? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:36
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MOSFET 的選擇關乎效率，設計人員需要在其傳導損耗和開關損耗之間進行權衡。傳導損耗發(fā)生在在 MOSFET 關閉期間，由于電流流過導通電阻而造成；開關損耗則發(fā)生在MOSFET 開關期間，因為 MOSFET 沒有即時開關而產生。這些都是由 MOSFET 內半導體結構的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33213 
最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361091 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS
2024-04-16 09:58:441421 
、關斷延遲時間：：Td(off）、下降時間：tf。下面是從以低導通電阻和高速開關為特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術規(guī)格中摘錄的內容。這些參數(shù)的名稱和符號，各廠家間可能
2018-11-28 14:29:57
通電阻降低0.4 mΩ，同時大幅改進了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
，與IGBT的比較中，在ID低的范圍由于VCE（MOSFET則是VDS）低故該范圍的損耗變小。以家電為對象的情況下，絕大多數(shù)在MOSFET的優(yōu)勢范圍使用，因而功耗削減備受期待。導通電阻和柵極容量更低
2018-11-28 14:27:08
。問題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅動通用驅動電壓的功率MOSFET，有什么問題？問題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導通電阻，發(fā)現(xiàn)對應的導通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開通。
2016-12-21 11:39:07
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
了開關損耗，促進了白色家電和工業(yè)設備等電機驅動器和變頻器應用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并
2018-12-04 10:23:36
和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。圖 1—降壓同步開關穩(wěn)壓器原理圖DC/DC 開關電源因其高效率而廣泛應用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側 FET和低側
2019-11-30 18:41:39
使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身
2017-01-09 18:00:06
FDC6324L是一款集成負載開關 是使用ON生產的半導體專有的高單元密度DMOS技術。這種非常高密度的工藝特別適合于將導通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開關性能 這些設備特別適用于需要低導通損耗和簡單
2021-11-27 12:14:08
MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要
2021-04-09 09:20:10
的導通電阻對傳遞函數(shù)的影響此前的傳遞函數(shù)推導中，并沒有考慮過開關（開關晶體管）導通電阻的影響。但是眾所周知，實際上是肯定存在開關的導通電阻的，而且對實際運行也是有影響的。所以本次將探討“開關的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
效率。此外，如果導通電阻相同的話，價格應該比PchMOSFET便宜。不過，如果要使用Nch MOSFET作為上側開關并使其完全為ON，則必須有充分的VGS，也就是電壓必須高于漏極電壓。通常，漏極電壓
2018-11-29 14:16:45
轉換，負載開關，電機控制，背光，電池保護，電池充電器，音頻電路和汽車。推薦產品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關產品請點擊此處前往特征：低導通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
2018-12-05 10:00:15
。 MOSFET的優(yōu)點決定了它非常適合高頻且開關速度要求高的應用。在開關電源 (SMPS) 中，MOSFET的寄生參數(shù)至關重要，它決定了轉換時間、導通電阻、振鈴 (開關時超調) 和背柵擊穿等性能，這些都與SMPS
2022-06-28 10:26:31
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關已經(jīng)開發(fā)了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
可以看出，LLC電路中MOSFET參數(shù)要求主要有以下幾點：體二極管的反向恢復時間必須足夠短，足夠快。體二極管必須足夠強壯，與MOS的導通電流能力要一致。MOSFET的電荷值要控制在合適的范圍內。要進一步和MOSFET廠家確認是否可以用在LLC電路中。
2019-09-17 09:05:04
Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產，但是ROHM在推進獨自開發(fā)。此次內置的SJ MOSFET不僅實現(xiàn)了650V的高耐壓，還實現(xiàn)了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非常快。這將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
