化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）在半導(dǎo)體工業(yè)內(nèi)部得到了廣泛的應(yīng)用，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）加工處理的質(zhì)量不僅要通過最終的表面平面度，而且也要通過拋光時人為造成缺陷的程度來評價，這些人為造成的缺陷包括：1）碟形
2020-07-30 17:55:16
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CMP 建模有很長的歷史，包括單材料和雙材料拋光的建模，以及眾多沉積和蝕刻工藝的建 模 ［6］。
2021-01-30 12:55:245328 
高密度IC器件涉及互連的多層堆疊。化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝為光刻需求提供了晶圓上的平滑表面，已成為半導(dǎo)體制造中獲得高良率的關(guān)鍵工藝。
2021-01-27 10:36:352340 
半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線材料受到關(guān)注。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）和之后的清洗是Cu布線形成中不可缺少的過程，CMP中使用的漿料、清洗液的性能在很大程度上左右了布線的形成。
2022-04-26 14:07:521273 
在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續(xù)推進(jìn)之時，CMP技術(shù)應(yīng)運而生，是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。傳統(tǒng)的機(jī)械拋光和化學(xué)拋光去除速率均低至無法滿足
2023-02-03 10:27:053660 
經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯(lián)結(jié)前端和后端工藝以解決前后兩個工藝
2023-05-12 12:39:18764 
經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯(lián)結(jié)前端和后端工藝以解決前后兩個工藝
2023-05-22 12:44:23691 
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06361 
材料 去除的影響。重點綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時從工藝條件、加工效果、加工特點及去除機(jī)理 4 個方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，最后對碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來發(fā)展方向進(jìn)行了展望，并對今后研究的側(cè)重點提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36432 
UG編程基本操作及工藝介紹分析本章主要介紹UG編程的基本操作及相關(guān)加工工藝知識，讀者學(xué)習(xí)完本章后將會對UG編程知識有一個總體的認(rèn)識，懂得如何設(shè)置編程界面及編程的加工參數(shù)。另外，為了使讀者在學(xué)習(xí)UG
2021-09-01 06:36:22
性能和速度上同時滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術(shù)是機(jī)械削磨和化學(xué)腐蝕的組合技術(shù) , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學(xué)腐蝕作用在被研磨的介質(zhì)表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術(shù)對于
2023-09-19 07:23:03
機(jī)械制造工藝學(xué)緒論 第一章 概述 第一節(jié) 機(jī)械制造工藝學(xué)的研究對象第二節(jié) 基本概念和定義第二章 工藝規(guī)程的制訂第一節(jié) 毛坯的選擇第二節(jié) 工件的裝夾第三節(jié) 定位基準(zhǔn)的選擇第四節(jié) 工藝路線的擬定第五節(jié)
2008-06-17 11:41:30
機(jī)械加工工藝分析 1 超精度研磨工藝 速加網(wǎng)機(jī)械的加工過程中對于其加工表面的粗糙程度有著嚴(yán)格的要求，如在（1～2）cm應(yīng)保持相同水平的粗糙精度，在傳統(tǒng)的加工工藝中一般采用硅片拋光來達(dá)到這一要求。而
2018-11-15 17:55:38
用磨料、分散劑（又稱研磨液）和輔助材料制成的混合劑，習(xí)慣上也列為磨具的一類。研磨劑用于研磨和拋光，使用時磨粒呈自由狀態(tài)。由于分散劑和輔助材料的成分和配合比例不同，研磨劑有液態(tài)
2008-07-31 09:46:57
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
層壓多層板工藝層壓多層板工藝是目前廣泛使用的多層板制造技術(shù)，它是用減成法制作電路層，通過層壓—機(jī)械鉆孔—化學(xué)沉銅—鍍銅等工藝使各層電路實現(xiàn)互連，最后涂敷阻焊劑、噴錫、絲印字符完成多層PCB 的制造。目前國內(nèi)主要廠家的工藝水平如表3 所列。
