項工作中，使用光刻和蝕刻技術將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:58
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` 深度學習不但使得機器學習能夠實現眾多的應用，而且拓展了人工智能的領域范圍，并使得機器輔助功能都變為可能。其應用領域正在加速滲透到很多領域，也催生了深度學習與其它應用技術的加速融合，為提升一線
2017-03-22 17:16:00
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
3.晶圓的處理—微影成像與蝕刻
2012-08-01 23:27:35
34420A 納伏/微歐表技術資料
2019-05-21 16:12:22
分析一份介紹【5G特色技術之網絡切片技術】的PPT，需要的朋友下載附件
2019-11-14 16:55:24
微電網的控制技術是在微電網研究領域當中一個重要的技術方向，作為專業的新能源科技有限公司之一。南京研旭致力于微電網領域的理論研究以及產品研發多年，因此，特在本文內就微電網的控制技術相關信息來進行介紹
2018-09-20 11:27:45
微電網的孤網運行和并網運行模式上，探討了微電網的運行、控制盒保護技術，主要研究內容涉及三個方面：①微電網并網技術的研究，內容包括微電網運行對接入配電網的影響研究；②微電網機組并網技術與方式、微電網協調
2019-04-10 22:53:17
`直播鏈接：http://t.elecfans.com/live/572.html直播簡介：以全自主研發國產EMI設備生產商的視角，從測量儀器內部原理出發，為大家解讀EMI測試。直播內容大綱
2018-10-08 14:17:41
不同的應用通常依賴于不同的協議，而不同的協議都有其特殊的指紋，這些指紋可能是特定的端口、特定的字符串或者特定的Bit 序列。基于“特征字”的識別技術通過對業務流中特定數據報文中的“指紋”信息的檢測以確定業務流承載的應用。
2020-03-25 09:02:24
深度學習應用在測量與測繪技術
2019-05-16 17:21:50
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
硅技術引領汽車設計時代現代汽車中的半導體技術和產品正在迅猛增加，消費者對附加功能的需求正將汽車從一個以電氣系統為輔的機械系統，變成一個沒有電子系統就無法正常運行的機電系統。這一發展趨勢刺激了市場對優質、強大并具有成本效益的硅解決方案的需求。
2009-12-11 16:07:32
光子集成電路(PIC)是一項新興技術，它基于晶態半導體晶圓集成有源和無源光子電路與單個微芯片上的電子元件。硅光子是實現可擴展性、低成本優勢和功能集成性的首選平臺。采用該技術，輔以必要的專業知識，可
2017-11-02 10:25:07
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
（華中科技大學 a.材料學院；b.微系統中心, 武漢430074）摘 要：討論了將成為21世紀電子制造領域的核心科學與技術的納電子封裝的基本概念以及由其產生的驅動力。闡述了納電子封裝的研究內容和納
2018-08-28 15:49:18
利用準分子納秒激光誘導的細長須狀結構和飛秒激光輻照下產生的具有表面枝蔓狀納米結構的錐形微結構。實驗結果表明,這種尖峰微結構的形成與輻照激光的波長和脈沖持續時間有關。對空氣中微構造硅的輻射反射的初步研究
2010-04-22 11:41:53
、氫氟酸系、硫酸鹽系、硫酸系、堿性氯化銅和酸性氯化銅系。蝕刻開始時，金屬板表面被圖形保護，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進行。當金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側出現新的金屬面，這時蝕刻液
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
AR增強現實技術解讀
2021-01-26 06:29:13
EMC技術：基礎概念到應用的解讀？|深圳比創達電子電磁兼容性（Electromagnetic Compatibility，簡稱EMC）作為一項重要的技術領域，在現代電子設備中扮演著至關重要的角色
2024-03-11 11:59:06
概覽高端設計工具為少有甚是沒有硬件設計技術的工程師和科學家提供現場可編程門陣列(FPGA)。無論你使用圖形化設計程序，ANSI C語言還是VHDL語言，如此復雜的合成工藝會不禁讓人去想FPGA真實
2019-07-29 08:12:26
為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術上的突破。
2019-06-26 06:14:34
批量微加工主條目：批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整個厚度用于構建微機械結構。[18]使用各種蝕刻工藝來加工硅。玻璃板或其他硅片的陽極鍵合可用于添加三維尺寸的特征并進
2021-01-05 10:33:12
的厚度對電路圖形的導線密度有著重要影響。銅箔薄，蝕刻時間短，側蝕就很小；反之，側蝕就很大。所以，必須根據設計技術要求和電路圖形的導線密度及導線精度要求，來選擇銅箔厚度。同時銅的延伸率、表面結晶構造等
2018-09-11 15:19:38
的RFID標簽耐用年限為十年以上。 按照美國護照案（e-passport）要求，其tag之耐用年限基本要求為十年以上，必須采用蝕刻技術制造。以下簡單介紹繞線、印刷二種技術的特點和差異。
2019-06-26 06:17:24
exe：exe程序之斐波納契時鐘設計
2018-12-26 11:14:48
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數。我們展示了一種從單晶硅創建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個蝕刻步驟中的第一個用于確定蝕刻深度，它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
`技術解讀（框架、場景案例解讀）`
2021-06-04 17:12:32
材料，將常規集成電路工藝和微機械加工獨有的特殊工藝相結合，全面繼承了氧化、光刻、擴散、薄膜、外延等微電技術，還發展了平面加『[技術、體硅腐蝕技術、固相鍵合技術、LIGA技術等，應用這些技術手段制造出層
2019-08-01 06:17:43
隨著奇駿、天籟等換代新車型的投放市場，日產在國產新車型上也投入了更多的安全技術，這些安全技術提升車輛的主被動安全性的同時，也為行人、其他車輛等交通參與者提供了更好的安全環境，可謂武裝到了“腳趾”。
