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化學放大型光刻膠的作用原理
- 光刻膠(29686)
- 半導體工藝(26033)
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一文看懂：光刻膠的創新應用與國產替代機會
引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作，是微納制造技術的關鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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微氣泡對光刻膠層的影響
關鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環保光刻膠去除方法的候選方法。已經證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:131396
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A股半導體光刻膠企業營收靚麗！打造光刻膠全產業鏈 博康欲成國產光刻膠的中流砥柱
光刻膠為何要謀求國產替代？中國國產光刻膠企業的市場發展機會和挑戰如何？光刻膠企業發展要具備哪些核心競爭力？在南京半導體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發總監潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:235918
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華為投資光刻膠企業 光刻膠單體材料全部自供
，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環節的重要材料，目前主要被日美把控，國內在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優勢，國內廠商在光
2021-08-12 07:49:005380
5380半導體光刻膠企業營收靚麗！打造光刻膠全產業鏈 博康欲成國產光刻膠的中流砥柱
電子發燒友原創 章鷹 ? 近日，全球半導體市場規模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內關注焦點。正當日本光刻膠企業JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718
2718光刻機工藝的原理及設備
關于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當于膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的芯片電路一個個的復制到光刻膠薄膜上，然后通過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。 當然
2020-07-07 14:22:55
光刻膠
的厚膜圖形；它還具有良好的力學性能、抗化學腐蝕性和熱穩定性；在受到紫外輻射后發生交聯，是一種化學擴大負性膠，可以形成臺階等結構復雜的圖形；在電鍍時可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優點：1
2018-07-12 11:57:08
光刻膠在集成電路制造中的應用
過程才能完成,光刻膠及蝕刻技術是實現集成電路微細加工技術的關鍵[2]。蝕刻的方式主要分為濕法和干法兩種，等離子與反應離子刻蝕（RIE）屬于干法蝕刻，主要是通過物理轟擊濺射和化學反應的綜合作用來腐蝕薄膜層
2018-08-23 11:56:31
光刻膠有什么分類？生產流程是什么？
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
光刻膠殘留要怎么解決？
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方沒有殘留；工藝參數：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
Futurrex高端光刻膠
于正負型光刻膠且顯影速度快。 RR41 & 5系列 化學品，具有獨特性能的光刻膠去膠液，并能安全的去除多種臨時涂層，且與Si、III/V基襯底、II/VI襯底、氧化銦錫(ITO)及銅
2010-04-21 10:57:46
LCD段碼屏光刻不良-浮膠
環境濕度太大，使膠與玻璃表面粘附不良。因此，得注意做好玻璃表面清潔處理和操作的環境的溫，濕度及清潔工作。2）光刻膠配制有誤或膠陳舊不純，膠的光化學反應性能不好，使膠與ITO層成健能力差，或者膠膜不均勻
2018-11-22 16:04:49
LCD段碼液晶屏生產工藝流程
版在紫外燈下對光刻膠進行選擇性曝光。F. 顯影：用顯影液處理玻璃表面，將經過光照分解的光刻膠層除去，保留未曝光部分的光刻膠層，用化學方法使受（UV）光照射部分的光刻膠溶于顯影液中，顯影后的玻璃要經過
2019-07-16 17:46:15
Microchem SU-8光刻膠 2000系列
SU 8光刻膠系列產品簡介：新型的化學增幅型負像 SU- 8 膠是一種負性、環氧樹脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導致的深寬比不足的問題，十分適合于制備高深寬比微結構。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
lithography平板印刷技術
lithography是一種平板印刷技術，在平面光波回路的制作中一直發揮著重要的作用。具體過程如下：首先在二氧化硅為主要成分的芯層材料上面，淀積一層光刻膠；使用掩模版對光刻膠曝光固化，并在
2018-08-24 16:39:21
《炬豐科技-半導體工藝》光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
《炬豐科技-半導體工藝》IC制造工藝
。光刻膠的圖案通過蝕刻劑轉移到晶片上。沉積：各種材料的薄膜被施加在晶片上。為此，主要使用兩種工藝，物理氣相沉積 (PVD) 和化學氣相沉積 (CVD)。制作步驟：1.從空白晶圓開始2.自下而上構建
2021-07-08 13:13:06
一文帶你了解芯片制造的6個關鍵步驟
區別在于材料的化學結構和光刻膠對光的反應方式。對于正性光刻膠，暴露在紫外線下的區域會改變結構，變得更容易溶解從而為刻蝕和沉積做好準備。負性光刻膠則正好相反，受光照射的區域會聚合，這會使其變得更難溶解
2022-04-08 15:12:41
三種常見的光刻技術方法
光刻技術中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當掩膜版與硅片接觸和對準時,硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
半導體材料市場構成分析
半導體材料市場構成：在半導體材料市場構成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
噴膠機有什么典型應用 ？
