1. 臺積電2nm小規模試產
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臺積電將于2025年量產其2nm工藝,日本SMC社長高田芳樹近日表示,臺積電已經在其2nm芯片試產線上采用SMC的水冷式冷卻器進行小規模生產。
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SMC宣布,該公司已向臺積電出貨用于2nm芯片試產的冷水機組。SMC正推出專門針對先進半導體工藝的冷水機組產品,旨在使冷水機業務營收翻倍。高田芳樹透露,三星電子對SMC的冷水機組也非常感興趣。據了解,SMC作為冷水機組的領先制造商,在芯片制造市場占據主導地位,市場份額高達40%左右。
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2. 全球首條搭載無FMM技術的第8.6代AMOLED生產線開工
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9月25日,合肥國顯科技有限公司舉行第8.6代AMOLED生產線開工活動。合肥國顯將打造全球首條搭載無FMM技術(ViP)的第8.6代AMOLED生產線,這是全球最先進的高世代AMOLED產線,其建設將進一步挖掘AMOLED的增長潛力,加速駛入中尺寸新藍海,重塑全球AMOLED面板供應格局。
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該產線落地合肥新站高新區,總投資550億元,設計產能每月3.2萬片玻璃基板(尺寸為2290mm×2620mm)。合肥國顯負責該產線的投資、建設和運營,該公司將由維信諾、合肥市投資平臺出資。維信諾和合肥國顯在創新技術轉化方面將大力協同,為創新高地再添彩,為新型顯示產業發展再助力。
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3. 英特爾正式推出Gaudi3 AI芯片:比英偉達H100慢,成本更低
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英特爾近日正式推出用于AI工作負載的Gaudi3加速器。新芯片的速度比英偉達廣受歡迎的H100和H200 GPU(用于AI和HPC)要慢,因此英特爾將其Gaudi3的成功押注于其較低的價格和較低的總擁有成本(TCO)。
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英特爾的Gaudi3處理器使用兩個芯片,包含64個張量處理器核心(TPC,帶有FP32累加器的256x256 MAC結構)、8個矩陣乘法引擎(MME,256位寬矢量處理器)和96MB片上SRAM緩存,帶寬為19.2TB/s。此外,Gaudi3集成24個200GbE網絡接口和14個媒體引擎,后者能夠處理H.265、H.264、JPEG和VP9,以支持視覺處理。該處理器配備128GB HBM2E內存,分為八個內存堆棧,可提供3.67TB/s的巨量帶寬。
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4. 英偉達RTX 4090 GPU在歐洲漲價,庫存基本售罄
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英偉達Ada Lovelace系列在全球大部分地區供應充足,尤其是中端和中高端產品。另一方面,旗艦GPU RTX 4090似乎并不像其他GPU那樣供應充足,至少在世界某些地區是這樣。根據最新報告,大多數供應商似乎都想脫手這款GPU,歐洲區庫存基本售罄。
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據報道,德國許多零售店以高于制造商建議零售價的價格出售這款GPU。RTX 4090的供應量看起來與往常一樣平均。近一年對GPU價格的監測數據顯示,RTX 4090的當前價格已上漲25%。
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5. SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E
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SK海力士26日宣布,公司全球率先開始量產12層HBM3E新品,實現了現有HBM*產品中最大**的36GB(千兆字節)容量。公司將在年內向客戶提供產品,繼今年3月全球率先向客戶供應8層HBM3E后,僅時隔6個月再次展現出其壓倒性的技術實力。
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SK海力士強調:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E),? 公司是唯一一家開發并向市場供應全系列HBM產品的企業。公司業界率先成功量產12層堆疊產品,不僅滿足了人工智能企業日益發展的需求,同時也進一步鞏固了SK海力士在面向AI的存儲器市場的領導者地位。”
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6.華為 Mate 70 系列被曝整機已量產,定于 11 月上市
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報道稱,華為 Mate 70 系列整機已經量產,此前定于 11 月上市。供應鏈人士稱,“零部件已經在供貨,快的話 10 月底也有可能,目前手機整機已經生產很多了。”
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博主 @剎那數碼、@數碼閑聊站 等人都認為華為 Mate 70 系列會在第四季度晚些時候,也就是 11 月左右發布,搭載全新麒麟 5G SoC,首發鴻蒙 HarmonyOS NEXT 正式版。現有爆料顯示,華為 Mate 70 系列采用了 1.5K LTPO 屏幕、 5000 萬像素的 OV50K 主攝 + 超大可變光圈,配備 5000~6000mAh 的新型硅負極電池(榮耀第三代青海湖電池硅含量已突破 10%,擁有行業最高 24.7% 的電池整機體積比)。此外,華為 Mate 70 非凡大師版手機采用全陶瓷后蓋,已拋棄雙拼結構。
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今日看點丨華為 Mate 70 系列被曝整機已量;SK海力士全球率先量產12層堆疊HBM3E
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2024-03-25 15:36:11343
三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內存
據最新消息透露,英偉達即將從今年9月開始大規模采購12層HBM3E內存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業內帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:06526
剛剛!SK海力士出局!