2020-04-29 06:55:44
關于超短脈沖激光微加工技術你想知道的都在這
2021-06-15 09:31:20
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻。 由于噴灑蝕刻的產量和細紋分辨率高，因此它是應用最為廣泛的一項技術。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
適用范圍 印制線路板制造業發達地區集中開展含銅蝕刻廢液綜合利用。 主要技術內容 一、基本原理 將印制線路板堿性蝕刻廢液與酸性氯化銅蝕刻廢液進行中和沉淀，生成的堿式氯化銅沉淀用于生產工業級硫酸銅；沉淀
2018-11-26 16:49:52
——工業機器人的智能化程度要求也越來越高，采用深度學習技術為工業機器人賦能是目前各大廠商的統一認知。本文結合實際案例，簡要說明一下智能機器人的實現流程。一、智能機器人概念 人工智能技術，其主要作用就是用
2018-05-31 09:36:03
的阻抗匹配范圍、優化性能以及架構選擇，所以為PA設計提供了很大靈活性。但如何滿足WiMAX基站系統對PA的高輸出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文討論的基于硅LDMOS技術的RFIC具有足夠輸出功率，能
2019-06-25 06:55:46
當前MEMS技術在傳感器領域已得到廣泛應用并取得了巨大成功。使用硅基微機械加工方法制作的微傳感器不僅體積小，成本低，機械牲好，并且能方便地與IC集成。形成復雜的微系統。
2011-03-22 17:44:34
。 體微加工采用各向異性蝕刻技術，切割硅晶圓或石英晶圓，從而創造出結構。 結構的特性尺寸由晶圓厚度以及蝕刻角度確定。 諸如晶圓鍵合等工藝可用來削減晶圓厚度，但哪怕采用了這項先進的工藝，加速度計傳感器尺寸
2018-10-15 10:33:54
本文將介紹和比較在硅光電子領域中使用的多種激光器技術，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術。我們還會深入探討用于各種技術的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進硅光子技術廣泛普及的過程中發揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
尋求手機顯示觸摸技術的高手！做手機觸摸方案！電話微信13828804123
2016-04-04 16:51:55
晶片與工作臺面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳。 為了克服現有技術的不足，本發明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
隨著汽車電子技術的飛速發展，傳統的車用機械儀表盤已呈現出向數字儀表過度的趨勢，與之對應的全部功能顯示也將被渲染后的高清畫面所取代。而引起這一巨大變革的根源，卻是一個只有一元硬幣大小的集成電子芯片--圖形儀表盤MCU（圖形儀表盤微控制單元），今天我們就以之為題為您講述汽車儀表變革背后的故事。
2019-07-09 06:03:04
LOC（芯片級實驗室）整合了多種化學處理和分析技術，用硅、玻璃、多晶硅材料加工制作，由于玻璃的性能比較穩定，一般傾向于使用玻璃襯底，要解決的技術是廉價光源、檢測陣列和集成電子電路。微流體技術則指
2019-06-19 08:27:12
浙江大學微納研究與制造中心公開招聘全職“求是特聘專家” 浙江大學微納研究與制造中心（微納中心）是一個校級公共實驗平臺，中心橫跨信電、電氣、光電、物理、機械、材料六大學院，擁有各類超凈面積約1200
2016-10-19 14:17:40
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
參考設計方案到整機開發的全方位支持，真正為中國電子信息產業提供底層技術驅動和支持。下面介紹的是關于靈動微ARM Cortex內核測試向量生成的相關技術
2020-12-15 07:00:21
電池與用戶之間的紐帶--電池管理系統技術解讀電池管理系統，簡稱BMS。BMS一般是一個整體系統中的一個子系統，它直接檢測及管理儲能電池工作的全過程，包括電池充放電過程管理、電池溫度檢測、電池電壓
2014-06-12 10:03:17
針對“電源IC技術規格的解讀方法”，我們已經說明了“技術規格的封面”、“框圖”、“絕對最大額定和推薦工作條件”、“電氣特性的要點”、“特性圖表、波形的看圖方法”以及“應用電路例”。本項接著舉例說明
2018-11-28 14:40:10
OpenHarmony官方社群直播間帶來干貨分享《OpenHarmony標準系統多媒體子系統之視頻解讀》，他將為大家介紹OpenHarmony多媒體視頻子系統整體框架，以及代碼結構、視頻播放功能代碼等內容。長按下方海報掃碼，即可預約直播哦~
2022-05-18 10:16:04
芯片封裝鍵合技術各種微互連方式簡介微互連技術簡介定義：將芯片凸點電極與載帶的引線連接，經過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發、生產及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:26:21
表面硅MEMS加工技術是在集成電路平面工藝基礎上發展起來的一種MEMS工藝技術，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結構。什么是表面硅MEMS加工技術？表面硅MEMS加工技術先在
2018-11-05 15:42:42
其導通角，就可以改變其輸出電壓有效值，從而實現調光功能。除了可控硅以外，還有晶體管前沿、后沿調光技術等，基本原理都差不多。2、可控硅調光的缺點和問題 在用可控硅調光時，還是會存在如下的一系列問題
2016-12-16 18:42:52
大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術編寫。 “單片和下一代堆疊硅互連（SSI）技術”是什么意思？謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55
怎樣通過ASV技術去生成準確的3D深度圖？采用艾邁斯半導體的ASV技術有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
深入解讀阿里云數據庫POLARDB核心功能物理復制技術
2020-06-02 10:16:29
一種改良過的適用于生產超精密板的蝕刻技術 Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:152143
印制線路板的蝕刻技術
2009-09-08 14:53:52475 