2009-05-24 22:58:33
內(nèi)，清洗液必須與元器件、PCB表面、金屬鍍層、鋁鍍層、標(biāo)簽、字跡等材料兼容，特殊部件需考慮能否經(jīng)受清洗。 清洗工藝流程為：入板→化學(xué)預(yù)洗→化學(xué)清洗→化學(xué)隔離→預(yù)漂洗→漂洗→噴淋→風(fēng)切干燥→烘干 2
2021-02-05 15:27:50
(HVPE)、 氨熱生長、和液相外延 (LPE)。 塊狀晶體生長后，晶體經(jīng)歷晶圓加工，包括切割、研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)。機(jī)械加工產(chǎn)生的表面具有密集的劃痕和損壞網(wǎng)絡(luò)。然而，要通過同質(zhì)外延在
2021-07-07 10:26:01
挑戰(zhàn)性。在這項研究中，我們研究了 BCB 的化學(xué)機(jī)械平坦化 (CMP)，以便在這種平坦化的表面上制作超薄粘合層。采用實驗設(shè)計的方法來研究不同的漿料成分、拋光墊和工藝參數(shù)對 BCB 平面化的影響。使用這種
2021-07-08 13:14:11
將全面介紹濕化學(xué)工藝的應(yīng)用以及從這些分析技術(shù)中獲得的數(shù)據(jù)的有用性。這篇論文不僅將涵蓋人們期望通過濕法進(jìn)行的那些測試，例如化學(xué)品中的金屬分析，還將涵蓋濕化學(xué)分析的許多不尋常應(yīng)用，例如它們在評估來自各種
2021-07-09 11:30:18
首先要根據(jù)自己公司的情況來選擇，因為最好的研磨機(jī)是國外進(jìn)口的，價格是國內(nèi)的好幾倍，效果比也不比國內(nèi)高多少，如果是小公司，建議還是用國內(nèi)的研磨機(jī)，如果一定要用國外的，最好先搞個二手的，經(jīng)濟(jì)又實惠。
2019-09-24 09:00:26
的作用：1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進(jìn)行減薄，改善芯片散熱效果。2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。氣相外延爐氣相外延是一種單晶薄層生長方法。是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式，其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)
2018-09-03 09:31:49
的工業(yè)生產(chǎn)。化工生產(chǎn)過程不僅取決于化學(xué)工藝過程，而且與化工機(jī)械裝備密切相關(guān)，化工機(jī)械是化工生產(chǎn)得以進(jìn)行的外部條件，所以先進(jìn)的化工機(jī)械，一方面為化學(xué)工藝服務(wù)，另一方面又促進(jìn)化學(xué)工藝過程的發(fā)展。化工機(jī)械通常
2009-09-16 16:55:59
、液體、粉體）為原料，以化學(xué)處理和物理處理為手段，以獲得設(shè)計規(guī)定的產(chǎn)品為目的的工業(yè)生產(chǎn)。化工生產(chǎn)過程不僅取決于化學(xué)工藝過程，而且與化工機(jī)械裝備密切相關(guān)，化工機(jī)械是化工生產(chǎn)得以進(jìn)行的外部條件，所以先進(jìn)
2009-09-16 17:04:33
的有氧化爐、沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、離子注入機(jī)、清洗機(jī)、化學(xué)研磨設(shè)備等。以上是今日Enroo關(guān)于晶圓制造工藝及半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)分享。
2018-10-15 15:11:22
越來越高，化學(xué)鍍鎳/金、銅面有機(jī)防氧化膜處理技術(shù)、化學(xué)浸錫技術(shù)的采用，今后所占比例將逐年提高。本文將著重介紹化學(xué)鍍鎳金技術(shù)。2 化學(xué)鍍鎳金工藝原理化學(xué)鍍鎳金最早應(yīng)用于五金電鍍的表面處理，后來以次磷酸鈉
2015-04-10 20:49:20
聽人介紹， 電渦流傳感器可以測量研磨機(jī)磨損量？是所有電渦流傳感器都可以測量嗎？
2015-12-09 07:48:07
現(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風(fēng)整平、有機(jī)涂覆、化學(xué)鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。
2021-04-23 06:26:30
電化學(xué)和機(jī)械平坦化技術(shù)的新穎銅平坦化工藝———電化學(xué)機(jī)械拋光（ＥＣＭＰ）應(yīng)運而生，ＥＣＭＰ 在很低的壓力下實現(xiàn)了對銅的平坦化，解決了多孔低介電常數(shù)介質(zhì)的平坦化問題，被譽(yù)為未來半導(dǎo)體平坦化技術(shù)的發(fā)展趨勢
2009-10-06 10:08:07
改善。是絕佳高CP值選擇的MOSFET正面金屬化工藝。接下來，將深入介紹化學(xué)鍍工藝如何進(jìn)行。 一、化學(xué)鍍工藝最重要的起始點-前處理(一)鋁墊的清洗和蝕刻 前處理主要是在進(jìn)行鋁墊的清洗和蝕刻，將鋁墊表面
2021-06-26 13:45:06
