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電子發燒友網>制造/封裝>今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術 或用于HBM4;小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

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三星存儲業務派狼將金奇南對戰SK海力士 SK海力士如臨大敵

三星的金奇南猶如一名狼將,金奇南的狼性展現在他的投資企圖上,是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業務的CEO時,SK海力士如臨大敵般的恐慌。
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2018年用繪圖DRAM市場銷量上揚 三星SK海力士相繼推出HBM2

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三星攜手SK 海力士研發業界首見的EMI屏蔽技術

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10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

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三星SK海力士及鎂光的反壟斷調查獲重要進展

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三星SK海力士準備向中國采購原材料 化解目前危機

為了化解危機,三星電子、SK海力士準備向中國大陸及中國臺灣采購更多材料。另外,韓國企業還會去日本之外的國家尋找庫存多余的企業,向它們采購。
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三星海力士評估最快或于7月底開始減產,理由為何?

三星電子與SK海力士正在評估最快從本月起有序減產NAND Flash的方案。
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行業 | 三星電子和SK海力士完成對本土氟化氫測試,已投入DRAM生產

7月15日業界資訊,三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試,近日已投入到DRAM生產。
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SK海力士宣布將要推出新型HBM2E存儲器

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DRAM價格上漲,三星SK海力士營收或改善

本月DRAM現貨價格急漲,以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業有望改善營收。
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SK海力士新款4D閃存有什么新的特點

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禁令影響 三星電子和SK海力士將在9月15日停止向華為出售芯片

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三星SK 海力士將停止向華為出售零部件

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斷供華為 三星SK海力士:我也不想啊

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三星SK海力士斷供華為,華為大量采購芯片價格大漲15%

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三星電子和SK海力士擴大招聘以應對芯片需求激增

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SK海力士將向英偉達系統供應HBM3

SK海力士在業界率先開發出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產品HBM31,公司不僅又一次創造歷史,更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
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三星SK海力士重組 存儲芯片寒冬何時休

三星電子和 SK 海力士已經重組,以應對半導體行業的低迷。他們正在尋求突破復雜的全球危機,其中包括銷售因經濟低迷而下降。
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HBM需求高漲 三星SK海力士投資超2萬億韓元積極擴產

據業界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后,利用清州工廠的閑置空間。
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三星SK海力士存儲器庫存破表 牽動南亞科、華邦、群聯等后市

據dram領域的調查企業trend force稱,去年第四季度在dram領域,三星以45.1%的世界市場占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領域,三星以世界第1位占據了第4季度的世界市場占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占據了第3位。
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存儲廠商HBM訂單暴增

目前,HBM產品的主要供應商是三星SK海力士和美光。根據全球市場調研機構TrendForce集邦咨詢的調查顯示,2022年,SK海力士HBM市場占據了50%的份額,三星占據了40%,美光占據了10%。
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三星/SK海力士獲美出口管制無限期豁免 南亞科、旺宏等首當其沖

美國將三星電子和sk海力士指定為veu(認證終端)用戶,無限期開放了美國企業對中國國內三星sk海力士工廠的半導體制造設備出口。同樣,受到美方禁令的臺積電也于10月9日表示,對市場傳聞不予評論。
2023-10-10 11:40:18851

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰,觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌,SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05627

三星SK海力士加碼半導體設備投資與產量,以緩解行業壓力

12月18日,傳聞三星SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入,如三星電子預計投注27萬億韓元,SK海力士則計劃注入5.3萬億韓元,增幅分別達25%與100%。
2023-12-19 09:20:35326

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22576

三星電子和SK海力士將聯合投資622萬億韓元 推進“超級集群”計劃

三星電子和SK海力士將聯合投資622萬億韓元,推進“超級集群”計劃。
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三星加大投資提升HBM產能,與SK海力士競爭加劇

近日,據報道,三星電子正計劃大規模擴大其HBM(高帶寬內存)產能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
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OpenAI首席執行會見三星SK海力士高管

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消息稱三星正在整合混合技術

據業界消息人士透露,為了進一步提升其芯片代工能力,三星正全力推進混合技術的整合工作。據悉,應用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區開始安裝先進的混合設備,這些設備預計將用于三星的下一代封裝解決方案,如X-Cube和SAINT。
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SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄

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SK海力士擴大對芯片投資

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三星追趕AI芯片競賽,計劃采用海力士制造技術

三星必須采取一些措施來提高其HBM產量......采用MUF技術三星來說有點不得已而為之,因為它最終遵循了SK海力士首次使用的技術
2024-03-14 11:00:14467

三星否認MR-RUF方式用于HBM內存生產

實現HBM的關鍵所在為多層DRAM堆疊,市場主要采用兩種合作程: SK海力士旗下的MR-RUF與三星的TC-NCF方案。前者為反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充間隙;后者則為熱壓粘連NCF(非導電薄膜)至各DRAM層之間。
2024-03-14 16:31:21670

英偉達對三星HBM3E進行測試,海力士仍穩坐HBM市場頭把交椅

現如今,SK海力士為英偉達AI半導體提供主要HBM產品,同時自去年起,美光公司也加入了該供應陣營。據悉,相比其他競爭對手,三星電子在HBM授權上大約晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:23375

