PFM為什么是一種比PWM更好的電機控制算法？賽靈思基于PFM算法的電機控制方案到底有何優(yōu)勢？詳見本文分析...
2013-07-23 10:18:56
2089 伺服電機多用于高精尖的控制系統(tǒng)，它具有多樣化智能化的控制方式，并帶有反饋系統(tǒng)，完成閉環(huán)控制。在測功機中，可以進行對拖，伺服電機將控制特性的優(yōu)勢進一步擴大。
2015-11-26 09:31:517008 基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢。
2022-07-27 14:03:561773 
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動了它在多樣化應用中的電源轉(zhuǎn)換使用，例如
2024-04-22 13:51:13925 
國外廠商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實，除了國外的GaN控制芯片，國內(nèi)的GaN控制芯片這幾年發(fā)展得也不錯，特別是今年突如其來的芯片缺貨問題，更是加快了國產(chǎn)GaN控制芯片發(fā)展的步伐，不少之前使用國外控制芯片方案商和終端廠商開始切換到國內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品。
2021-09-03 08:03:006342 效電機的替代已經(jīng)是大勢所趨。 ? 在高效率、高扭矩、低噪音、長壽命、響應快速等優(yōu)勢的加持下，越來越多電動設(shè)備開始向BLDC轉(zhuǎn)變。雖然BLDC有著這么多優(yōu)勢，但實現(xiàn)BLDC的控制是相對較難的。 ? BLDC 控制的實現(xiàn) ? 從工作原理上來看，BLDC作
2023-09-21 01:19:001808 
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性 ? 英國劍橋 - 無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能
2024-06-04 10:12:04648 
CGD15FB45P1
2023-03-28 13:11:38
最大限度的提高GaN HEMT器件帶來的好處直到最近MOSFET和IGBT器件相比GaN HEMT的一個關(guān)鍵優(yōu)勢是它們廣泛的商業(yè)可用性，但是現(xiàn)在工程師們已經(jīng)能夠很容易的使用GaN HEMT技術(shù)了，更好
2019-07-16 00:27:49
的地方。作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現(xiàn)，如今能滿足世界
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個后進者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
測試平臺實物圖
基于GaN器件的半橋電路測試平臺，我們對三安集成的200V 20mΩ GaN EHEMT進行了相關(guān)測試。Class D功率電路的核心為逆變電路，而逆變拓撲實則為各種頻率的脈沖調(diào)制波控制下
2023-06-25 15:59:21
我想大多數(shù)聽眾都已經(jīng)了解了GaN在開關(guān)速度方面的優(yōu)勢，及能從這些設(shè)備中獲得的利益。縮小功率級極具吸引力，而更高的帶寬則更是錦上添花。電力工程師已考慮在正在開發(fā)的解決方案中使用GaN這一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
材料。與目前絕大多數(shù)的半導體材料相比，GaN 具有獨特的優(yōu)勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高，使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
處于這一范圍。幸運的是，多年來，我們生產(chǎn)的數(shù)字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數(shù)字電源控制器都能滿足這些需求，但是至少電源設(shè)計人員有選擇權(quán)。因此，GaN為數(shù)字電源控制做好準備了嗎？我們得到的答案
2018-08-30 15:05:41
技術(shù)了。這也意味著GaN已經(jīng)是一項成熟的、不應再受到質(zhì)疑的技術(shù)。對此，我不想妄加評論，由你自己去辨別事情的真?zhèn)巍Ｄ敲矗姨岬降摹?b class="flag-6" style="color: red">GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準備”到底是什么意思呢？驗證這一點的方法就是
2018-09-06 15:31:50
、醫(yī)療和汽車等方面的射頻能量應用。 最近，就磁控管作為加熱源而言，固態(tài)器件的出現(xiàn)為之提供了一種可行的替代、提高技術(shù)，它具有幾個關(guān)鍵性的優(yōu)勢：更長的使用壽命、增強了可靠性、可精確控制射頻功率水平及其投射
2017-05-01 15:47:21
伴隨著眾多機械設(shè)備的智能化控制發(fā)展越來越明顯，這給電機制造企業(yè)帶來了不少機遇和挑戰(zhàn)。例如全自動的加工生產(chǎn)線，更多的動作需要控制系統(tǒng)的協(xié)同，與之配套的電機，如何與控制系統(tǒng)有效融合，這是一個非常重要的問題。
2021-01-21 06:45:30
Actel FPGA為汽車市場帶來的優(yōu)勢有哪些？
2021-05-19 06:36:33
所有主要標準和技術(shù)的前瞻性產(chǎn)品。2015年，TI推出了全新的高靈活性SimpleLink? 超低功耗CC2640無線微控制器（MCU），并且在設(shè)計時充分考慮了Bluetooth 5將會帶來的變革，因此
2018-08-29 16:09:10
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應用提供的優(yōu)勢LDMOS的優(yōu)勢是什么如何選擇正確的晶體管技術(shù)
2021-03-09 07:52:21
