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電子發燒友網>制造/封裝>功率SiC器件和GaN器件市場預測

功率SiC器件和GaN器件市場預測

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SiC功率器件和模塊!

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近年來,SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能,這對電力電子行業的發展意義重大。據Yole預測,到2023年SiC功率器件市場規模預計將達14億美元,其主要的市場增長機會在汽車領域,特別是
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最新SiC市場預測:2030年8英寸滲透率達5成;中國汽車OEM SiC 6成本土供應

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同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
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2019-06-25 07:41:00

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2019-06-26 06:14:34

SiC GaN有什么功能?

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SiC/GaN功率開關有什么優勢

新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08

SiC/GaN功率轉換器已在各種創新市場和應用領域攻城略地

) !important]推動SiC/GaN功率開關普及的主要應用有太陽能光伏逆變器、電動汽車充電器和儲能轉換器。這里利用了超快的小型高效功率開關的附加價值,為市場帶來了超高開關頻率和超過99%的杰出效率
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SiC/GaN具有什么優勢?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
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SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

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SiC功率器件概述

,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
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SiC功率器件的開發背景和優點

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【直播邀請】羅姆 SiC(碳化硅)功率器件的活用

本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯 親愛的電子發燒友小伙伴們!羅姆作為 SiC 功率器件的領先企業,自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率器件
2018-07-27 17:20:31

一文詳解下一代功率器件寬禁帶技術

,從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料,提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16

中國功率器件市場發展現狀

中國功率器件市場發展現狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件功率器件幾乎用于所有的電子制造業,所應用的產品包括
2009-09-23 19:36:41

了解一下SiC器件的未來需求

引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火,現在我們結合最新的市場進展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00

什么是基于SiCGaN功率半導體器件

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2023-02-21 16:01:16

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基于GaN的開關器件

在過去的十多年里,行業專家和分析人士一直在預測,基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30

報名 | 寬禁帶半導體(SiCGaN)電力電子技術應用交流會

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiCGaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
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2019-01-17 15:55:31

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`①未來發展導向之Sic功率器件功率器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導體)元器件備受矚目。在科技發展道路上的,“小型化”和“節能化
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第三代半導體材料盛行,GaNSiC如何撬動新型功率器件

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2022-08-12 15:31:231530

優化SiC功率器件的三個步驟

鎵 (GaN) 等技術所需的最高開關速度和系統尺寸限制而設計。架構的演進滿足了新的效率水平和時序性能的穩定性,從而減少了電壓失真。本文以羅姆半導體的基于 SiC 技術的功率器件為參考點。
2022-08-10 15:22:11813

詳解GaNSiC器件測試的理想探頭

DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測量精度和豐富的連接方式,是GaNSiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121

SiC功率器件的發展及技術挑戰

碳化硅(SiC)被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術,特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。
2022-11-06 18:50:471289

SiC功率器件的現狀與展望!

碳化硅(SiC功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:141503

SIC功率器件的發展現狀!

近年來,SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善,已經接近其材料特性決定的理論極限,依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景,其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題,最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020

SiCGaN功率電子器件的優勢和應用

  隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶隙半導體的市場
2023-02-05 14:25:15677

SiC功率器件的開發背景和優點

SiC功率器件具有優于Si功率器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率器件上,實現以往Si功率器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448

使用多個電流探頭研究SiCGaN功率半導體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個電流探頭研究SiCGaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350

Yole:SiC 器件將占領 30% 的功率器件市場

根據市場分析機構 Yole 預測,在未來 5 年內,SiC 功率器件將很快占據整個功率器件市場的 30%,SiC 行業(從襯底到模塊,包括器件)的增長率非常高。在Yole看來,到 2027 年,該行
2023-02-20 17:05:161106

SiC功率器件的開發背景和優點

前面對SiC的物理特性和SiC功率器件的特征進行了介紹。SiC功率器件具有優于Si功率器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346

未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元

全球SiC器件產能到2027年將增長兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預測,未來五年SiC器件市場價值將達到60億美元,并可能在2030年代初達到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556

GaN功率器件應用可靠性增長研究

GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074

GaNSiC功率器件的特點 GaNSiC的技術挑戰

 SiCGaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG),因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

一文看懂SiC功率器件

范圍內控制必要的p型、n型,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581145

功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩步擴大

調查結果顯示,SiCGaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件市場正在穩步擴大。
2023-09-04 15:13:24365

低成本垂直GaN(氮化鎵)功率器件的優勢

GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25660

分析 丨GaN功率器件格局持續變化,重點關注這兩家廠商

年,GaN器件將達到整個功率半導體市場的2.7%,市場規模僅為20.36億美元。 圖注:GaN市場預測(芯查查制表,數據來源:Yole)作為第三代半導體材料,GaN被看好是因為其具有比硅更佳的電氣特性,另一個關鍵點是成本在逐步降低,市場趨勢表明,GaN器件將在成本上與MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211630

長電科技高可靠性車載SiC功率器件封裝設計

長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗,具備全面的功率產品封裝外形,覆蓋IGBT、SiCGaN等熱門產品的封裝和測試。
2023-10-07 17:41:32398

三菱電機將投資Coherent的SiC業務 發展SiC功率器件業務

業務分拆成立新公司,并將投資5億美元(約750億日元1)。Coherent一直是三菱電機的SiC襯底供應商,此次投資旨在通過加強與Coherent的縱向合作,擴大其SiC功率器件業務。 電動汽車市場正在
2023-10-18 19:17:17368

低成本垂直GaN功率器件研究

隨著半導體技術的發展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰。
2024-03-07 14:28:43107

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