英偉達尋求從三星采購HBM芯片

英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系,計劃從后者采購高帶寬存儲(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時,三星正努力追趕業內領頭羊SK海力士,后者已率先實現下一代HBM3E芯片的大規模量產。
2024-03-25 11:42:04494

剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08299

三星聯席CEO在AI合作交流中力推HBM內存

慶桂顯此行主要推廣三星HBM內存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出現失誤,三星已被競爭對手SK海力士超越;位于第位的美光近年來也在HBM3芯片上取得突破,成功獲得英偉達H200訂單。
2024-04-16 16:46:05453

SK海力士聯手臺積電推出HBM4,引領下一代DRAM創新

SK海力士表示,憑借其在AI應用領域存儲器發展的領先地位,以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎,該公司有信心持續引領HBM技術創新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源,SK海力士將進一步提升存儲器產品性能,實現新的突破。
2024-04-19 09:28:04310

SK海力士與臺積電共同研發HBM4,預計2026年投產

HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07364

SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片

HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19525

SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年

SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21219

SK海力士明年HBM產能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39278

SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09244

漲價20%!三星SK 海力士將停止供貨這類芯片

業界傳出,全球前二大DRAM供貨商三星SK海力士全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規格內存,下半年起將停止供應DDR3利基型DRAM,引起市場搶貨潮,導致近期DDR3價格飆漲,最高漲幅達二成,且下半年報價還會再上揚。
2024-05-14 10:31:58198

三星電子與SK海力士預測存儲芯片市場需求強烈,HBM產能售罄

全球知名存儲芯片制造巨頭三星SK海力士預判,今年DRAM和高帶寬存儲器(HBM)價格將持續攀升,受益于市場對于高端芯片,尤其是人工智能相關芯片的強大需求。
2024-05-15 09:23:52214

SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器

據業內人士預計,HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合技術以實現更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:35228

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13491

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注

業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:20763

臺積電在歐洲技術研討會上展示HBM4的12FFC+和N5制造工藝

目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星SK海力士等)共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優勢;而N5基礎Dies則可在較低功耗條件下實現HBM4的預期速度。
2024-05-17 10:07:08265

三星SK海力士下半年停產DDR3內存

近日,三星SK海力士宣布,將于下半年停止生產并供應DDR3內存,轉向利潤更高的DDR5內存和HBM系列高帶寬內存。此舉標志著內存行業的一次重要轉型。
2024-05-17 10:12:21293

SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46291

三星SK海力士對DRAM和NAND產量持保守態度

在DRAM和NAND芯片的生產上,三星SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:49311

SK海力士力挫三星,穩坐HBM行業領軍地位

值得注意的是,早年對HBM技術表現出濃厚興趣的三星,與英偉達共同研發了HBMHBM2系列產品,然而銷售初期市場反應冷淡,導致持續虧損。
2024-05-29 15:50:00262

SK海力士HBM技術再創新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27344

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22291

TLB成功開發出CXL內存模塊PCB,并向三星SK海力士提供首批樣品

近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:34417

三星海力士引領DRAM革新:新一代HBM采用混合技術

在科技日新月異的今天,DRAM(動態隨機存取存儲器)作為計算機系統中的關鍵組件,其技術革新一直備受矚目。近日,據業界權威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:36226

臺積電攜手創意電子,斬獲SK海力士HBM4芯片大單

在全球半導體市場的激烈競爭中,臺積電再次憑借其卓越的技術實力和創新能力,攜手旗下子公司創意電子,成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片領域的重大
2024-06-25 10:13:12292

ASMPT與美光攜手開發下一代HBM4設備

在半導體制造技術的持續演進中,韓國后端設備制造商ASMPT與全球知名的內存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據悉,ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內存(HBM)生產的演示熱壓(TC)機,雙方將攜手開發下一代技術,以支持HBM4的生產。
2024-07-01 11:04:15409

三星SK海力士啟動芯片浸沒式液冷測試

近日,科技界迎來了一則重要消息:三星電子與SK海力士已攜手啟動芯片產品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應服務器運營方對于建立浸沒式液冷解決方案保修政策的需求,進一步推動數據中心冷卻技術的革新。
2024-07-02 10:24:08324

美光HBM市場雄心勃勃,SK海力士加速應對挑戰

雄心勃勃的宣言無疑給當前HBM市場的兩大主要競爭對手——SK海力士三星帶來了不小的競爭壓力,尤其是SK海力士,作為韓國DRAM行業的領軍企業,正嚴陣以待,積極調整策略以應對美光的挑戰。
2024-07-03 09:28:59250

三星電子與SK海力士加大DRAM與HBM產能,應對AI熱潮下的存儲需求

在全球人工智能(AI)技術持續升溫的背景下,韓國兩大存儲芯片巨頭——三星電子與SK海力士正積極調整生產策略,以應對日益增長且多樣化的存儲需求。據韓國媒體最新報道,這兩家公司正分別在其位于平澤和無錫
2024-07-08 12:54:09163

汽車董事長何小宣布全新車型P7+:開啟智駕新時代

7月10日的官方聲明中,小汽車董事長何小正式宣布,公司將推出一款引人注目的全新車型——小P7+。這款B級全電動轎車以其超過5米的車身尺寸和“技術+”的精準定位,預示著小汽車在智能駕駛領域的又一重大突破。
2024-07-10 16:11:22435

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品,SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312430

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