MM32SPIN2x電機驅(qū)動及控制專用MCU有哪些優(yōu)勢？PWM控制可以實現(xiàn)哪些功能？PWM控制模塊是由哪些部分組成的？
2021-09-07 07:06:57
NoC在高端FPGA的應用是什么？NoC給Speedster 7t FPGA帶來的優(yōu)勢有哪些？
2021-06-17 11:12:26
據(jù)了解，目前大多數(shù)工業(yè)電機控制采用的是基于MCU或DSP平臺的PWM算法，而這一類方案都會帶來不可避免的EMI問題，此外還經(jīng)常會有能效不高和時延較長等問題的出現(xiàn)。PFM在理論上是一種比PWM更好的電機控制算法，因為它可以實現(xiàn)更高的能效和更低的EMI。
2019-10-11 07:28:16
STDRIVEG600驅(qū)動GAN逆變器時候，在某一拍出現(xiàn)控制信號丟失，導致電機電流出現(xiàn)跌落情況
上圖紫色的是電機電流，青色的是上管的PWM給定信號，黃色的是經(jīng)過了GAN開關(guān)管驅(qū)動
2024-03-13 06:14:24
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
的較低電容可通過最大限度地減小寄生振鈴并優(yōu)化轉(zhuǎn)換次數(shù)來將失真降到最低，從而有助于盡可能地較少噪聲。在數(shù)據(jù)中心和服務器中，GaN減少了為云端供電的電源損耗。此外，GaN在縮小電源解決方案尺寸方面所具有的功能
2018-09-10 15:02:53
單相電機和三相電機，實質(zhì)上區(qū)別，或者說為什么三相電機比單相電機更具優(yōu)勢
不要百度，復制的。要能看懂的，通俗些。
就是說三相電機的優(yōu)勢在哪里。我覺著，三相電機，比單相貴，一定有他的優(yōu)勢。
2023-11-09 07:50:01
伺服電機和變頻電機是兩種常見的電機類型，兩者雖然在應用和工作原理上存在差異，但它們也有一些相同的特點和優(yōu)勢。 首先，兩種電機都能實現(xiàn)高效和穩(wěn)定的轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)。伺服電機通過電阻方式來降低電壓，以實現(xiàn)
2023-03-07 15:24:57
內(nèi)轉(zhuǎn)子電機對比外轉(zhuǎn)子電機有什么優(yōu)勢
2023-10-09 07:53:20
GaN驅(qū)動器的設(shè)置非常簡單，幾乎不需要外部組件。請參見下圖。TI聲稱該GaN驅(qū)動器具有300 V / ns的業(yè)界最高壓擺率。該IC的最高工作溫度為150oC，并采用低電感3×4mm QFN封裝
2019-11-11 15:48:09
的功率放大器功能。GaN 工藝能為5G 移動電話帶來哪些優(yōu)勢呢？正如我們所見，隨著頻率標準越來越高（Ka 頻段或mmW），低壓GaN 工藝需要進一步發(fā)展。圖2: Qorvo's GaN
2017-07-28 19:38:38
MOSFET相比，GaN的優(yōu)勢包括：低輸入和輸出電容，減少開關(guān)損耗，實現(xiàn)更快的開關(guān)頻率。接近0的反向恢復電荷，無反向恢復損耗，降低D類逆變器/放大器的損耗。由于較低的柵極-漏極電容，大大降低了開關(guān)損耗
2019-07-29 04:45:02
在我的認識中28069與28335在硬件上的主要差別在于28069比28335多了vcu和cla兩個模塊，請問：1.在電機控制上28069比28335有何優(yōu)勢？2.在controlSUITE/development_kits/HVMotorCtrl+PfcKits中沒有28069的demo，哪里能找到？
2014-11-29 20:25:41
和電機控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應用場合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
基于電機控制系統(tǒng)模型的設(shè)計價值旨在幫助簡化使用傳統(tǒng)非自動化方法進行控制系統(tǒng)設(shè)計時所遭遇的固有困難與復雜性。 為設(shè)計人員提供可視化設(shè)計環(huán)境，讓開發(fā)人員為整個系統(tǒng)使用單一模型，實現(xiàn)數(shù)據(jù)分析、模型可視化
2018-10-31 10:25:02
的頻率交換意味著GaN可以一次轉(zhuǎn)換更大范圍的功率，減少復雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會產(chǎn)生新的能耗，這對于很多高壓應用都是一項顯著的優(yōu)勢。當然，一項已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
本文具體闡述了ACMC，并說明基于電流模式控制的設(shè)計為信息娛樂應用帶來的優(yōu)勢。我們以MAX5060/MAX5061為例說明ACMC的工作原理，并對數(shù)據(jù)資料所提供的內(nèi)容進行了補充。
2021-05-18 07:01:36
運行。多相電機的精確定時控制盡可能地減少消隱時間，從而最大化電機效率。 圖4所示為五大優(yōu)勢。 [url=http://www.nxhydt.com/uploads/161205/2365425-161205105T2610.png][/url] 圖4：增強型PWM抑制的五大優(yōu)勢
2016-12-09 17:22:03
在工業(yè)電機控制使用隔離會是最好的辦法嗎？他能對電機控制應用在系統(tǒng)層面帶來什么好處？
2021-03-05 07:11:09
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因為頻率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對5G的Sub－6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認為，GaN技術(shù)的運用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢。對于此觀點，紫光展銳高級市場經(jīng)理賈智博認為：“GaN
2019-12-20 16:51:12
分流解決方案的更高成本和更低帶寬可能不利于 GaN 逆變器在電機驅(qū)動中的采用。圖 6. 同相和支路電流檢測比較 - 注意：圖片中的噪聲是由非最佳測量設(shè)置拾取的。真實信號更清晰，因為它可以通過控制器電流重建來顯示
