原子層刻蝕和沉積工藝利用自限性反應，提供原子級控制。 泛林集團先進技術發展事業部公司副總裁潘陽博士 分享了他對這個話題的看法。 技術節點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝
2021-02-08 10:53:00
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本期，我們將繼續探索半導體制造過程中的兩大關鍵步驟：刻蝕和薄膜沉積。
2022-08-01 10:58:185034 
等離子體工藝廣泛應用于半導體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質
2022-11-15 09:57:313275 。 ? ? 第六步 互連 ? 半導體的導電性處于導體與非導體（即絕緣體）之間，這種特性使我們能完全掌控電流。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝可以構建出晶體管等元件，但還需要將它們連接起來才能實現電力與信號的發送與接收。 ? 金屬因
2021-08-02 13:49:0416633 鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、 等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、 濕法刻蝕23、 膜厚測量24、 納米、微米臺階測量25、 電阻、方阻、電阻率測量等26、 半導體
2015-01-07 16:15:47
半導體技術在汽車動力系統中的應用是什么？
2021-05-18 06:09:40
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導體技術是如何變革汽車設計產業的？
2021-02-22 09:07:43
多個數據流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應用需要抵消輸入阻塞信號的作用，降低攔截概率。正在席卷整個行業的相控天線設計為這些挑戰提供了解決辦法。人們開始采用先進的半導體技術解決相控陣天線過去存在的缺點，以最終
2021-01-20 07:11:05
無嚴格要求的特點。因此，目前檢測半導體材料電阻率，尤其對于薄膜樣品來說，四探針是較常用的方法?！ ∷奶结?b class="flag-6" style="color: red">技術要求使用四根探針等間距的接觸到材料表面。在外邊兩根探針之間輸出電流的同時，測試中間兩根探針的電壓差。最后，電阻率通過樣品的幾何參數，輸出電流源和測到的電壓值來計算得出。
2021-01-13 07:20:44
隨著溫度的升高，金屬的電阻率增加，使其具有正的電阻溫度系數。半導體的電阻溫度系數是負的。非本征半導體的電阻率大于本征半導體。半導體電阻率的溫度依賴性對其在電子學中的應用起著重要的作用電導率描述了電流
2022-02-25 09:55:01
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優缺點？
2021-02-24 09:24:02
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須制程多達二百至三百個步驟。半導體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
作為通訊乃至軍事行業的技術支撐者，半導體廠商曾經離家用電器行業很“遠”，而現在，隨著家電應用市場和功能的擴展，消費者對家電產品的質量和技術的要求越來越高，半導體廠商轉身成為了家電變頻技術的競技者
2019-06-21 07:45:46
北京華林嘉業科技有限公司(簡稱CGB)，公司致力于為以下行業提供蝕刻、清洗、顯影、去膜、制絨、減薄等高品質設備：半導體LED：硅片清洗機；硅片腐蝕機；硅片清洗腐蝕設備；基片濕處理設備；硅片清洗刻蝕
2011-04-13 13:23:10
特性介于金屬導體與絕緣體材料的間(故稱半導體材料)，人類可經由溫度的變化，能量的激發及雜質滲入后改變其傳導特性，再配合了適當的制程步驟，便產生許多重要的電子組件，運用在人類的日常生活中。189
2020-02-17 12:20:00
本人小白，最近公司想上半導體器件的塑封生產線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設備也不需要面面俱到，能進行小規模正常生產就行。哪位大神能告知所需設備的信息，以及這些設備的國內外生產廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
半導體失效分析項目介紹，主要包括點針工作站（Probe Station）、反應離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統（FIB系統）等檢測試驗。
2020-11-26 13:58:28
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
降低。這種摻雜半導體常稱為雜質半導體。雜質半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。不同類型半導體間接觸（構成PN結）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產生擴散，在
2013-01-28 14:58:38
和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個阻值隨外部待測氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩定性，而且這種傳感器僅在半導體表面層產生可逆氧化還原反應，半導體內部化學結構不變
2012-08-29 15:40:48
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產品事業部執行業務經理 在半導體測試領域，管理成本依然是最嚴峻的挑戰之一，因為自動化測試設備(ATE)是一項重大的資本支出。那么，有沒有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競爭優勢的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
在這里我們通過半導體與其他材料的主要區別來了解半導體的本性： 在室溫下，半導體的電導率處在103~10-9西[門子]/厘米之間，其中西[門子]/厘米為電導率的單位，電導率與電阻率互為倒數。一般金屬
