SiC、GaN等下一代功率器件的企業有所增加,為數眾多的展示吸引了各方關注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 市場調查公司Yole Developpement(以下簡稱Yole)認為,市場規模方面,2020年GaN器件市場整體規模有可能達到約6億美元。從(2020年將支配市場的)電源和PFC(功率因數校正)領域,到UPS(不間斷電源)和馬達驅動,很多應用領域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 (SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場份額。供應商。WBG半導體雖然還不是成熟的技術,但由于其優于硅的性能優勢(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業進軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導體來獲
2021-04-06 17:50:533168 電力電子將在未來幾年發展,尤其是對于組件,因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下,WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物,并在
2022-07-29 14:09:53807 在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型(晶體多晶型),并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件,4H-SiC被認為是理想的,其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373 作為一種新型功率器件,GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優勢。
2023-12-07 09:44:52783 近年來,SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能,這對電力電子行業的發展意義重大。據Yole預測,到2023年SiC功率器件市場規模預計將達14億美元,其主要的市場增長機會在汽車領域,特別是
2019-07-05 11:56:2833343 全球范圍內5G技術的迅猛發展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長前景。2020年,GaN和SiC功率半導體市場規模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長率
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日,著名咨詢公司麥肯錫發表了一份SiC市場的分析報告,其中電動汽車市場以及SiC市場的最新預測數據值得我們關注。 電動汽車以及SiC市場預測 ? 麥肯錫從2018
2023-10-30 06:59:001641 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:361220 GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
。GaN器件尤其在高頻高功率的應用領域體現了其獨特的優勢,其中,針對GaN功率器件的性能特點,該器件可被用于適配器、DC-DC轉換、無線充電、激光雷達等應用場合。
圖1 半導體材料特性對比
傳統的D類
2023-06-25 15:59:21
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態,對GaN 調制摻雜場效應晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進行了具體分析,并同其他微波器件進行了比較,展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術而言,GaN這一材料技術,大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值,表征高頻器件的材料適合性優值, 硅技術的約翰遜優值僅為1, GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優值為1.44。肯定地說,GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化(如充電器
2019-07-31 06:16:52
一樣,商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中,并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
) !important]推動SiC/GaN功率開關普及的主要應用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉換器。這里利用了超快的小型高效功率開關的附加價值,為市場帶來了超高開關頻率和超過99%的杰出效率
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
電導率調制,向漂移層內注入作為少數載流子的空穴,因此導通電阻比MOSFET還要小,但是同時由于少數載流子的積聚,在Turn-off時會產生尾電流,從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
)工作頻率的高頻化,使周邊器件小型化(例:電抗器或電容等的小型化)主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與Si相比,它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
與硅相比,SiC有哪些優勢?SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能?碳化硅器件的缺點有哪些?
2021-07-12 08:07:35
元件。?雖然是新半導體,但在要求高品質和高可靠性的車載設備市場已擁有豐碩的實際應用業績。< 相關產品信息 >SiC功率元器件SiC-SBDSiC-MOSFET「全SiC」功率模塊
2018-11-29 14:39:47
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業,自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
中國功率器件市場發展現狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業,所應用的產品包括
2009-09-23 19:36:41
引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火,現在我們結合最新的市場進展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
元件來適應略微增加的開關頻率,但由于無功能量循環而增加傳導損耗[2]。因此,開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性,各自都有各自的優點和不成熟處,因此在應用方面有區別 。一般的業界共識是:SiC適合高于1200V的高電壓大功率應用;GaN器件更適合于40-1200V的高頻應用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
在過去的十多年里,行業專家和分析人士一直在預測,基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
雖然電動和混合動力電動汽車(EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)到基于碳化硅(SiC)襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
您好,有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件,因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時,它只顯示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬,我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。在科技發展道路上的,“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
采用熱傳導率更優的SiC做襯底,因此GaN功率器件具有較高的結溫,能在高溫環境下工作。不同材料體系射頻器件功率-頻率工作區間GaN將在高功率,高頻率射頻市場優勢明顯相比于4G,5G的通信頻段往高頻波段
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機驅動逆變器市場)采用新技術的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與S
2009-11-19 08:48:432355 據權威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場,預計到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發展將更多地集中到SiC和GaN的技術創新上。
2013-09-18 10:13:112464 安華高科技公司(Avago Technologies)推出了四款光電耦合器新產品,主要用于使用 SiC(碳化硅)和 GaN(氮化鎵)制造的功率半導體器件等的門極驅動。新產品的最大特點是最大傳播延遲