2022-03-25 11:02:29
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此。 如今存在的兩種主要GaN技術(shù)為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優(yōu)勢在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
最近一些新人在討論中問到最多的一個問題是:無刷電機的優(yōu)勢與不足在哪里;應用領(lǐng)域在哪里?能帶來什么效果與回報等入門問題;下面特花一點時間整理資料發(fā)布分享更多人看看.1.無刷直流電機的特點:1)電機損耗
2018-11-01 10:59:11
伴隨著更高的開關(guān)頻率，從而導致更高的功率密度。但熱管理和寄生效應無法縮放!在更小的體積中集中更多的功率為散熱和封裝帶來新的挑戰(zhàn)。較小的模面面積限制了傳統(tǒng)封裝技術(shù)的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景
2018-11-20 10:56:25
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
串聯(lián)放置。圖1所示為實現(xiàn)此目的的兩種不同配置：共源共柵驅(qū)動和直接驅(qū)動。現(xiàn)在，我們將對比功耗，并描述與每種方法相關(guān)的警告所涉及的問題。在共源共柵配置中，GaN柵極接地，MOSFET柵極被驅(qū)動，以控制
2023-02-14 15:06:51
帶來的各種定位誤差，故定位精度高，如采用微機控制，則還可以大大地提高整個系統(tǒng)的定位精度；3 反應速度快、靈敏度高，隨動性好： 直線電機容易做到其動子用磁懸浮支撐，因而使得動子和定子之間始終保持一定的空氣
2016-01-15 14:10:22
，這對于很多高壓應用都是一項顯著的優(yōu)勢。當然，一項已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會一夜之間被取代，但經(jīng)過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試，GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料
2020-10-27 10:11:29
[size=0.19]維安WAYON從原理到實例：GaN為何值得期待？（WAYON維安一級代理分銷KOYUELEC光與電子提供原廠技術(shù)支持）功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要指能夠
2021-12-01 13:33:21
在我的認識中28069與28335在硬件上的主要差別在于28069比28335多了vcu和cla兩個模塊，請問：1.在電機控制上28069比28335有何優(yōu)勢？2.在controlSUITE/development_kits/HVMotorCtrl+PfcKits中沒有28069的demo，哪里能找到？
2018-08-22 08:32:26
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
伺服電機的主要作用和優(yōu)勢是什么？
2021-09-24 08:11:28
據(jù)了解，目前大多數(shù)工業(yè)電機控制采用的是基于MCU或DSP平臺的PWM算法，而這一類方案都會帶來不可避免的EMI問題，此外還經(jīng)常會有能效不高和時延較長等問題的出現(xiàn)。PFM在理論上是一種比PWM更好的電機控制算法，因為它可以實現(xiàn)更高的能效和更低的EMI。
2019-09-17 06:03:38
針尖對麥芒，閉環(huán)步進電機對于伺服電機的優(yōu)勢？伺服電機可使控制速度，位置精度非常準確，可以將電壓信號轉(zhuǎn)化為轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)速以驅(qū)動控制對象。伺服電機轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速受輸入信號控制，并能快速反應，在自動控制系統(tǒng)中，用作
2015-12-29 15:21:11
未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散（除非晶體管的效率為100%）。· 因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設(shè)計考慮因素。幸運的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
CGD12HBXMP是Wolfspeed的針對 XM3 模塊平臺優(yōu)化的評估柵極驅(qū)動器工具，Wolfspeed 的 CGD12HBXMP 外形尺寸合適；XM3 功率模塊平臺的兩通道柵極驅(qū)動器。兩個柵極
2022-06-11 21:10:21
CGD914/CGD914MI datasheet,pdf(860 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier)
Hybrid amplifier module
2010-03-24 16:15:06
12 性能、效率、易用性以及成本方面的綜合優(yōu)勢。隨著全球市場對節(jié)能和產(chǎn)品性能需求的提高，以及價格的持續(xù)走低，DSP的獨特優(yōu)勢使其在電機控制市場獲得越來越廣泛的認可，由高端工業(yè)電機控制領(lǐng)域向更廣泛的電機控制市場擴張。
2018-10-08 15:53:0012122 
本文強調(diào)數(shù)字PFC控制器在整體系統(tǒng)監(jiān)控、保護和時序方面為工程師帶來的系統(tǒng)級優(yōu)勢。該控制器在真實電機控制系統(tǒng)平臺上的部署以圖例和/或圖形表示，并顯示硬件以及軟件框架，同時輔以實驗驗證。
2019-08-05 08:09:001553 
氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應用中具有顯著優(yōu)勢。
