具將與 ASML 或尼康等公司生產的光刻機有所不同。例如，IAP 計劃使用大于 600W 的光源（總功率，不是中焦功率），曝光波長為 11.3nm（EUV 波長為 13.5nm，DUV波長 >100nm），這將需要比現在更復雜的光學器件。由于該設備的光源功率相對較低，這將使工具更緊湊，更易于構建。然而，這也意味著其光刻機的產量將大大低于現代深紫外 (DUV) 設備的產量。不過根據 IAP 的說法，這可能不是問題。?

在時機方面，IAP 可能有點過于樂觀。對于 32nm 以下的所有芯片，芯片制造商使用所謂的浸沒式光刻技術（本質上是 DUV 工具的助推器）。ASML 于 2003 年底推出 了其第一款浸沒式光刻系統——Twinscan XT:1250i——并計劃在 2004 年第三季度交付一個，以生產 65nm 邏輯芯片和 70nm 半間距 DRAM。該公司花了大約五年時間于 2008 年底宣布推出 其支持 32nm 的 Twinscan NXT:1950i，并于 2009 年開始向客戶交付。?

然后，ASML這家市場領導者又花了大約 9 年的時間才在 2018 年交付其支持 7nm 和 5nm 的 Twinscan NXT:2000i DUV 工具。臺積電在其第一代 N7 制造技術中使用了具有多重圖案的不太先進的工具，但 ASML 的時間安排介紹展示了從 65nm 過渡到 7nm 的難度。ASML 從 65nm 到 7nm 用了 14 年。現在，在芯片生產方面沒有任何經驗或與芯片制造商沒有任何聯系的 IAP 打算在大約 6 年的時間里從頭開始制造一臺支持 7nm 的機器進行量產。雖然這個計劃聽起來不太可行，但看起來 IAP 充滿了熱情。

俄羅斯科學院微結構物理研究所副所長 Nikolai Chkhalo 表示：“全球光刻技術領導者 ASML 近 20 年來一直在開發其 EUV 光刻系統，并且該技術已經證明是非常復雜的。在這種情況下，ASML 的主要目標是保持世界上最大的工廠才需要的極高生產力。而在俄羅斯，沒有人需要如此高的生產力。在我們的工作中，我們從國內面臨的需求和任務出發。這與數量無關，而與質量有關。首先，我們需要過渡到我們自己的制造工藝，制定自己的設計標準，我們自己的工具、工程、材料，所以我們自己的道路在這里是不可避免的。”

IAP 計劃在 2024 年之前建造一個功能齊全的 alpha 光刻機。這個光刻機不必提供高生產率或最大分辨率，但必須能夠工作并對潛在投資者有吸引力。IAP 打算在 2026 年之前制造出具有更高生產率和分辨率的光刻機測試版。這臺機器應該可以量產，但預計其生產率不會達到最大值。據說光刻掃描儀的最終迭代將在 2028 年問世。它應該獲得高性能光源（因此可以帶來更高的生產率）、更好的計量和整體能力。到 2028 年，尚不清楚 IAP和其生產合作伙伴將能夠生產多少臺此類機器。

應該注意的是，晶圓廠設備不限于光刻機。還有其他類型的機器執行蝕刻、沉積、抗蝕劑去除、計量和檢查操作，這些機器不是在俄羅斯制造的。此外，還有一些不太先進的機器，如超純空氣和水發生器，這些機器也不是在俄羅斯生產的。即使 IAP RAS 設法建造了光刻工具，俄羅斯仍然需要數百臺設備才能建造現代化的晶圓廠。此外，能夠為晶圓廠供應所需用到的超純原材料的國家也已經斷供俄羅斯。

編輯：黃飛

?