導通電阻方面的課題，如前所述通過采用SJ-MOSFET結構來改善導通電阻。IGBT在導通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開關速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導通電阻、開關速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導率調制，向漂移層內注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
新的功率密度和能效標準。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器，數(shù)據(jù)通信和電信產品電壓調節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
圖1 RDS(on)在最高工作溫度的30%～150%這個范圍內隨溫度增加而增加導通電阻對N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在開關電源中，Qg是用在開關電源里的N溝道MOSFET的關鍵選擇標準
2019-09-04 07:00:00
散熱性良好的器件。我們選用MTP1306，其漏極電流ID=59A(100℃)，導通電阻為6.5mΩ(25℃)，可滿足使用要求。 2 損耗分析及效率估算 開關MOSFET的損耗包括開關損耗Ps和導
2011-11-07 10:40:27
電路。在使用 MOSFET 設計開關電源時， 大部分人都會考慮 MOSFET 的導通電阻、 最大電壓、 最大電流。 但很多時候也僅僅考慮了這些因素， 這樣的電路也許可以正常工作， 但并不是一個好
2022-01-03 06:34:38
狀態(tài)之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當?shù)剡B接到了其機殼底座。當電器內部發(fā)生故障電流時，如果電器沒有適當?shù)剡B接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm)，XC8102 系列是內置P 溝道MOS FET、帶保護電路的低導通電阻線路開關用電路，輸入電壓范圍1.2V～6.0V,當
2021-04-19 07:57:47
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開關IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負載開關，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統(tǒng)保護和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
需要具備非常先進的技術能力才能實現(xiàn)。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現(xiàn)。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
依賴性該特性是用于設計在預定工作電流Id的情況下在什么柵極驅動電壓下影響V_DS(on)區(qū)域(導通電阻區(qū)域)的特性曲線。對于功率MOSFET，根據(jù)柵極驅動工作電流生產10V驅動元件、4V驅動元件、4V
2024-06-11 15:19:16
時刻并不一樣，因此開通時刻和關斷時刻的米勒平臺電壓VGP也不一樣，要分別根據(jù)各自的電流和跨導計算實際的米勒平臺電壓。（2）模式M2：t6-t7在t6時刻，功率MOSFET進入關斷的米勒平臺區(qū)，這個階段
2017-03-06 15:19:01
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時、開通上升時間，關斷延時和關斷下降時間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評估功率MOSFET的開關
2016-12-16 16:53:16
MOSFET和開關頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
。不同的驅動電壓VGS對應著不同的導通電阻，在實際的應用中要考慮溫度的變化，既要保證功率MOSFET完全開通，同時又要保證在關斷的過程中耦合在G極上的尖峰脈沖不會發(fā)生誤觸發(fā)產生直通或短路。5、選取導通電阻
2019-04-04 06:30:00
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優(yōu)異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內部體二極管的連續(xù)導通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設計，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開關拓撲中，碳化硅
2023-03-14 14:05:02
` 功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數(shù)調整并不是十分關注
2011-09-27 11:25:34
電阻R1吸收功率為11.6W，效率約為85%。開關頻率1.35kHz，開關管最大電流約4.4A，一個周期內開關管導通時間為0.18ms。 圖9 第二次改進后的電路 圖10 第二次改進電路仿真結果（負載
2022-04-01 13:32:30
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現(xiàn)在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電阻
2023-02-27 10:02:15
路徑接通，而 RDS(ON) 路徑則保持關斷。RDS(ON) 路徑在正常操作過程中接通以旁路應力路徑，為負載電流提供一條低導通電阻路徑，從而減少電壓降和功率損耗。視啟動時 MOSFET 應力大小的不同，有
2018-10-26 11:41:57
如何提高電動汽車的效率和安全性？
2021-11-09 07:51:03
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄...