噴膠機是現代光電子產業中光刻膠涂布的重要設備。可對不同尺寸和形狀的基片進行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結構的側壁進行均勻涂膠；通過計算機系統控制器進行工藝參數的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
圖形反轉工藝用于金屬層剝離的研究
圖形反轉工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負轉型和形成適用于剝離技術的倒臺面圖形的工藝技術。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
求助 哪位達人有在玻璃上光刻的經驗
本人是菜鳥 需要在玻璃上光刻普通的差值電極 以前一直在硅片上面光刻 用的光刻膠是AZ5214E 正膠 同樣的工藝和參數在玻璃上附著力差了很多 懇請哪位高人指點一下PS 插值電極的距離為25微米 小女子這廂謝過了
2010-12-02 20:40:41
液晶顯示器是什么原理制造的
的清洗與干燥： 將用清洗劑以及去離子水（DI 水）等洗凈ITO 玻璃，并用物理或者化學的方法將ITO 表面的雜質和油污洗凈，然后把水除去并干燥，保證下道工藝的加工質量。 C． 涂光刻膠： 在ITO 玻璃
2016-06-30 09:03:48
芯片制作工藝流程 二
，然后以設定的轉速和時間甩膠。由于離心力的作用，光刻膠在基片表面均勻地展開，多余的光刻膠被甩掉，獲得一定厚度的光刻膠膜，光刻膠的膜厚是由光刻膠的粘度和甩膠的轉速來控制。所謂光刻膠，是對光、電子束或X線
2019-08-16 11:11:34
芯片里面100多億晶體管是如何實現的
是使用化學或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程。通常的晶圓加工流程中，刻蝕工藝位于光刻工藝之后，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不會受到腐蝕源的顯著侵蝕，從而完成圖形轉移的工藝步驟。刻蝕環節是復制
2020-07-07 11:36:10
離線光刻膠微粒子計數器
PMT-2離線光刻膠微粒子計數器是一款新型液體顆粒監測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機化學品、有機化學品、有機溶劑、清洗劑
2022-12-14 10:44:24
化學品、光刻膠微粒子計數器
MPS-100A化學品、光刻膠微粒子計數器是普納赫科技向韓國公司訂制的一款新型在線液體顆粒監測儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測傳感器，可以對超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水
2023-01-03 15:30:32
在線光刻膠液體粒子計數器
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數器，采用英國普洛帝核心技術創新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統，可以對清洗劑、半導體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學系統測溫儀
光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉移到基片上，從而實現微細結構的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術
光刻膠與光刻工藝技術 微電路的制造需要把在數量上精確控制的雜質引入到硅襯底上的微小 區域內,然后把這些區域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
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0光刻膠是芯片制造的關鍵材料，圣泉集團實現了
這是一種老式的旋轉涂膠機，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機器的旋轉的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3718498
18498探討PCB光刻膠專用化學品行業基本概況
干膜光刻膠是由預先配制好的液態光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
2019-01-30 16:49:1410707
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南大光電預計2019年底建成一條光刻膠生產線
7月17日，南大光電在互動平臺透露，公司設立光刻膠事業部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進“ArF光刻膠開發和產業化項目”落地實施。目前該項目完成的研發技術正在等待驗收中，預計2019年底建成一條光刻膠生產線，項目產業化基地建設順利。
2019-07-18 16:14:594862
4862上海新陽表示ARF193nm光刻膠配套的光刻機預計12月底到貨
近日，上海新陽在投資者互動平臺上表示，公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機已完成廠內安裝開始調試，ARF193nm光刻膠配套的光刻機預計12月底到貨。
2019-12-04 15:24:457942
7942光刻膠國產化刻不容緩
隨著電子信息產業發展的突飛猛進，光刻膠市場總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場規模預計接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預計未來3年仍以年均5%的速度增長，預計至2022年全球光刻膠市場規模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484098
4098南大光電高黏附性的ArF光刻膠樹脂專利揭秘
在國際半導體領域，我國雖已成為半導體生產大國，但整個半導體產業鏈仍比較落后。特別是由于國內光刻膠廠布局較晚，半導體光刻膠技術相較于海外先進技術差距較大，國產化不足5%。在這種條件下，國內半導體廠商積極開展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564165
4165LCD光刻膠需求快速增長，政策及國產化風向帶動國產廠商發展
光刻膠按應用領域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395380
5380一文帶你看懂光刻膠
來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影
2020-09-15 14:00:1416535
165352020年光刻膠行業情況解析
全球光刻膠市場規模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領域，各占約25%市場份額。
2020-09-21 11:28:043290
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博聞廣見之半導體行業中的光刻膠