印制電路板的蝕刻設備和技術
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212165 超細線蝕刻工藝技術介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術，但SOC并不能解決所有系統集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 手機射頻技術和手機射頻模塊解讀
2017-01-12 21:57:34
66 本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途，其次闡述了蝕刻機的配件清單，最后介紹了蝕刻機的技術參數及應用。
2018-04-10 14:38:324724 CIDI究竟是如何運用V2X技術，做到車路云協同的呢？本文為大家帶來CIDI V2X技術的深度解讀。
2019-02-05 09:08:005503 側蝕問題是蝕刻參數中經常被提出來討論的一項，它被定義為側蝕寬度與蝕刻深度之比， 稱為蝕刻因子。
2019-09-02 10:17:391755 深度反應離子刻蝕或DRIE是一種相對較新的制造技術，已被MEMS社區廣泛采用。這項技術可以在硅基板上執行非常高的縱橫比蝕刻。蝕刻的孔的側壁幾乎是垂直的，并且蝕刻深度可以是進入硅襯底的數百甚至數千微米。
2020-04-12 17:24:002592 
隨著全球電子產品市場的需求升級和快速擴張，電子產品的小型化、高精密、超細線路印制電路板技術正進入一個突飛猛進的發展時期。為了能滿足市場不斷提升的需求，特別是在超細線路技術領域，傳統落后的蝕刻技術正被
2022-12-26 10:10:331691 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學反應而移除多余材料的技術。PCB線路板生產加工對蝕刻質量的基本要求就是能夠將除抗蝕層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031019 
50個典型電路實例深度解讀
2022-02-07 11:47:580 我們華林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產生了光滑的高質量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁本工作采用光刻和刻蝕技術對晶圓進行深度刻蝕，使晶圓厚度小于20μm。 關鍵詞:IBC太陽能電池，掩模蝕刻，光刻，反應離子蝕刻，TMAH蝕刻 介紹 太陽能顯示出供應潛力，這個因素取決于對高效率光伏器件和降低制造成本的需求
2022-02-23 17:43:37748 
在半導體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創建該材料的圖案的技術。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義，其創建過程在光刻中有詳細描述。一旦掩模就位，就可以通過濕化學或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護的材料。圖1顯示了該過程的示意圖。
2022-03-10 13:47:364332 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應該根據用途具有特定的深度。產生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率
2022-03-16 16:31:581136 
本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
關于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應機制，以Si為例，以基礎現象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工，而且是通過研磨和研磨等機械
2022-04-06 13:31:254185 
本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術提供了優于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05261 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應該根據用途具有特定的深度。產生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時間和蝕刻速率
2022-04-20 16:11:571973 
本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術提供了優于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39366 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應器中研究了硅結構的深且窄的各向異性蝕刻。我們華林科納以前已經證明了這種技術在這種結構上的可行性。已經研究了蝕刻速率和輪廓的改進，并且新的結果顯示
2022-05-11 15:46:19730 
高效交錯背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，以提供足夠的家庭消費能源。我們認為，即使在20μm的厚度下，借助光捕獲方案，適當鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項工作中，光刻和蝕刻技術被用于對厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:260 金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 智能汽車是指集成了各種先進技術的智能化交通工具，它不僅具有駕駛輔助和自動駕駛功能，還能實現智能聯網、智能感知和智能互動等多種功能。而車載傳感器作為智能汽車的重要組成部分，其標定技術也顯得尤為重要。本文將深度解讀智能汽車車載傳感器標定技術，包括標定技術的定義、分類、意義及其實現方法等方面。
2023-06-02 10:56:531665 關鍵詞：氫能源技術材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39260 
EMC技術：基礎概念到應用的解讀？|深圳比創達電子
2024-03-11 11:55:0555 
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