2022 年 6 月 23 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換
2022-06-24 09:57:45
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ST擴(kuò)大采用第六代STripFET?技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列，為設(shè)計(jì)人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。
2011-06-20 09:02:43900 for STemWin V1.7兩個(gè)版本，將加速您的嵌入式軟件開發(fā)中，助您一臂之力。或直接聯(lián)系意法半導(dǎo)體銷售或市場(chǎng)代表，意法半導(dǎo)體將盡所能為您服務(wù)。順祝商祺!朱利安意法半導(dǎo)體南亞暨大中國(guó)區(qū)微控制器事業(yè)部高級(jí)總監(jiān)
2013-09-11 16:23:48
SOP-8 DFN3*3封裝mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開啟低結(jié)電容】惠海半導(dǎo)體--中低
2020-11-12 09:52:03
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-12-01 15:57:36
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng) 100V 3A MOS管 替代SI2328DS，mos原廠，庫存現(xiàn)貨熱銷100V MOS管 參數(shù)：100V 3ASOT-23MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海半導(dǎo)體
2020-11-20 13:54:17
惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-09-25 15:55:42
MOS管,100V 3A/5A/8ARGB調(diào)光MOS管.惠海半導(dǎo)體專業(yè)銷售100V MOS管，中低壓MOS管，原裝正品，庫存現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！100V MOS管 高品質(zhì)高性價(jià)比！100V/3A MOS管
2020-11-02 15:15:36
MOS管，100V/15A MOS管，100V/40A MOS管大量現(xiàn)貨。100V MOS管100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管：HN0501100V MOS管100V 8
2021-05-08 15:10:13
MOS管,100V 3A/5A/8ARGB調(diào)光MOS管.惠海半導(dǎo)體專業(yè)銷售100V MOS管，中低壓MOS管，原裝正品，庫存現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！100V MOS管 高品質(zhì)高性價(jià)比！100V/3A MOS管
2020-11-30 16:16:20
惠海半導(dǎo)體主營(yíng)SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等封裝產(chǎn)品型號(hào)：HG160N10L參數(shù)：100V8A，類型：N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，內(nèi)阻130mR，封裝：貼片
2020-11-13 14:19:10
HC240N10LS參數(shù)：100V 3A SOT23-3N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海半導(dǎo)體型號(hào)：HC240N10LSVDS：100V IDS：3ARDS(on)Max：215mΩ封裝
2020-10-09 16:45:54
MOS管,100V 3A/5A/8ARGB調(diào)光MOS管.惠海半導(dǎo)體專業(yè)銷售100V MOS管，中低壓MOS管，原裝正品，庫存現(xiàn)貨，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！100V MOS管 高品質(zhì)高性價(jià)比！100V/3A MOS管
2020-11-12 16:25:57
100V音頻輸入優(yōu)先級(jí)輸出電路100V音頻輸入，它是優(yōu)先級(jí)比其他的音頻輸入（麥克風(fēng)）要高，這個(gè)有解決方案嗎？就是當(dāng)100V音頻輸入和麥克風(fēng)同時(shí)插入，音頻輸出是輸出100V音頻輸入的音頻，這個(gè)有人做過
2019-11-15 18:29:38
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學(xué)習(xí)了無源元件，今天我們接著來復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
非常復(fù)雜，尤其是其最核心的微型單元——成千上萬個(gè) 晶體管 。我們就來為大家詳解一下半導(dǎo)體芯片集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。一般的，我們用從大到小的結(jié)構(gòu)層級(jí)來認(rèn)識(shí)集成電路，這樣會(huì)更好理解。01系統(tǒng)級(jí)我們還是以手機(jī)為例
2020-11-17 09:42:00
`意法半導(dǎo)體 STM32Nuleo 核心板感謝 意法半導(dǎo)體 提供大賽用開發(fā)板數(shù)據(jù)下載STM32 Nucleo 核心板是ST為用戶全新設(shè)計(jì)的開放式開發(fā)平臺(tái)，為用戶提供了經(jīng)濟(jì)、靈活的途徑，用于快速驗(yàn)證
2015-05-04 16:04:16
請(qǐng)問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個(gè)型號(hào)，謝謝
2022-05-16 23:20:58
中國(guó)，2018年8月27日——意法半導(dǎo)體的STSPIN830 和 STSPIN840單片電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成靈活多變的控制邏輯電路和低導(dǎo)通電阻RDS（ON）的功率開關(guān)管，有助于簡(jiǎn)化7V-45V工作電壓
2018-08-29 13:16:07
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
意法半導(dǎo)體的STM32 F0系列 MCU集實(shí)時(shí)性能、低功耗運(yùn)算和STM32平臺(tái)的先進(jìn)架構(gòu)及外設(shè)于一身。STM32F0x0超值系列微控制器在傳統(tǒng)8位和16位市場(chǎng)極具競(jìng)爭(zhēng)力，并可使用戶免于不同架構(gòu)平臺(tái)