2018-03-29 09:04:21
功率半導體的熱管理對于元件運行的可靠性和使用壽命至關重要。本設計實例介紹的愛普科斯(EPCOS)負溫度系數(NTC)和正溫度系數(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監測半導體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
(carrier channel)，影響半導體組件的工作特性。去離子水以電阻率 (resistively) 來定義好壞，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；為此需動用多重離子交換樹脂、RO逆滲透、與UV
2011-09-23 14:41:42
半導體材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導體導電性能介于導體與絕緣體之間。 本征半導體純凈的具有晶體結構的半導體稱為本征半導體。(由于不含雜質且為晶體結構，所以導電性比普通半導體差
2020-06-27 08:54:06
超聲波線束焊接機利用超聲波金屬焊接技術對金屬線束進行焊接加工，把高頻電能通過換能器轉換成機械振動能作用于金屬線束上，當振動摩擦生熱的溫度到達線束金屬熔點時，線束就會熔化，并且線束在融合的同時線束焊接裝置會施加一定的壓力，最后線束焊接裝置移開并停止機械振動，就會形成線束焊接效果。
2019-10-22 09:03:00
的半導體過程控制技術來嚴格監控工藝過程狀態，而SPC就是其中最重要的一種技術。本文針對SPC做了簡要概述，著重論述了根據半導體生產工藝的特點來實現其在半導體晶圓廠的實際應用。 關鍵詞：半導體；SPC；過程
2018-08-29 10:28:14
設備參數 ZEISS Auriga Compact 1.場發射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導體、陶瓷、高分子材料、有機聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:16:04
設備參數 ZEISS Auriga Compact 1.場發射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導體、陶瓷、高分子材料、有機聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:20:28
設備參數 ZEISS Auriga Compact 1.場發射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導體、陶瓷、高分子材料、有機聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率
2017-06-29 14:24:02
壓阻薄膜生長后，采用光刻、濕法刻蝕、離子注入和蒸發金屬剝離圖案技術制作壓敏電阻微結構。引入電感耦合等離子體 (ICP) 將兩個槽蝕刻到壓阻層，然后在壓阻薄膜臺面的頂部沉積和圖案化 Ti/Pt/Au
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：超大規模集成電路制造技術簡介編號：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據其導電特性可分為三大類：絕緣體導體半導體
2021-07-09 10:26:01
新加坡知名半導體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設備主管！此職位為內部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經驗。刻蝕設備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優厚。有興趣的朋友可以將簡歷發到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會轉發給HR。
2017-04-29 14:23:25
一般都是比其他精密電阻差。2.精密薄膜電阻精密薄膜電阻的技術發展代表了可以被大量商用的精密電阻技術，也是目前最流行的精密電阻技術。通過長時間多層的膜層沉積，高精密的調阻和后期的篩選，最優的精密薄膜電阻
2019-04-26 13:55:26
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電阻
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術（GaAs 和InP）已經逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續不斷地減小，硅技術已經加入了這個“游戲”。在本文中，按照半導體特性和器件要求，對可用
2019-07-31 07:43:42
化學反應后生成Si原子并沉積在襯底上，生長出晶體取向與襯底相同的Si單晶外延層，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業化生產。氣相外延爐主要是為氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上，生長
2018-09-03 09:31:49
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
單芯片互補式金屬氧化物半導體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應用以及特點？
2021-06-17 08:54:54
及分析。 1. 設備參數 ZEISS Auriga Compact 1.場發射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導體、陶瓷、高分子材料、有機聚合物等，放大率：12×～1000,000
2017-06-29 14:08:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯
請問有沒有這種做法，就是在pcb上畫一圈一圈的金屬線，當電感用？請問可以用protel99來設計嗎？謝謝~
2012-12-20 16:58:39
安森美半導體應用于物聯網的成像技術和方案分享
2021-05-31 07:07:32