AB5型貯氫合金是目前國內(nèi)外MH/Ni電池生產(chǎn)中使用最為廣泛的負(fù)極材料，而貯氫合金的電化學(xué)性能是由合金的成分、微觀結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)決定的。本文綜述了ABs型貯氫合金制備工藝-熔煉、熱處理以及制粉工藝
2011-03-11 11:57:08
定偏心平面研磨均勻性研究:對修正環(huán)形拋光機(jī)CMP過程進(jìn)行運動分析,給出研磨盤上一點相對于工件的速度矢量與軌跡方程.詳細(xì)討論研磨盤上不同位置的點的相對軌跡,通過對相對速
2009-08-08 08:27:38
14 印制電路板化學(xué)鎳/金工藝是電路板表面涂覆可焊性涂層的一種。其工藝是在電路板阻焊膜工藝后在裸露銅的表面上化學(xué)鍍鎳，然后化學(xué)鍍金。該工藝既能滿足日益復(fù)雜的電路板裝
2009-10-17 14:55:0231 綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問題,并對其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:210 PCB化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特性分析
本文主要對PCB表面處理工藝中兩種最常用制程：化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特向進(jìn)行分析。
2009-11-17 13:59:582170 K60(Rev6-Ch35-CMP)(中文)
2016-01-07 16:31:520 BILLERICA， Massachusetts，2016 年 1 月 28 日 – Entegris， Inc. （NASDAQ： ENTG）（一家為先進(jìn)制造環(huán)境提供良率提升材料和相關(guān)解決方案的領(lǐng)先企業(yè)）日前發(fā)布了針對半導(dǎo)體制造的新型化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）后清洗解決方案。
2016-01-29 14:03:52957 著籃內(nèi)的珠子進(jìn)行研磨工藝，分散盤、籃子和專利的內(nèi)置葉片泵輪產(chǎn)生極為有效的基料循環(huán)， 有助在短時間內(nèi)得到最佳的研磨效果。 APS 研磨機(jī)當(dāng) APS 研磨系統(tǒng)和合適的研磨盤組合時， DISPERMAT 實驗室分散機(jī)即可轉(zhuǎn)變成為批量密封式的研磨機(jī)。臥式砂磨機(jī)（d
2017-09-15 14:47:260 6.11 CMP比較指令 1．指令的編碼格式 CMP（Compare）比較指令使用寄存器Rn的值減去operand2的值，根據(jù)操作的結(jié)果更新CPSR中相應(yīng)的條件標(biāo)志位，以便后面的指令根據(jù)相應(yīng)的條件
2017-10-18 13:38:532 化學(xué)鎳金又叫沉鎳金，業(yè)界常稱為無電鎳金（Electroless Nickel Immersion Gold）又稱為沉鎳浸金。本文主要介紹pcb化學(xué)鎳金工藝流程，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-03 14:50:5113571 化學(xué)機(jī)械拋光（chemical mechanical polishing，簡稱CMP）技術(shù)幾乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技術(shù)，可廣泛用于集成電路芯片、計算機(jī)硬磁盤、微型機(jī)械
2018-11-16 08:00:0014 IC主要工藝制程分：光刻（涂膠、曝光、顯影）、離子注入、CVD/PVD、刻蝕、化學(xué)機(jī)械研磨CMP、清洗、擴(kuò)散diffusion等。針對這些工藝，公司有刻蝕、薄膜、擴(kuò)散、清洗四大工藝模塊，包括刻蝕機(jī)、PVD設(shè)備、單片退火設(shè)備、ALD設(shè)備、氧化/擴(kuò)散爐、LPCVD、單片清洗機(jī)以及槽式清洗機(jī)等產(chǎn)品。
2019-04-04 08:43:458994 化學(xué)鎳金簡寫為ENIG，又稱化鎳金、沉鎳金或者無電鎳金，化學(xué)鎳金是通過化學(xué)反應(yīng)在銅的表面置換鈀再在鈀核的基礎(chǔ)上化學(xué)鍍上一層鎳磷合金層，然后再通過置換反應(yīng)在鎳的表面鍍上一層金。目前化鎳金的沉金有置換和半置換半還原混合建浴兩種工藝。
2019-06-11 15:23:2312955 其中，全球晶圓制造材料總營收從330億美元降至328億美元，微幅減少0.4%；晶圓制造材料、制程化學(xué)品、濺射靶材以及化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）的銷售額則較2018年下降超過2%。
2020-04-02 16:48:092906 
CMP設(shè)備為CMP技術(shù)應(yīng)用的載體，為集機(jī)械學(xué)、流體力學(xué)、材料化學(xué)、精細(xì)化工、控制軟件等多領(lǐng)城最先進(jìn)技術(shù)于一體的設(shè)備，一般由檢測系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、拋光墊、廢物處理系統(tǒng)等組成，是集成電路制造設(shè)備中較為復(fù)雜和研制難度較大的設(shè)備之一。