2020-09-03 14:59:55
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-2 15:21 編輯
意法半導(dǎo)體的STM32F1系列主流MCU滿足了工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)類市場(chǎng)的各種應(yīng)用需求。憑借該產(chǎn)品系列，意法半導(dǎo)體在全球Arm
2020-09-02 15:20:26
事故發(fā)生。 STTS75系列傳感器現(xiàn)已投入量產(chǎn)，封裝采用SO-8和MSOP8 (TSSOP8)，訂貨1000件及以上，單價(jià)為0.70美元。樣片接受訂購(gòu)。 關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST） 意法半導(dǎo)體
2018-10-26 16:17:02
功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴(kuò)大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。協(xié)議內(nèi)容保密，不對(duì)外披露。 相關(guān)新聞MACOM和意法半導(dǎo)體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場(chǎng)
2018-02-28 11:44:56
13日 – 針對(duì)重要的醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體采用其經(jīng)過驗(yàn)證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數(shù)字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
服務(wù)提供商 Sigfox宣布一項(xiàng)技術(shù)合作協(xié)議，以支持并提高市場(chǎng)對(duì)各種應(yīng)用互聯(lián)設(shè)備的需求，包括供應(yīng)鏈管理、樓宇和設(shè)備維護(hù)、水和燃?xì)庥?jì)量、安保、交通、農(nóng)業(yè)、礦業(yè)和家庭自動(dòng)化。意法半導(dǎo)體的開發(fā)工具將整合
2018-03-12 17:17:45
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款超低噪聲的寬帶運(yùn)算放大器芯片TSH300，該芯片是為高端工業(yè)設(shè)備、醫(yī)療及儀表應(yīng)用專門設(shè)計(jì)。對(duì)于一個(gè)采用SOT23-5或SO-8微型封裝的寬帶
2018-10-25 17:08:42
鼓勵(lì)其他大學(xué)的教授改編補(bǔ)充這套課程。 這套由8個(gè)自定進(jìn)度的教程組成的入門課程圍繞意法半導(dǎo)體的SensorTile設(shè)計(jì)。SensorTile是一個(gè)獨(dú)一無二的具有物聯(lián)網(wǎng)功能的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng)，集成在一個(gè)只有
2018-02-09 14:08:48
還有豐富的功能，能夠評(píng)測(cè)最新一代高分辨率工業(yè)級(jí)MEMS傳感器，例如，意法半導(dǎo)體最近推出具16位加速度計(jì)輸出和 12位溫度輸出的IIS3DHHC 三軸低噪加速度計(jì)。在開啟項(xiàng)目前，用戶先將目標(biāo)傳感器模塊插入
2018-05-22 11:20:41
ASIL)? 整合精確定位和傳感器數(shù)據(jù)，提高系統(tǒng)性能、安全性和可靠性，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)中國(guó)，2018年3月8日—— 為讓自動(dòng)駕駛更安全，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體
2018-03-09 14:00:29
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國(guó)，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
(STEVAL-LDO001V1)搭載1個(gè)STLQ020和3個(gè)其它型號(hào)低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，售價(jià)9.68美元。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布世界領(lǐng)先的防水壓力傳感器，首張訂單來自三星高性能穿戴式產(chǎn)品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
Enedis 智能市政設(shè)施規(guī)范），以便縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。STSAFE-J100 繼承了意法半導(dǎo)體在電子政務(wù)、交通運(yùn)輸、銀行業(yè)務(wù)和消費(fèi)者項(xiàng)目中強(qiáng)大、友善，硬件數(shù)字安全方面的成功優(yōu)勢(shì)，每年提供超過 10 億
2018-06-04 11:18:59
達(dá)到40多個(gè)，覆蓋意法半導(dǎo)體8位和32位微控制器全系產(chǎn)品的所有性能、功耗和存儲(chǔ)器組合。產(chǎn)品創(chuàng)建過程順暢、靈活，連到開源硬件社區(qū)方便快捷，隨時(shí)隨意調(diào)整或優(yōu)化軟硬件，這些優(yōu)點(diǎn)有助于消除項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)，并最大
2018-09-12 16:06:37
中國(guó)，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
`中國(guó)，2018年6月22日——意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
新聞意法半導(dǎo)體推出直觀的固件開發(fā)工具，加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設(shè)計(jì)進(jìn)程意法半導(dǎo)體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設(shè)計(jì)變得更快捷意法半導(dǎo)體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機(jī)一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