的技術面加以探討，為業界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入于研發ESD保護技術，通過先進的ESD保護技術和完整的產品系列，使電子元件具備優異的電路保護性能。
2019-05-30 06:50:43
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
尊敬的先生/女士，我想找出所有VIRTEX-6的半導體安裝技術，是倒裝芯片安裝技術的芯片嗎？謝謝問候，缺口
2020-06-15 16:30:12
，以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。刻蝕（英語：etching）是半導體器件制造中利用化學途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對于器件的電學性能十分重要。如果刻蝕過程中出現失誤，將造成難以恢復
2017-10-09 19:41:52
的設備?？晒?b class="flag-6" style="color: red">半導體工藝設備包括：光刻機 步進光刻機 涂膠顯影 化學濕臺 沉積設備 劃片及磨片設備 電子束蒸發 CVD沉積設備 刻蝕設備 離子注入機 顯微鏡 探針臺 薄膜測厚儀 表面檢測設備 鍵合機
2009-10-14 11:05:53
文/編譯楊碩王家農在網絡無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導體技術路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導體技術發展預測中認為，隨著技術和體系結構推進“摩爾定律”和生產力極限
2019-07-24 08:21:23
氣體接觸，由于氧的減少，勢壘降低，電子移動變得容易，電導率增加，電阻率下降。3、吸附氧理論 吸附氧理論是表面吸附機理和晶界勢壘模型兩者的結合，是目前公認較好的理論。當半導體表面吸附了氧這類電負性
2018-10-24 14:21:10
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
`哪位了解LCVD激光氣相沉積設備，想買一臺用來做補線用。如圖，沉積出寬10um左右的金屬線。求大神指點！`
2014-01-17 10:36:02
“通過創新，電子系統將使汽車可以自動操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導體汽車及標準產品部亞太地區市場總監Allen Kwang高度評價汽車電子的創新意義。而汽車電子創新顯然與動力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統發展趨勢息息相關。
2019-07-24 07:26:11
本帖最后由 濟世良駒 于 2016-10-10 22:31 編輯
第一講 半導體的導電特性1、半導體的導電能力介于導體和絕緣體之間，硅、鍺、硒以及大多數金屬氧化物和硫化物都是半導體。2、常見
2016-10-07 22:07:14
刻蝕工藝以滿足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合，進行半導體工藝流程分析 任職要求： 1、大學本科學歷（含）以上 2、掌握半導體基礎理論，制品及器件技術，熟悉設備 、工藝 、 制造等相關內容
2016-10-26 17:05:04
試述為什么金屬的電阻溫度系數是正的而半導體的是負的？
2023-04-23 11:27:04
怎樣通過ASV技術去生成準確的3D深度圖？采用艾邁斯半導體的ASV技術有什么特點？
2021-07-09 06:25:46
. ?。?）薄膜電容加工 因為MIS（Metal-Insulator-Semiconductor金屬-絕緣體-半導體結構）薄膜電容利用半導體作為底電極，使電容本身具有寄生電阻，造成元件的共振頻率降低
2018-09-11 16:12:05
金屬線脹系數的測定:學習用光杠桿法測量金屬棒的線脹系數。 光杠桿原理T:望遠鏡；M:光杠桿(反光鏡)；P:標尺；C:有孔圓柱體；m,c:金屬桿受熱膨脹后的光杠桿和圓柱體 ；a:光
2009-06-08 21:25:15
25 半導體制程之薄膜沉積
在半導體組件工業中，為了對所使用的材料賦與某種特性，在材料表面上常以各種方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585750 
金屬線脹系數的測量
實驗目的：學習利用光杠桿測量金屬棒的線脹系數。儀器和用具：線脹系數測定裝置、光杠桿、尺度望遠
2009-06-08 21:29:0612572 
金屬材料的共同特征是典型地顯出特有的光澤,是良好的導電體和導熱體,不透明,在一定的高溫下可熔解,通常可鍛而有延展性。金屬在電線電纜中的應用主要作為導體和屏蔽層材料，如銅
2011-12-20 17:17:3236 半導體制造刻蝕設備調度算法的研究_賈小恒
2017-03-19 11:28:162 半導體知識：PVD金屬沉積制程講解
2019-07-24 11:47:2312920 
本文檔的主要內容詳細介紹的是金屬和半導體的接觸教程詳細說明包括了:金屬-半導體接觸的能帶圖，肖特基勢壘的整流特性，肖特基勢壘的電流輸運，勢壘電容，肖特基二極管的應用，金屬-半導體歐姆接觸
2020-04-10 08:00:004 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領先企業 memsstar 向《電子產品世界》介紹了 MEMS 與傳統 CMOS 刻蝕與沉積工藝的關系，對中國本土 MEMS 制造工廠和實驗室的建議等。 1
2022-12-13 11:42:001974 刻蝕是半導體制造中十分關鍵的一環，刻蝕通過物理或化學方法將硅片表面不需要的材料去除，從而將掩膜圖形正確的復制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573524 薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ，薄膜的技術參數直接影響芯片性能。
半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求，而ALD技術憑借沉積薄膜厚度的高度可控性、優異的均勻性和三E維保形性,在半導體先進制程應用領域彰顯優勢。
2023-02-16 14:36:54734 光刻機、刻蝕機設備、氣相沉積設備是三大核心半導體設備，占據了產線設備總投資額70%。
