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電子發燒友網>制造/封裝>半導體設備行業跟蹤報告:ALD技術進行薄膜沉積工藝優勢

半導體設備行業跟蹤報告:ALD技術進行薄膜沉積工藝優勢

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2023-06-08 11:10:22986

原子層ALD沉積介紹

原子層沉積(Atomic layer deposition,ALD)是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術
2023-06-15 16:19:212038

韞茂科技獲數億元融資,加快薄膜沉積設備量產

韞茂科技成立于2018年,致力于成為平臺形態的納米級薄膜沉積設備制造企業。目前擁有ald原子層沉積系統、pvd物理氣體沉積系統、cvd化學氣體沉積系統、uhv超高真空涂層設備等12種產品。
2023-06-28 10:41:03540

半導體行業關鍵技術ALD:這家公司是龍頭!

半導體制造過程中,每個半導體元件的產品都需要經過數百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術難點多,操作復雜。
2023-06-28 16:54:061260

半導體前端工藝沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵(上)

半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積工藝呢?
2023-06-29 16:58:37404

半導體前端工藝沉積工藝

在前幾篇文章(點擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到,為制作巧克力夾心,需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,然后倒入巧克力糖漿,再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830

詳解半導體前端工藝沉積工藝

和在刻蝕工藝中一樣,半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質量。例如,降低壓強,沉積速率就會放慢,但可以提高垂直方向的沉積質量。因為,壓強低表明設備內反應氣體粒子
2023-07-02 11:36:401214

ALD是什么?半導體制造的基本流程

半導體制造過程中,每個半導體元件的產品都需要經過數百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分,它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術難點多,操作復雜。
2023-07-11 11:25:552902

技術前沿:原子層沉積ALD介紹

薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜,使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776

半導體前端工藝沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵

半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積工藝呢?
2023-08-17 15:33:27370

ALD技術工藝原理、優勢及應用

面對真空鍍膜多元的應用市場,鍍膜技術的發展也從傳統的蒸發、電子束熱蒸發技術,相繼發展出PECVD、ALD原子層沉積技術、磁控濺射技術等等,技術地位日益凸顯。本報告嘉賓來自國內半導體設備龍頭企業無錫
2023-10-18 11:33:442992

半導體檢測設備行業專題報告.zip

半導體檢測設備行業專題報告
2023-01-13 09:06:485

半導體行業深度報告.zip

半導體行業深度報告
2023-01-13 09:06:5112

半導體設備系列研究-薄膜沉積設備.zip

半導體設備系列研究-薄膜沉積設備
2023-01-13 09:06:526

行業專題報告_半導體檢測設備行業專題報告.zip

行業專題報告_半導體檢測設備行業專題報告
2023-01-13 09:07:464

半導體前端工藝(第五篇):沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵

半導體前端工藝(第五篇):沉積——“更小、更多”,微細化的關鍵
2023-11-27 16:48:42217

半導體制造之薄膜工藝講解

薄膜沉積技術主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類,目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質/半導體薄膜,廣泛用于層間介質層、柵氧化層、鈍化層等工藝
2023-12-05 10:25:18997

一文詳解金屬薄膜沉積工藝及金屬化

金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩定均勻的有效功函數,兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外,先柵極的工藝對金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求,但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方,因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659

化學氣相沉積與物理氣相沉積的差異

在太陽能電池的薄膜沉積工藝中,具有化學氣相沉積(CVD)與物理氣相沉積(PVD)兩種薄膜沉積方法,電池廠商在沉積工藝中也需要根據太陽能電池的具體問題進行針對性選擇,并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312

半導體零部件行業深度報告

半導體設備主要應用于集成電路的制造和封測環節,可細分為晶圓制造設備(前道設備)和封裝、測試設備(后道設備)。其中,前道設備主要有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備、離子注入機、CMP設備、清洗機、前道檢測設備和氧化退火設備,后道設備主要分為測試設備和封裝設備
2023-12-27 10:57:48281

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