光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上的圖形轉移介質，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238
1238日本信越化學將斥資300億日提高光刻膠產能
據日經報道，日本信越化學將斥資300億日元（約2.85億美元），把光刻膠的產能提高20%，以擴充對半導體關鍵材料的供應。 根據報道，信越化學將會在日本和中國臺灣地區興建工廠，位于中國臺灣地區云林工廠
2020-10-22 17:25:323413
3413日本信越化學將斥資300億日元，把光刻膠的產能提高20%
根據報道，信越化學將會在日本和臺灣地區興建工廠，位于臺灣地區云林工廠將先完成，預計2020年2月開始量產，屆時信越化學將得以在臺灣地區生產可與極紫外光（EUV）光刻技術兼容的光刻膠，以滿足臺積電等臺廠客戶的需求。
2020-11-05 09:31:382014
2014為打破光刻膠壟斷，我國冰刻2.0技術獲突破
光刻膠是微納加工過程中非常關鍵的材料。有專家表示，中國要制造芯片，光有光刻機還不夠，還得打破國外對“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564168
4168南大光電首款國產ArF光刻膠通過認證 可用于45nm工藝光刻需求
? 導 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發的 ArF 光刻膠產品成功通過客戶使用認證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告
2020-12-25 18:24:096227
62272021年，半導體制造所需的光刻膠市場規模將同比增長11％
按照應用領域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學品（光引發劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發劑、半導體光刻膠光引發劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導體光刻膠。
2021-05-17 14:15:524011
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光刻膠又遇“卡脖子”，國產替代刻不容緩
由于KrF光刻膠產能受限以及全球晶圓廠積極擴產等，占據全球光刻膠市場份額超兩成的日本供應商信越化學已經向中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，且已通知更小規模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠
2021-06-25 16:12:28784
784光刻膠板塊的大漲吸引了產業注意 ，國產光刻膠再遇發展良機？
5月27日，半導體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623
2623默克推出用于芯片制造的新一代環保光刻膠去除劑
。 光刻膠去除是半導體芯片制造圖形化環節中的關鍵技術，而光刻膠去除劑則是決定圖形化最終良率及可靠性的關鍵材料之一。默克此次推出的“AZ??910?去除劑”基于不含有NMP(N-甲基吡咯烷酮)的新型特制化學配方，不僅可以快速溶解殘留光刻膠，同時具備超高的經濟性、
2021-07-28 14:23:102646
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光刻膠和光刻機的關系
光刻膠是光刻機研發的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281
11281世人皆言光刻膠難，它到底難在哪里
來源：?果殼硬科技 1、光刻膠究竟是怎樣一個行業？ 光刻膠，又稱“光致抗蝕劑”，是光刻成像的承載介質，可利用光化學反應將光刻系統中經過衍射、濾波后的光信息轉化為化學能量，從而把微細圖形從掩模版轉移到
2022-01-20 21:02:461208
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改善去除負光刻膠效果的方法報告
摘要 我們華林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687
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微泡對臭氧水去除光刻膠的影響實驗
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對自由基產生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-01-27 15:55:14448
448微泡對臭氧水去除光刻膠的影響報告
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對自由基產生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-02-11 15:24:33419
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晶片清洗、阻擋層形成和光刻膠應用
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應用；軟烤；掩模對準；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850
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采用雙層抗蝕劑法去除負光刻膠
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23756
756
一種半導體制造用光刻膠去除方法
本發明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細地說，是一種半導體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導體裝置的制造過程中進行吹掃以去除光刻膠。在半導體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42872
872
用于光刻膠去除的單晶片清洗技術
本文的目標是討論一種新技術，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權衡。 將開發濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結合，導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術的發展。 該技術針對
2022-05-07 15:11:11621
621
使用全濕法去除Cu BEOL中的光刻膠和BARC
上蝕刻后光刻膠和BARC層的去除，掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線光電子能譜(XPS)用于評估清洗效率，使用平面電容器結構確定暴露于等離子體和濕化學對低k膜的介電常數的影響。 對圖案化結構的橫截面SEM檢查表明，在幾種實驗條件和化學條件下可以實現蝕刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241115