2023-02-22 11:34:49938 金屬和半導體的接觸
2023-03-08 16:40:001101 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:163042 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:543333 本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:491355 
經過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52738 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:272684 
由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進節點芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關鍵尺寸(CD)和線間隔，這會導致更高的金屬線電阻和線間電容。
2023-06-09 12:55:52623 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571600 
，因此光刻、刻蝕和薄膜沉積設備是芯片加工過程中最重要的三類主設備，占前道設備的近70%。近些年來我國已經開始在各類設備中開展追趕式研發，在技術難度最高的這些主設備中
2022-08-25 17:35:24782 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-06-29 16:58:37709 
在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層?！暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:171157 
和在刻蝕工藝中一樣，半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質量。例如，降低壓強，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的沉積質量。因為，壓強低表明設備內反應氣體粒子
2023-07-02 11:36:402094 
半導體同時具有“導體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質添加到純硅中，使其具有導電性能。我們可以根據實際需要使半導體導電或絕緣。 重復光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:572692 
在半導體制造過程中，每個半導體元件的產品都需要經過數百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分，它關系到半導體芯片的基本結構和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術難點多，操作復雜。
2023-07-11 11:25:554213 
在半導體制程中，移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種，引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如，光刻工藝中的光刻膠涂敷，其實也是在基底上形成各種薄膜；又如氧化工藝中晶圓（硅）氧化，也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢？
2023-08-17 15:33:27644 
半導體技術在當今社會已成為高科技產品的核心，而在半導體制造的各個環節中，銅憑借其出色的性能特點，已成為眾多工藝應用的關鍵材料。在半導體領域中，銅主要被用于制造互連線路。在傳統的互連制造中，銅通常被用作通過化學氣相淀積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）技術沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:151337 銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23492 
半導體設備系列研究-薄膜沉積設備
2023-01-13 09:06:529 半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26518 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應，避免產生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:534543 優化硅的形態與沉積方式是半導體和MEMS工藝的關鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術。
2024-01-22 09:32:151711 
近日，美國知名數字標牌解決方案供應商Stratacache與半導體技術公司Lumiode達成戰略合作，共同推動Micro LED技術的進一步發展。Stratacache計劃將Lumiode的背板沉積技術集成到其即將完成的Micro LED生產線E4當中。
2024-02-05 17:07:04861 薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設備就叫薄膜沉積設備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類
2024-03-28 14:22:41504 
及電阻率增加問題，半導體行業正在尋找替代銅的金屬線材料。 l 在較小尺寸中，釕的性能優于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。 隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導體行業一直在努力尋找可取代傳統銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。 相比金屬線寬
2024-04-09 17:11:12235 
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