電子發燒友網報道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進一步。3月份，意法半導體（STMicroelectronics）宣布與三星聯合推出18nm FD-SOI工藝。該工藝支持嵌入式相變存儲器（ePCM）。
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在FD-SOI領域，三星已經深耕多年，其和意法半導體之間的合作也已經持續多年。早在2014年，意法半導體就曾對外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來量產自己的產品。意法半導體表示，相較于其現在使用的40nm eNVM技術，采用ePCM的18nm FD-SOI工藝大幅提升了性能參數：其在能效上提升了50%，數字密度上提升了3倍，同時可容納更大的片上存儲器，擁有更低的噪聲系數。
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在2024年第九屆上海FD-SOI論壇上，三星電子18FDS工藝集成與項目經理Jinha Park更進一步分享了三星18FDS的一些特征性能。他表示，這些年，三星一直都在打磨自己的18FDS工藝，包括曾于2019年和Arm建成了當時業界第一個綜合物理IP平臺，包括一個位于18FDS (18nm FDSOI)的eMRAM編譯器。三星18FDS工藝能夠提供很多創新的特征性能，比如三星18FDS工藝原生支持3.3V，可以讓外部設備使用更高的3.3V進行傳輸，相較于1.8V傳輸有著更高的傳輸速度和效率。
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第二個特征優勢是，三星18FDS工藝提供混合STD（LVT/RVT/HVT），當前先進工藝都會提供不同的cell library，分為：LVT、RVT、SVT（?Standard V threshold?）、HVT (?High V threshold?)?等，讓設計人員可以通過改變器件工藝角的方式來修復set up/hold violation等問題。三星18FDS工藝的這一特征能夠幫助設計人員在不影響性能的情況下進一步優化芯片的功耗。
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第三個特征優勢是，三星18FDS工藝提供PPA（功率、性能和面積/成本）分析功能。PPA的優化一直是芯片設計的核心目標。然而，隨著技術的不斷進步和復雜系統的興起，這些傳統指標的相關性正逐漸減弱。也就是說，在當前的芯片設計工程中，PPA優化更具挑戰性，三星18FDS工藝平臺提供的分析功能可以幫助設計人員。
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Jinha Park表示，當前FD-SOI工藝已經成為自動駕駛、消費電子、通訊、機器人和工業等領域的優質選擇。三星18FDS工藝提供原生3.3V和低泄漏電流等核心功能，將會成為物聯網和MCU領域的重要平臺節點。