`中國(guó)，5月28日—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供貨商意法半導(dǎo)體（ STMicroelectronics ，簡(jiǎn)稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發(fā)布 了2018 年可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
` 本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-11 16:17 編輯
中國(guó)，2018年6月8日——意法半導(dǎo)體的EVALSP820-XS電機(jī)驅(qū)動(dòng)板將意法半導(dǎo)體工業(yè)控制專長(zhǎng)充分運(yùn)用
2018-06-11 15:16:38
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測(cè)定VBE的初始值VBE1對(duì)晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測(cè)定VBE2從這個(gè)結(jié)果得出△VBE
2019-04-09 21:27:24
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS場(chǎng)效應(yīng)IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào) 反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數(shù) 特征頻率 管子
2021-05-12 07:02:49
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
型號(hào)的晶體管。 5．開關(guān)三極管的選用小電流開關(guān)電路和驅(qū)動(dòng)電路中使用的開關(guān)晶體管，其最高反向電壓低于100V，耗散功率低于1W，最大集電極電流小于1A，可選用3CK3、3DK4、3DK9、3DK12等
2012-01-28 11:27:38
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱為晶體管，而單極型晶體管簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
(max)。(假設(shè)1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測(cè)定VBE的初始值VBE1對(duì)晶體管輸入功率，使PN結(jié)熱飽和VBE的后續(xù)值：測(cè)定VBE2從這個(gè)結(jié)果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
; 晶體管，本名是半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。輸入級(jí)和輸出
2010-08-12 13:57:39
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯(lián)合宣布，將在意法半導(dǎo)體的ST Telemaco3P STA1385車載信息
2018-11-05 14:09:44
無法打開所有高端晶體管。 我使用的晶體管是IRFB4310ZPBF（hexfet功率mosfet，Vdss-100V，Ids -120 A，Rds-5mOhm，Qg-170nC） 與Eval 6480
2018-11-19 10:15:18
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場(chǎng)上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時(shí)間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，意法半導(dǎo)體近場(chǎng)通信（NFC）技術(shù)將助力TCL通訊新發(fā)布的Alcatel 3V智能手機(jī)。該手機(jī)目前僅面向歐洲市場(chǎng) 。Alcatel 3V智能手機(jī)
2018-06-11 15:22:25
的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與世界領(lǐng)先的獨(dú)立定位技術(shù)專家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半導(dǎo)體STM32* 開放式開發(fā)
2018-09-07 11:12:27
整合了意法半導(dǎo)體的先進(jìn)產(chǎn)品，包括STCOMET智能電表系統(tǒng)芯片、智能電表研發(fā)專長(zhǎng)，與Velankani的工業(yè)制造能力和引領(lǐng)印度向先進(jìn)智能電表基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的愿景。這些基于STCOMET的G3 PLCTM
2018-03-08 10:17:35
`?新型低噪3軸加速度計(jì)，為工業(yè)傾角計(jì)廠商提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的高精度傳感器解決方案?新產(chǎn)品屬于意法半導(dǎo)體10年供貨承諾計(jì)劃之列?2018年將推出更多的高精度、高穩(wěn)定性的工業(yè)級(jí)傳感器 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域
2018-05-28 10:23:37
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管（bipolar transistor）指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
ST意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體擁有48,000名半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)造者和創(chuàng)新者，掌握半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和先進(jìn)的制造設(shè)備。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，意法半導(dǎo)體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發(fā)
2022-12-12 10:02:34
與工業(yè)電腦應(yīng)用展覽會(huì)(2018年2月27日27 – 3月1日，德國(guó)紐倫堡)意法半導(dǎo)體展臺(tái)上展出。相關(guān)新聞奇手(Qeexo)和意法半導(dǎo)體(ST)共同推進(jìn)原始設(shè)備廠商（OEM）采用奇手
2018-02-06 15:44:03
的停止模式下、以34μA典型的功耗實(shí)現(xiàn)性能和節(jié)電的獨(dú)特結(jié)合。而超值系列在功能上與其他系列產(chǎn)品并沒有多大差別，在經(jīng)濟(jì)方面是劃算的。2.