2021-07-05 14:46:502889 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）上一期文章講述了國外廠商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實，除了國外的GaN控制芯片，國內(nèi)的GaN控制芯片這幾年發(fā)展得也不錯
2021-09-18 09:49:533944 
) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應物相比具有多個優(yōu)勢。
2022-07-29 15:00:301506 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導體，在電源應用中提供比硅更好的性能，正在取代傳統(tǒng)的基于硅的 MOSFET，用于電路中的高效率和在更高溫度和頻率下運行的能力是強制性要求。相關(guān)應用包括所有不同類型的電動汽車 (EV)，它們需要極其高效和可靠的電機控制解決方案，以盡可能地擴展車輛的自主性。
2022-08-03 09:49:07858 GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業(yè)電機控制應用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:231682 
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實現(xiàn)卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號塊。
2023-02-19 10:31:57383 GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。
2023-03-22 09:58:125456 、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。 GaN功率器件有哪些優(yōu)勢？功率密度高，開關(guān)速度快，損耗低，功耗小；高頻高速，可以有效降低系統(tǒng)成本；可在更高頻率下工作；更高的散熱能力和可靠性。 GaN的優(yōu)勢 GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了
2023-04-21 14:05:42922 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:213027 
FOC（Field-Oriented Control），即磁場定向控制，也稱矢量變頻，是以數(shù)學、物理理論為基礎(chǔ)，對電機磁場矢量進行精確控制
的電機高級控制算法。FOC電機控制中涉及數(shù)學、物理
2023-05-05 11:14:0615 為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件
2023-06-30 17:22:17464 誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā) 并大批量
2023-08-09 16:03:25322 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 再一次通過領(lǐng)先
2023-09-25 17:42:30190 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日宣布
2023-10-10 17:12:15248 
擁有系統(tǒng)和應用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識，可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠
2023-11-06 17:32:31417 
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機驅(qū)動性能
2023-11-23 16:21:17319 
的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學
2023-12-26 14:15:2110032 
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設(shè)計的柵極驅(qū)動器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計師經(jīng)常轉(zhuǎn)向為硅MOSFETs設(shè)計的通用柵極驅(qū)動器，這就需要仔細考慮多個因素以實現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:08364 
為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過 30 W/in3 的 140-240 W USB-PD 適配器 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD
2024-05-30 09:12:01103 Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固
2024-05-30 13:43:2193 
GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于
2024-06-04 15:30:38347 在追求環(huán)保與高效能的科技浪潮中，無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）成功研發(fā)了一系列高性能的GaN功率器件。這些器件不僅能效高，還致力于推動電子器件的環(huán)保發(fā)展。
2024-06-05 11:25:34502 ，構(gòu)建出更高功率、高效、緊湊且穩(wěn)定的系統(tǒng)。值得一提的是，Qorvo在其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅(qū)動器的 EVK 設(shè)計中，采用了 CGD的ICeGaN?（IC 增強型 GaN）技術(shù)。
2024-06-07 14:40:04167
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