2021-10-28 06:56:14
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和反向恢復電荷（Qrr）的函數(shù)。柵極驅動損耗由MOSFET的柵電荷（Qg）決定。因此,寄生電容和導通電阻（RDS(on)）決定了器件在特定應用中的性能。在現(xiàn)今的低壓MOSFET中最普遍使用的技術
2012-12-06 14:32:55
，基本上變化不大，導通壓降為ID的電流和導通電阻的乘積，這也是完全導通區(qū)。基于MOSFET的漏極導通特性曲線可以直觀的理解MOSFET開通時，跨越關斷區(qū)、恒流區(qū)（放大區(qū)）和可變電阻區(qū)的過程。恒流區(qū)有
2016-11-29 14:36:06
并不成立，因此在實際的應用中會產生一些問題，本文將詳細地論述這些問題，以糾正傳統(tǒng)認識的局限性和片面性。1、功率MOSFET導通電阻RDS(ON)定義及溫度系數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中，定義了功率
2016-09-26 15:28:01
的應用優(yōu)勢優(yōu)于 IGBT。考慮到所有開關損耗、導通電阻相關傳導損耗和內部二極管的正向電壓損耗，基于 SiC MOSFET 的設計比基于 IGBT 的同類設計可節(jié)省約 66% 的損耗（圖 2）。這種效率改進為
2023-02-22 16:34:53
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
的電流，但最大開關頻率不超過 100 kHz。MOSFET在高頻下工作良好，但導通電阻相對較高。SiC器件可以克服這些問題。我們不會詳細介紹技術細節(jié)，但我們將在靜態(tài)狀態(tài)下進行一些簡單的模擬，以計算每個
2023-02-02 09:23:22
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
下降0.5%。PFC拓撲中的高效率也是通過通道而不是體二極管升壓來實現(xiàn)的。 工作溫度下的導通電阻與硅相當 一個關鍵的比較參數(shù)是導通電阻 RDS（on）。硅 MOSFET 在紙面上看起來比 SiC 更好
2023-02-23 17:11:32
作為開關模式電源的核心器件，MOSFET在對電源的優(yōu)化中承擔著十分重要的角色。采用最先進的半導體技術對提高工作效率固然必不可少，但封裝技術本身對提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現(xiàn)代功率轉換
2018-12-07 10:23:12
，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。 與OptiMOS?3技術直接比較，結果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進開關特性。 阻斷電壓為
2018-12-06 09:46:29
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
性和低噪聲特征，超級結MOSFET有一些變化。從下篇開始，將介紹每種變化的特征。關鍵要點:?Si-MOSFET的產品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級結結構可保持耐壓的同時，降低導通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
SuperJunction的內建橫向電場的高壓功率MOSFET就是基本這種想法設計出的一種新型器件。內建橫向電場的高壓MOSFET的剖面結構及高阻斷電壓低導通電阻的示意圖如圖3所示。英飛凌最先將這種結構生產出來，并為這種結構
2018-10-17 16:43:26
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產的溝槽技術。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
壓時，其開關導通。導通時，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不
2013-03-11 10:49:22
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻
2012-10-30 21:45:40
型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導通。導通時，電流可經(jīng)開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻
2012-10-31 21:27:48
通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應用受到極大限制。 降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法 1、不同耐壓的MOSFET的導通電阻分布 不同耐壓的MOSFET，其導通電阻中各部分電阻
2023-02-27 11:52:38
是將一系列元件組合在電路中，電流必須不受限制地流過封裝，熱量必須導入冷卻系統(tǒng)。因此，系統(tǒng)的魯棒性取決于整個鏈條中最薄弱的環(huán)節(jié)。如果一只典型MOSFET的導通電阻RDS(ON)約為8毫歐，那么比這個
2019-05-13 14:11:51
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發(fā)了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
狀態(tài)下工作：開-電阻非常小;關-阻力很大。高頻開關電源與線性電源相同點與不同點 高頻開關電源的特點： 高頻開關電源通常由(脈沖寬度調制)PWM控制IC和MOSFET組成。隨著電力電子技術的發(fā)展和創(chuàng)新，開關電源主要應用于體積小，重量輕，效率高等特點幾乎應用到所有電子設備，其重要性是顯而易見
2021-10-28 09:07:56
導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475032 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32792 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41709 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:30985 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0012850 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:403851 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。
2021-12-03 10:50:381124 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之
2022-03-17 09:35:332959 OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053672 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設計
2022-12-29 10:02:53919 
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。
2023-02-10 09:41:07689 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規(guī)MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12858 
全球半導體行業(yè)的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術，專為滿足汽車電子產品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
2024-04-15 15:49:33175 
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