1115
干法刻蝕去除光刻膠的技術
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174871
4871EUV光刻技術相關的材料
與此同時，在ASML看來，下一代高NA EUV光刻機為光刻膠再度帶來了挑戰，更少的隨機效應、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統的正膠和負膠肯定是沒法用了，DUV光刻機上常用的化學放大光刻膠（CAR）也開始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現瓶頸
2022-07-22 10:40:082010
2010光刻膠為何要謀求國產替代
南大光電最新消息顯示，國產193nm（ArF）光刻膠研發成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發出數十種高端光刻膠產品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285
1285光刻膠的原理和正負光刻膠的主要組分是什么
光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質（如粘附性、膠膜厚度、熱穩定性等）；感光劑，感光劑對光能發生光化學反應；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415831
15831國產光刻膠市場前景 國內廠商迎來發展良機
半導體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產品，海外進口依賴較重，不同品質之間價 格差異大。以國內 PAG 對應的化學放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量
2022-11-18 10:07:432574
2574晶圓上繪制電路光刻工藝的基本步驟
光刻膠經曝光后，其化學性質會發生改變。更準確地說，經曝光后，光刻膠在顯影液中的溶解度發生了變化：曝光后溶解度上升的物質稱作正性（Positive）光刻膠，反之則為負性（Negative）光刻膠。
2023-01-31 15:59:491222
1222全面解讀光刻膠工藝制造流程
光刻膠可以通過光化學反應，經曝光、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上。依據使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775
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EUV光刻膠開發面臨哪些挑戰？
EUV光刻膠材料是光敏物質，當受到EUV光子照射時會發生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰方面發揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩定性。
2023-09-11 11:58:42349
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半導體制造領域光刻膠的作用和意義
光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環節關鍵耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。
2023-10-26 15:10:24360
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半導體關鍵材料光刻膠市場格局發展現狀
生產光刻膠的原料包括光引發劑（光增感劑、光致產酸劑幫助其更好發揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138
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光刻膠黏度如何測量？光刻膠需要稀釋嗎？
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571
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西隴科學9天8板，回應稱“未生產、銷售光刻膠”
20日，西隴科學（株）發布公告稱，該公司沒有生產銷售礦產品。公司生產及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315
315不僅需要***，更需要光刻膠
為了生產高純度、高質量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監測也是至關重要的控制環節。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢
2023-11-27 17:15:48550
550光刻膠國內市場及國產化率詳解
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣 泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。
2023-11-29 10:28:50284
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光刻膠價格上漲，韓國半導體公司壓力增大
光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36409
409勻膠速度影響光刻膠的哪些性質？
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？
2023-12-15 09:35:56442
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光刻膠分類與市場結構
光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346
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2023年中國光刻膠行業市場前景及投資研究報告
光刻膠產業鏈轉移。01光刻膠定義光刻膠，也被稱為“光致抗蝕劑”，是一種用于光刻的載體介質，它可以利用光化學反應將光信息在光刻系統中經過衍射和過濾后轉化為化學能，從而
2024-01-19 08:31:24340
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關于光刻膠的關鍵參數介紹
與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。
2024-03-20 11:36:50200
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工商網監
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