在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:08461
三星電子HBM存儲技術進展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市
據業內透露,三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司,有能力在2024年9月實現對英偉達的替代,這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09677
三星重磅發布全新12層36GB HBM3e DRAM
12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s,這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:09346
SK海力士與臺積電共同研發HBM4,預計2026年投產
自 HBM3E(第五代 HBM 產品)起,SK海力士的 HBM 產品基礎裸片均采用自家工藝生產;然而,從 HMB4(第六代 HBM 產品)開始,該公司將轉用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07493
SK海力士將采用臺積電7nm制程生產HBM4內存基片
HBM內存基礎裸片即DRAM堆疊基座,兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內存合作協議,首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19668
SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年內存或供應不足
韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財報電話會議上,他們承諾第三季度能夠成功研發出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片,然而由于供應壓力,可能在下半年出現短缺現象。
2024-04-25 14:45:07370
SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議,原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21336
SK海力士明年HBM產能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39381
SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09330
SK海力士提前一年量產HBM4E第七代高帶寬存儲器
據業內人士預計,HBM4E的堆疊層數將增加到16~20層,而SK海力士原本計劃在2026年量產16層的HBM4產品。此外,該公司還暗示,有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現更高的堆疊層數。
2024-05-15 09:45:35328
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明,SK海力士在HBM技術領域的研發速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13697
三星HBM3E芯片驗證仍在進行,英偉達訂單分配備受關注
業內評論指出,三星HBM之所以出現問題,主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異,導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201088
三星電子HBM3E芯片驗證仍在進行,與英偉達展開聯合測試并取得階段性成果
據行業觀察者透露,三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準,而這與三星自身的生產方式有所出入,從而影響了產品的認證進程。
2024-05-17 09:30:53287
SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作,確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:46412
SK海力士HBM3E內存良率已達80%
早在今年3月份,韓國媒體DealSite報道中指出,全球HBM存儲器的平均良率約為65%。據此來看,SK海力士在近期對HBM3E存儲器的生產工藝進行了顯著提升。
2024-05-23 10:22:30342
中國AI芯片和HBM市場的未來
然而,全球HBM產能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據AI GPU市場80%份額,是Nvidia HBM3內存獨家供應商,且已于今年3月啟動HBM3E量產。
2024-05-28 09:40:31630
美光HBM3E解決方案,高帶寬內存助力AI未來發展
美光近期發布的內存和存儲產品組合創新備受矚目,這些成就加速了 AI 的發展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業界前沿性能,功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13474
SK海力士HBM技術再創新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27470
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22580
SK海力士擴大1b nm DRAM產能以應對HBM3E需求
據韓國媒體報道,為了應對市場對高性能HBM3E(高帶寬內存第三代增強版)內存的激增需求,全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DRAM內存產能。這一戰略決策旨在確保公司能夠穩定供應高質量內存產品,同時進一步鞏固其在全球半導體市場的領先地位。
2024-06-18 16:25:57375
英偉達巨資預訂HBM3E,力拼上半年算力市場
在全球AI芯片領域的激烈競爭中,英偉達以其卓越的技術實力和市場影響力,始終保持著領先地位。最近,這家AI芯片大廠再次展現出了其獨特的戰略眼光和強大的資金實力,以確保其新品GH200和H200能夠順利出貨,不惜以高達13億美元的預算,向美光和SK海力士預訂了部分高帶寬存儲HBM3e的產能。
2024-06-22 16:46:58893
SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產良率達到56.1%
)提交了一份關于3D DRAM(三維動態隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:29612
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:22478
SK海力士加速布局HBM市場,產能擴增應對爆發式增長
的一次公開場合中明確指出,隨著ChatGPT等AI應用的興起,HBM市場需求呈現出爆炸性增長態勢,預計其復合年增長率(CAGR)將高達70%。這一預測不僅彰顯了SK海力士對HBM市場前景的堅定信心,也預示著半導體行業即將迎來一場深刻的變革。