2017-09-12 16:07:001 1.GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 引言SiC功率器件已經成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410899 使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:005775 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2018-10-04 09:03:004753 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產品應用和技術特性方面的信息,以及英飛凌相關業務和此次量產產品的細節。
2018-12-06 18:06:214654 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2019-01-05 09:01:093767 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799 很多工程師提問關于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導體,因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個額外優點是可以在器件表面產生二維電子氣(2DEG)。
2019-03-14 17:05:395887 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大,充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁,可以提供高功率密度、超小的體積,因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 據麥姆斯咨詢介紹,由于特斯拉(Tesla)在其主逆變器中采用了SiC器件,2018~2019年SiC功率器件市場吸引了廣泛關注。其他汽車廠商是否會跟進應用SiC器件成為今年熱議的話題。近年,汽車行業
2019-07-22 16:53:404551 安森美半導體是功率電子領域的市場領導者之一,在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504206 目前世界范圍內圍繞著GaN功率電子器件的研發工作主要分為兩大技術路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術路線,另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術路線。
2019-08-01 15:00:037275 了巨大的GaN射頻器件市場需求。2019年,GaN射頻市場約為6.42億美元。亞化咨詢預計,到2025年GaN射頻器件市場將超過30億美元。
2020-08-27 10:47:422369 的市場收入以兩位數增長,到 2029 年將超過 50 億美元。 GaN 和 SiC 功率半導體全球市場收入預測(單位:百萬美元) SiC 肖特
2020-11-16 10:19:322223 ,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據集邦咨詢(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動5G基站射頻前端、手機充電器及車用能源等需求逐步提升,預期2021年GaN通訊及功率器件營收分別為6.8億和6100萬美元,年增30.8%及90.6%,SiC器件功率領域營收
2021-05-03 16:18:0010175 的 3 倍,而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的 P 型、N 型控制,所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC,現在 4inch~6inch 的單晶晶圓已經實現了量產。
2021-04-20 16:43:0957 前言 近年來,電力電子領域最重要的發展是所謂的寬禁帶(WBG)材料的興起,即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。WBG材料的特性有望實現更小、更快、更高效的電力電子產品。 WBG功率器件已經對從普通
2021-08-13 15:22:002206 日前,SiC & GaN功率器件設計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。
2021-09-09 09:39:171065 /dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料,其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅動特性。為了加深大家對高速功率半導體器件的理解,今天我們以SiC和GaN為例來聊一下這個話題,看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 在基本半導體特性(帶隙、臨界電場和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優異的材料。“Si 的帶隙略高于一個電子伏特,臨界電子場為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748 意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業知識
2022-08-03 10:44:57641 。與此同時,一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩步前進,該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比當今市場上最好的 GaN 產品好 300 倍(圖1)。 圖 1:一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代(紫色圓點)和
2022-08-04 11:17:55587 GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業電機控制應用中的傳統 MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231530 鎵 (GaN) 等技術所需的最高開關速度和系統尺寸限制而設計。架構的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩定性,從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導體的基于 SiC 技術的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11813 DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術,特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來,SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善,已經接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15677 SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上,實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350 根據市場分析機構 Yole 預測,在未來 5 年內,SiC 功率器件將很快占據整個功率器件市場的 30%,SiC 行業(從襯底到模塊,包括器件)的增長率非常高。在Yole看來,到 2027 年,該行
2023-02-20 17:05:161106 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 全球SiC器件產能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預測,未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元,并可能在2030年代初達到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556 GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 范圍內控制必要的p型、n型,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145 調查結果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩步擴大。
2023-09-04 15:13:24365 GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25660 年,GaN器件將達到整個功率半導體市場的2.7%,市場規模僅為20.36億美元。 圖注:GaN市場預測(芯查查制表,數據來源:Yole)作為第三代半導體材料,GaN被看好是因為其具有比硅更佳的電氣特性,另一個關鍵點是成本在逐步降低,市場趨勢表明,GaN器件將在成本上與MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211630 長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗,具備全面的功率產品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398 業務分拆成立新公司,并將投資5億美元(約750億日元1)。Coherent一直是三菱電機的SiC襯底供應商,此次投資旨在通過加強與Coherent的縱向合作,擴大其SiC功率器件業務。 電動汽車市場正在
2023-10-18 19:17:17368 隨著半導體技術的發展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
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