意法半導(dǎo)體STM32
F0入門
級(jí)簡(jiǎn)介及資料！！這里為什么要給大家?guī)?/div>
2020-09-03 22:34:17
的STM32F1系列主流MCU滿足了工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)類市場(chǎng)的各種應(yīng)用需求。憑借該產(chǎn)品系列，意法半導(dǎo)體在全球ARM? Cortex?-M內(nèi)核微控制器領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，同時(shí)樹立了嵌入式應(yīng)用歷史上的里程碑。該系列在
2020-09-02 19:02:21
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場(chǎng)效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，超低內(nèi)阻，結(jié)電容小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體主營(yíng)20-150V系列中低壓NMOS管場(chǎng)效應(yīng)管封裝制造、研發(fā)、生產(chǎn)
2020-09-23 09:42:17
小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越, 惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V系列中低壓NMOS管場(chǎng)效應(yīng)管封裝制造、研發(fā)、生產(chǎn)、銷售主營(yíng)SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等
2020-10-10 14:10:51
的作用相當(dāng)于一個(gè)二極管D。國(guó)產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號(hào)有BT31、BT32、BT33、BT35等多種。其中B表示半導(dǎo)體，T表示特種管，3表示電極數(shù)，第四個(gè)數(shù)表示耗散功率（分別代表100、200、300和500mW）。 購(gòu)線網(wǎng) gooxian.com專業(yè)定制各類測(cè)試線（同軸線、香蕉頭測(cè)試線，低噪線等）
2018-01-09 11:39:27
法半導(dǎo)體的SLLIMM-nano產(chǎn)品家族新增兩種不同的功率開關(guān)技術(shù)： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內(nèi)置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場(chǎng)截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
甚至失去放大作用。晶體管的頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT和最高振蕩頻率fM等。1．特征頻率fT晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα?xí)r，其電流放大系數(shù)β值將隨著頻率的升高而下降。特征頻率是指β值降為
2012-07-11 11:36:52
，這反過來又使耗盡層盡可能小，從而通過我們的晶體管的最大電流流動(dòng)。這使得晶體管開關(guān)導(dǎo)通。 圖2顯示了飽和區(qū)域特性。 圖2.飽和區(qū)域特征 輸入基極電流和輸出集電極電流為零，集電極電壓處于最大值
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
2018年世界移動(dòng)大會(huì)(MWC)-上海 (6月27-29日)。圍繞“意法半導(dǎo)體，與智能同在”的主題，意法半導(dǎo)體將展示其用于物聯(lián)網(wǎng)連接與云服務(wù)、安全與工業(yè)、傳感與數(shù)據(jù)處理以及智能駕駛方面的先進(jìn)產(chǎn)品和解
2018-06-28 10:59:23
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-02 15:36:23
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計(jì)算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號(hào)列表，其中ST意法半導(dǎo)體的32位微控制器STM32F091CCT6的燒錄已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺(tái)AP8000所支持
2023-02-28 16:51:49
等效的提高開關(guān)速度的方法，較小R1值也會(huì)加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關(guān)速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數(shù)字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導(dǎo)體工程師，因?yàn)橄旅嬉粋€(gè)molding工程師要辭職，繼續(xù)補(bǔ)充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
100GHz以上。 電子管是利用靜電場(chǎng)對(duì)電子流的控制來工作的，是電壓控制元件，與MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號(hào)只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導(dǎo)體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
輸入信號(hào)4MHz,我想得到輸出幅度100V，4M的信號(hào)，想用運(yùn)放+晶體管搭建或者M(jìn)OS管，不知道可行不，急。 拜謝！！(之前本打算用PA98，它有100M的GBW,結(jié)果仿真的時(shí)候發(fā)現(xiàn)上了2M以上的信號(hào)，出來后就失真了……）
2015-11-05 19:56:46
輸入信號(hào)4MHz,我想得到輸出幅度100V，4M的信號(hào)，想用運(yùn)放+晶體管搭建或者M(jìn)OS管，不知道可行不，急。 拜謝！！(之前本打算用PA98，它有100M的GBW,結(jié)果仿真的時(shí)候發(fā)現(xiàn)上了2M以上的信號(hào)，出來后就失真了……）
2019-07-09 04:36:16
STM32F103C8T6,中密度性能,2個(gè)ADC、9個(gè)通信接口,ST意法半導(dǎo)體處理器
2023-02-17 11:55:11
Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392203 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431044 中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 已全部加載完成
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