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編輯：黃飛
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淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
- 控制器(170263)
- 逆變器(200803)
- IGBT(242701)
- SiC(61351)
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2014-09-22 14:21:59
600V碳化硅二極管SIC SBD選型
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SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢
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2023-02-27 13:48:12
SiC SBD的器件結(jié)構(gòu)和特征
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
SiC SBD的正向特性
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET體二極管特性
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發(fā)展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優(yōu)勢所謂
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET有什么優(yōu)點
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET的應(yīng)用實例
。SiC-MOSFET應(yīng)用實例2：脈沖電源脈沖電源是在短時間內(nèi)瞬時供電的系統(tǒng)，應(yīng)用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關(guān)，但市場需要更高耐壓更高
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SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較
電流IF的VF特性圖。是從25℃到200℃按8個級別的溫度條件測量的數(shù)據(jù)。SiC-SBD隨著溫度的上升，IF開始流動，VF有些下降，但因電阻上升，斜率變緩和，在正常使用范圍的IF下，VF上升
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2019-03-27 06:20:11
SiC-SBD的發(fā)展歷程
。希望下面給出的產(chǎn)品陣容能夠成為大家進(jìn)行個別規(guī)格確認(rèn)等的參考。各技術(shù)規(guī)格詳情可點擊這里。第2代 SiC-SBD第3代 SiC-SBD關(guān)鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進(jìn)一步降低了第2代達(dá)成的低VF。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBD
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SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較
。SiC-SBD可同時實現(xiàn)高速性和高耐壓，與PND/FRD相比Err（恢復(fù)損耗）顯著降低，開關(guān)頻率也可提高，因此可使用小型變壓器和電容器，有助于設(shè)備小型化。以下是1200V耐壓SiC-SBD技術(shù)規(guī)格的一部分。后續(xù)將針對主要特性進(jìn)行介紹。 ＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDFRD
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【轉(zhuǎn)帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢及其在Boost PFC中的應(yīng)用
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綜上，SiC SBD無反向恢復(fù)、能并聯(lián)使用等特性使其在替換Si FRD時具有明顯的優(yōu)勢。沒有反向恢復(fù)，減小反向恢復(fù)帶來的開關(guān)損耗從而提高系統(tǒng)效率，同時避免反向恢復(fù)引起的振蕩，改善系統(tǒng)
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關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
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全SiC功率模塊的開關(guān)損耗
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SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機驅(qū)動器電路
2018-12-04 10:26:52
基于LTCC技術(shù)實現(xiàn)SIP的優(yōu)勢和特點討論
如電阻、電容、電感、濾波器、耦合器等集成到一個封裝體內(nèi)，因而可以有效而又最便宜地使用各種工藝組合，實現(xiàn)整機系統(tǒng)的功能。 LTCC技術(shù)是近年來興起的一種令人矚目的整合組件技術(shù)，由于LTCC材料優(yōu)異
2019-07-29 06:16:56
基于低功耗SiC二極管的最高功率密度實現(xiàn)方案
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
安捷倫PE7900蓄電池仿真系統(tǒng)的特性和優(yōu)勢是什么？
什么是安捷倫蓄電池仿真系統(tǒng)？安捷倫PE7900蓄電池仿真系統(tǒng)的特性和優(yōu)勢是什么？
2021-04-30 07:01:09
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
報名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會
）③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機遇和挑戰(zhàn) ④ 針對寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比（優(yōu)勢、驅(qū)動上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響）五、活動報名電話：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
數(shù)碼調(diào)變技術(shù)與多工技術(shù)有何差異？
數(shù)碼調(diào)變技術(shù)是什么？什么是多工技術(shù)？數(shù)碼調(diào)變技術(shù)與多工技術(shù)有何差異？
2021-05-18 06:14:06
新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器不斷變化的格局
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
新型功率開關(guān)技術(shù)和隔離式柵極驅(qū)動器的趨勢和格局
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
無線測量系統(tǒng)的技術(shù)優(yōu)勢
技術(shù)，并展示了如何利用NI測量硬件和NI LabVIEW發(fā)揮無線技術(shù)的技術(shù)優(yōu)勢。 目錄面向測量與自動化的無線技術(shù)無線的技術(shù)優(yōu)勢將無線功能添加至測量系統(tǒng)總結(jié)相關(guān)資源
2019-07-22 06:02:25
有效實施更長距離電動汽車用SiC功率器件
雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
淺析SiC-MOSFET
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
淺析SiC功率器件SiC SBD
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點
的散熱尺寸和成本，以及更長的車輛里程。SiC-FET的特性也使其在其他應(yīng)用領(lǐng)域，如家用和商用固態(tài)斷路器、電路保護(hù)甚至線性操作中具有理想的性能。所涉及的領(lǐng)域同樣廣泛，從航空航天到信息技術(shù)、工業(yè)、家庭
2023-02-27 14:28:47
碳化硅的物理特性和特征
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強，在熱、化學(xué)、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
羅姆SiC-SBD替代Si-PND/Si-FRD有什么優(yōu)勢
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
請問數(shù)字電位器的技術(shù)特性有哪些？
數(shù)字電位器的技術(shù)特性是應(yīng)用技術(shù)中的關(guān)鍵，因此本文將對數(shù)字電位器的電阻特性和數(shù)字控制特性進(jìn)行分析。
2021-04-12 06:34:17
調(diào)變技術(shù)與多任務(wù)技術(shù)有什么不同？
調(diào)變技術(shù)是什么？多任務(wù)技術(shù)是什么？調(diào)變技術(shù)與多任務(wù)技術(shù)有什么不同？
2021-05-19 07:17:23
車用SiC元件討論
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢
2019-06-27 04:20:26
驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
。ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動器采用ADI公司經(jīng)過驗證的iCoupler?技術(shù)，可以給高電壓和高開關(guān)速度應(yīng)用帶來諸多重要優(yōu)勢。ADuM4135是驅(qū)動SiC/GaN MOS的最佳選擇，出色的傳播延遲優(yōu)于50 ns
2018-10-22 17:01:41
SiC半導(dǎo)體材料及其器件應(yīng)用
分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81
81SiC MOSFET的特性及使用的好處
電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計，而在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:27
6631
6631SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687
1687
SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705
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SiC和Si的應(yīng)用 各種SiC功率器件的特性
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469
1469探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071114
1114
碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！
硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點，即無可否認(rèn)的優(yōu)勢推動一項技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。
2023-09-07 16:13:00661
661
SiC相對于傳統(tǒng)Si的優(yōu)勢如何
碳化硅(SiC)技術(shù)已達(dá)到臨界點，即不可否認(rèn)的優(yōu)勢推動技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今，出于多種原因，希望保持競爭力并降低長期系統(tǒng)成本的設(shè)計人員正在轉(zhuǎn)向基于SiC的技術(shù)，其中包括： 降低總擁有
2023-10-13 09:24:17824
824還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
2023-11-29 16:49:23277
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工商網(wǎng)監(jiān)
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