2020-08-20 16:52:206713 
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法，是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。從CMP材料的細(xì)分市場來看，拋光液和拋光墊的市場規(guī)模占比最大。從全球企業(yè)競爭格局來看
2020-09-04 14:08:074875 
就是可研磨的樣品種類多、研磨速度快、研磨均勻，并且能夠有效避免不同樣品研磨產(chǎn)生的交叉污染。 高通量組織研磨儀常用操作步驟： 1、將儀器放置在干燥通風(fēng)的環(huán)境中，插上電源，觀察儀器控制顯示器是否正常亮燈。打開儀器，
2020-10-21 14:54:312131 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法，是集成電路制造過程中實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。
2020-11-02 16:07:401967 實驗室進(jìn)行土壤測試時要對采來的土壤進(jìn)行研磨制樣，其中的取樣方法、土壤研磨方法等都會影響測試結(jié)果。手工研磨比較費時費力，為提高研磨效率可使用儀器進(jìn)行研磨，例如托普云農(nóng)設(shè)計研發(fā)的土壤研磨儀。 土壤研磨
2020-11-10 14:23:421023 罐，可以進(jìn)行干磨、濕磨及冷凍研磨，也可以進(jìn)行細(xì)胞破碎和DNA/RNA提取，在生物醫(yī)藥、農(nóng)業(yè)、地質(zhì)、化工、RoHS、玩具、環(huán)境、質(zhì)檢、高校等各行各業(yè)都有廣泛的應(yīng)用。 高通量組織研磨儀常用操作步驟： 1、將儀器放置在干燥通風(fēng)的環(huán)境
2020-11-11 15:15:592906 研磨。高通量組織研磨儀能夠很好的符合實驗室的要求，研磨速度快。下面我們來一起詳細(xì)地了解下這款儀器吧！ 組織研磨儀具有外觀小巧，低噪音，研磨速度超快，而且研磨得十分充分等優(yōu)點，抒泛應(yīng)用于農(nóng)業(yè)、生物、化學(xué)、塑料、
2020-11-16 13:45:181892 摘要：化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前廣泛采用的幾乎唯一的高精度全局平面化技術(shù)。拋光后表面的清洗質(zhì)量直接關(guān)系到CMP技術(shù)水平的高低。介紹了各種機(jī)械、物理及化學(xué)清洗方法與工藝技術(shù)優(yōu)缺點，指出
2020-12-29 12:03:261548 本發(fā)明的工藝一般涉及到半導(dǎo)體晶片的清洗。更確切地說，本發(fā)明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機(jī)殘留物、金屬雜質(zhì)和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導(dǎo)體晶片
2020-12-29 14:45:211999 組織研磨儀是實驗室樣品制備常用工具，在某些實驗之前，我們一般都是需要對樣品進(jìn)行研磨處理，為了更快更有效的去研磨，而不是通過人工研磨那種耗時低效的方法，我們都會選用儀器研磨。組織研磨儀能夠很好的符合
2021-02-18 14:15:162637 近幾年，隨著農(nóng)業(yè)科技迅速進(jìn)步，市場上出現(xiàn)了各式各樣先進(jìn)儀器，其中組織研磨儀，它是由托普云農(nóng)研發(fā)供應(yīng)的，該儀器是實驗室樣品制備常用工具，在某些實驗之前，我們一般都是小對樣品進(jìn)行研磨處理，為了更快更高
2021-03-02 14:28:094068 半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23111 近幾年，隨著農(nóng)業(yè)科技迅速進(jìn)步，市場上出現(xiàn)了各式各樣先進(jìn)儀器，其中組織研磨儀，它是由托普云農(nóng)研發(fā)供應(yīng)的，該儀器是實驗室中常用的種子研磨儀器，可以為各類研究實驗提供理想的實驗樣品，幫助工作人員進(jìn)一步分析
2021-03-29 14:17:551866 介紹了硅拋光片在硅材料產(chǎn)業(yè)中的定位和市場情況，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)的特點，硅拋光片大尺寸化技術(shù)問題和發(fā)展趨勢，以及硅拋光片技術(shù)指標(biāo)，清洗工藝組合情況等
2021-04-09 11:29:5935 在亞微米半導(dǎo)體制造中，器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)，這幾乎是目前唯一的可以提供在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問題。
2021-04-09 11:43:519 近幾年，隨著農(nóng)業(yè)科技迅速進(jìn)步，市場上出現(xiàn)了各式各樣先進(jìn)儀器，其中組織研磨儀，它是由托普云農(nóng)研發(fā)供應(yīng)的，該儀器為各類研究實驗提供理想的實驗樣品，幫助工作人員進(jìn)一步分析各類樣品的性質(zhì)，獲得準(zhǔn)確地實驗結(jié)構(gòu)
