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電子發燒友網>制造/封裝>今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E

今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E

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SK海力士開發出全球最高規格HBM3E

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SK海力士開發出全球最高規格HBM3E,向英偉達提供樣品

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SK海力士全球最高性能HBM3E內存

HBM3E內存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
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與此同時,SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術,其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統中,無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
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sk海力士最近就華為mate 60 pro可能使用sk海力士存儲芯片的半導體解體疑惑表示,美國政府對華為采取限制措施后,沒有與華為進行交易,目前正在展開調查。
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近期,有關韓國SK海力士華為提供關鍵芯片的消息引起了廣泛關注。據某拆解視頻顯示,華為最新款手機Mate60 Pro的存儲芯片上顯示著“SK海力士”標識,但未能獲取到有關存儲芯片核心信息的詳細資料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工藝目前還沒有定論。
2023-09-18 16:58:032146

1.1TB HBM3e內存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

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英偉達大量訂購HBM3E內存,搶占市場先機

英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存,為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
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傳三星/SK海力士開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
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傳英偉達與SK海力士協調2025年HBM供應

據可靠消息來源透露,英偉達與SK海力士開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器(HBM)供應進行協調。這一合作的背后,是雙方對未來技術趨勢的共同預見和市場需求的高度敏感性。
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SK海力士HBM3E內存提前兩個月大規模生產,專用于英偉達AI芯片

值得一提的是,半導體產品的研發周期通常共九個階段,而 SK 海力士已經成功走過了各個環節,正在進行最后的產量提升階段。這代表著現有的HBM3E產能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
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SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲器,領先三星

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三星電子HBM存儲技術進展:12HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

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三星重磅發布全新1236GB HBM3e DRAM

12HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
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HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
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SK海力士12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內存或供應不足

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SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09330

SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器

據業內人士預計,HBM4E堆疊層數將增加到16~20,而SK海力士原本計劃在2026年量產16HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:35328

SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產

SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13697

三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注

業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201088

三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行,與英偉達展開聯合測試并取得階段性成果

據行業觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準,而這與三星自身的生產方式有所出入,從而影響了產品的認證進程。
2024-05-17 09:30:53287

SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM

近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46412

SK海力士HBM3E內存良率已達80%

早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30342

SK海力士HBM3E量產時間縮短50%,達到大約80%范圍的目標良率

據報道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:17679

中國AI芯片和HBM市場的未來

 然而,全球HBM產能幾乎SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產
2024-05-28 09:40:31630

美光HBM3E解決方案,高帶寬內存助力AI未來發展

美光近期發布的內存和存儲產品組合創新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發展。美光 8 堆疊12 堆疊 HBM3E 解決方案提供業界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13474

SK海力士HBM技術再創新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27470

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22580

SK海力士擴大1b nm DRAM產能以應對HBM3E需求

據韓國媒體報道,為了應對市場對高性能HBM3E(高帶寬內存第三代增強版)內存的激增需求,全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內存產能。這一戰略決策旨在確保公司能夠穩定供應高質量內存產品,同時進一步鞏固其在全球半導體市場的領先地位。
2024-06-18 16:25:57375

英偉達巨資預訂HBM3E,力拼上半年算力市場

全球AI芯片領域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術實力和市場影響力,始終保持著領先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現出了其獨特的戰略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達13億美元的預算,向美光和SK海力士預訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產能。
2024-06-22 16:46:58893

SK海力士堆疊3D DRAM生產良率達到56.1%

)提交了一份關于3D DRAM(三維動態隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士3D DRAM領域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29612

SK海力士5堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%

全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5堆疊3D DRAM良品率高達56.1%,這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:22478

SK海力士加速布局HBM市場,產能擴增應對爆發式增長

的一次公開場合中明確指出,隨著ChatGPT等AI應用的興起,HBM市場需求呈現出爆炸性增長態勢,預計其復合年增長率(CAGR)將高達70%。這一預測不僅彰顯了SK海力士HBM市場前景的堅定信心,也預示著半導體行業即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:49417

SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術

在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業創新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:19664

SK海力士與Amkor攜手推進硅中介合作,強化HBM市場競爭力

在半導體行業日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現其前瞻布局與技術創新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(OSAT)大廠Amkor就硅中介(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51494

今日看點蘋果 iPhone 16 Pro / Max 支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產

1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:11554

SK海力士將在2025年底量產400+堆疊NAND

近日,韓國權威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發進程,并且已經設定了明確的發展時間表——計劃在2025年底之前,全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作,緊隨其后,將于2026年第二季度正式啟動并大規模投入生產。
2024-08-01 15:26:42325

三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37377

SK海力士加速NAND研發,400+閃存量產在即

韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+堆疊NAND閃存的量產準備工作,并預計于次年第二季度正式開啟大規模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐,引領行業技術前沿。
2024-08-02 16:56:11933

標普上調SK海力士評級至BBB,看好其HBM領域主導地位

近日,國際知名評級機構標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發行人信用及發行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩定的評級展望。此次上調評級,主要基于SK海力士在高性能內存(HBM)領域的顯著“主導地位”以及全球內存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:32251

三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試

近日,有關三星的8HBM3E芯片通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:02493

SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存

在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創新實力,率先向業界展示了尚未正式發布規范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術領域的領先地位,也為未來的移動設備性能提升奠定了堅實基礎。
2024-08-10 16:52:081268

三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動

進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8HBM3E內存(新一代高帶寬內存產品)順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:56536

SK海力士9月底將量產12HBM3E高性能內存

自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8HBM3E穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12HBM3E量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:36499

美光12堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付

美光科技近期宣布,其“生產可用”的12堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續送達主要行業合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態系統中的效能。
2024-09-09 17:42:37586

SK海力士開始先進人工智能芯片生產

SK海力士宣布,公司正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業界領先的12HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄,為全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:4145

SK海力士引領未來:全球首發12HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局

今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12HBM3E芯片的規模化生產,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:31117

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇

電子發燒友網報道(文/李彎彎)據報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業知情人士稱,各大科技巨頭都已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:312593

HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局

電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:003421

HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續量產HBM4正在緊鑼密鼓地研發,從規格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134550

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