2024-07-08 11:54:49417
SK海力士將在HBM生產中采用混合鍵合技術
在半導體技術日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業創新的前沿。據最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產過程中引入混合鍵合技術,這一舉措不僅標志著SK海力士在封裝技術上的重大突破,也預示著全球半導體行業將迎來新一輪的技術革新。
2024-07-17 09:58:19664
SK海力士與Amkor攜手推進硅中介層合作,強化HBM市場競爭力
在半導體行業日益激烈的競爭中,SK海力士再次展現其前瞻布局與技術創新的決心。近日,有消息稱SK海力士正與全球知名的封裝測試外包服務(OSAT)大廠Amkor就硅中介層(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51494
今日看點丨蘋果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先進芯片今年量產
1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
2024-08-01 11:08:11554
SK海力士將在2025年底量產400+層堆疊NAND
近日,韓國權威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發進程,并且已經設定了明確的發展時間表——計劃在2025年底之前,全面完成高達400多層堆疊NAND的半成品制備工作,緊隨其后,將于2026年第二季度正式啟動并大規模投入生產。
2024-08-01 15:26:42325
三星HBM3e芯片量產在即,營收貢獻將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37377
SK海力士加速NAND研發,400+層閃存量產在即
韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術的革新,據韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產準備工作,并預計于次年第二季度正式開啟大規模生產。這一舉措標志著SK海力士在NAND閃存領域再次邁出堅實步伐,引領行業技術前沿。
2024-08-02 16:56:11933
標普上調SK海力士評級至BBB,看好其HBM領域主導地位
近日,國際知名評級機構標準普爾全球評級(S&P Global Ratings)宣布了一項重要決策,將SK海力士的長期發行人信用及發行評級從BBB-提升至BBB,并維持穩定的評級展望。此次上調評級,主要基于SK海力士在高性能內存(HBM)領域的顯著“主導地位”以及全球內存市場的積極復蘇趨勢。
2024-08-08 09:48:32251
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日,有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:02493
SK海力士率先展示UFS 4.1通用閃存
在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創新實力,率先向業界展示了尚未正式發布規范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術的前沿。此次展示不僅彰顯了SK 海力士在存儲技術領域的領先地位,也為未來的移動設備性能提升奠定了堅實基礎。
2024-08-10 16:52:081268
三星HBM3E內存挑戰英偉達訂單,SK海力士霸主地位受撼動
進入八月,市場傳言四起,韓國存儲芯片巨頭三星電子(簡稱“三星”)的8層HBM3E內存(新一代高帶寬內存產品)已順利通過英偉達嚴格測試。然而,三星迅速澄清,表示這一報道與事實相去甚遠,強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:56536
SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存
自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36499
美光12層堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付
美光科技近期宣布,其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續送達主要行業合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態系統中的效能。
2024-09-09 17:42:37586
SK海力士開始先進人工智能芯片生產
SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段,批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現有HBM產品的記錄,為全球人工智能領域的發展注入了強勁動力。
2024-09-26 14:24:4145
SK海力士引領未來:全球首發12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局
今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HBM3E芯片的規模化生產,此舉不僅將HBM存儲器的最大容量推升至史無前例的36GB新高度,更進一步鞏固了SK海力士在AI應用存儲器市場的領軍地位。
2024-09-26 16:30:31117
英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產設備廠迎機遇
電子發燒友網報道(文/李彎彎)據報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3E。半導體行業知情人士稱,各大科技巨頭都已經在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:312593
HBM格局生變!傳三星HBM3量產供貨英偉達,國內廠商積極布局
電子發燒友網報道(文/吳子鵬)根據韓媒sedaily 的最新報道,三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時,美光已經為英偉達供應HBM3E。至此,高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:003421
HBM3E量產后,第六代HBM4要來了!
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續量產,HBM4正在緊鑼密鼓地研發,從規格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展,原本SK海力士計劃2026年量產HBM4,不過最近
2024-07-28 00:58:134550
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