2021-05-10 14:29:201895 在亞微米半導(dǎo)體制造中 ， 器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光 （CMP） 技術(shù) ， 這幾乎是目前唯一的可以提供在整個硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問題。
2021-06-04 14:24:4712 實驗室進(jìn)行土壤測試時要對采來的土壤進(jìn)行研磨制樣，其中的取樣方法、土壤研磨方法等都會影響測試結(jié)果。手工研磨比較費時費力，為提高研磨效率可使用儀器進(jìn)行研磨，例如托普云農(nóng)設(shè)計研發(fā)的土壤研磨儀。 土壤研磨
2021-06-05 16:16:02956 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā) 編號：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
裸光纖研磨鍍膜 裸光纖研磨鍍膜 250um光纖研磨
為了配光纖端面鍍膜工藝，獨立開發(fā)的一套裸光纖端面研磨拋光工藝，基于這個工藝可以獲得超高質(zhì)量的拋光端面，Zygo 干涉儀測量的結(jié)果表明
2021-10-22 09:22:11706 隨著先進(jìn)工藝節(jié)點的尺度微縮和3D IC的縱向延伸，CMP拋光的工藝創(chuàng)新需要在納米尺度材料界面有不斷的認(rèn)知和探索。
2021-11-08 11:36:241126 
(TMAH)和/或螯合劑乙二胺四乙酸(EDTA)，以增強(qiáng)對金屬和有機(jī)污染物的去除。從實驗結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，化學(xué)機(jī)械拋光后的清洗顯著提高了顆粒和金屬的去除效率和電特性。 介紹 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝已成為制造深亞微米集成電路的主流平面化技術(shù)。隨著尺寸的縮小
2022-01-26 17:21:18550 
化學(xué)機(jī)械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學(xué)機(jī)械拋光被引入到平面化層間電介質(zhì)(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級互連的鑲嵌金屬布線中。該工藝適用于半導(dǎo)體加工
2022-01-27 11:39:13662 
晶圓-機(jī)械聚晶(CMP)過程中產(chǎn)生的漿體顆粒對硅晶片表面的污染對設(shè)備工藝中收率（Yield）的下降有著極大的影響。
2022-03-14 10:50:141077 
的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜，包括從微粉化一邊倒到三維化，半導(dǎo)體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化，用于制造的半導(dǎo)體器件和材料的技術(shù)革新還沒有停止。為了解決作為半導(dǎo)體制造工藝之一的CMP
2022-03-21 13:39:083886 
在許多 IC 工藝輔助配件進(jìn)行蝴蝶研磨（背面研磨、研磨），使裝片薄形化，例如：用巧克力蛋糕及智能封裝等。到200~40μm。在珍珠打磨之后，有許多產(chǎn)品需要進(jìn)行工藝，包括：離子布植（離子實現(xiàn)）、熱處理
2022-03-23 14:15:311096 
幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學(xué)機(jī)械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進(jìn)行的。在晶圓鍵合中引入化學(xué)機(jī)械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合，這些材料在集成電路、集成光學(xué)、傳感器和執(zhí)行器以及微機(jī)電系統(tǒng)中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并將發(fā)現(xiàn)更多應(yīng)用。
2022-03-23 14:16:001272 
采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，在半導(dǎo)體工業(yè)中已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過程中，晶圓是當(dāng)被載體
2022-03-23 14:17:511643 
在半導(dǎo)體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中，半導(dǎo)體制造工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光硅等，并將其加工成晶片形狀的工藝（晶片制造工藝
2022-04-20 16:09:4810872 
拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37670 
為224.1元/股，漲幅為63.98%，總市值為239.04億。 華海清科股份有限公司是一家擁有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的高端半導(dǎo)體設(shè)備制造商。公司主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）、研磨等設(shè)備和配套耗材的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，以及晶圓再生代工服務(wù)。 核心團(tuán)隊成員來自海內(nèi)外專業(yè)人才，產(chǎn)品可廣
2022-06-08 16:15:071102 寄存器CMP_CTRLSTS的CMPBLANKING[2：0]位用于選擇比較器消隱窗口的來源，該功能可以用于防止電流調(diào)節(jié)在PWM起始時刻產(chǎn)生的尖峰電流。
2022-09-30 11:37:182943 CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機(jī)、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(End Point)檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。
2022-11-08 09:48:1211578 研磨光纖連接器：將光纖連接器插入研磨機(jī)中，按照研磨機(jī)的操作說明進(jìn)行研磨。通常情況下，需要先使用粗研磨片進(jìn)行粗磨，再使用細(xì)研磨片進(jìn)行細(xì)磨，直到光纖連接器的插芯和插座表面光滑平整。
2023-05-18 18:16:071442 ://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》?
2022-03-01 10:40:56337 
研磨絲桿
2021-10-29 18:01:051024 
在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333572 
CMP 主要負(fù)責(zé)對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183035 
據(jù)漢思化學(xué)了解，隨著封裝尺寸的減小，3c行業(yè)移動電子產(chǎn)品的性能不斷得到擴(kuò)展，從而使堆疊封裝(PoP)器件在當(dāng)今的消費類產(chǎn)品中獲得了日益廣泛的應(yīng)用。為了使封裝獲得更高的機(jī)械可靠性，需要對多層堆疊封裝
2023-07-24 16:14:45545 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407529 
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是晶圓制造的關(guān)鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，價值量較高，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，其品質(zhì)直接影響著拋光效果，因而
2023-08-02 10:59:473417 
實現(xiàn)上下磁芯的電氣連接。而兩部分磁芯點膠形成指定厚度的氣隙。全自動視覺對位磁芯研磨機(jī)用于電源模塊變壓器等產(chǎn)品在PCB板點膠后的磁芯研磨壓平工藝，使膠水均勻分布在磁芯表面，磁感量直通率達(dá)99.6%以上，磁芯
2021-11-22 11:14:211 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過程中，晶圓廠會根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35213 化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢介紹。
2023-11-29 10:05:09349 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點
2023-12-05 09:35:19417 
需要指出的是，CMP 技術(shù)通過化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中，拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光，清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31336 
CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過程。化學(xué)藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光，以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06410 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27548 
CMP設(shè)備供應(yīng)商北京晶亦精微傳來科創(chuàng)板IPO的新動態(tài)，引發(fā)行業(yè)關(guān)注。晶亦精微作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，專注于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供相關(guān)技術(shù)服務(wù)。此次IPO
2024-01-31 14:34:33310
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