絕緣體上硅)技術發展規劃。半導體器件和 FD-SOI技術創新對法國和歐盟以及全球客戶具有戰略價值。FD-SOI 能夠為設計人員和客戶系統帶來巨大的好處，包括更低的功耗以及更容易集成更多功能，例如，通信
2022-04-21 17:18:48
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本文論述并比較目前移動平臺所采用的主要的多核處理技術，重點介紹多核處理技術與意法·愛立信未來產品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術之間的協同效應
2013-02-03 14:19:002055 
意法半導體宣布，其28納米FD-SOI技術平臺在測試中取得又一項重大階段性成功:其應用處理器引擎芯片工作頻率達到3GHz，在指定的工作頻率下新產品能效高于其它現有技術。
2013-03-13 09:40:241436 
意法半導體獨有的FD-SOI技術配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091359 在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223878 半導體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發出支援4種技術制程的22nm FD-SOI平臺，以滿足新一代物聯網（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導體
2015-10-08 08:29:221033 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯網（IoT）與汽車市場取代鰭式場效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
2016-04-18 10:16:033258 
Globalfoundries技術長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發后續制程。
2016-05-27 11:17:321235 Samsung Foundry行銷暨業務開發負責人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發性記憶體將分兩階段發展，首先是在
2016-07-28 08:50:141142 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當14納米節 點，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設計成本也低25%左右，并降低了需要重新設計的風險。
2016-09-14 11:39:022000 
晶體管（FinFET）制程技術外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場，并推出22納米及12納米FDX制程平臺，搶攻物聯網商機。
2016-11-17 14:23:22972 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲
2017-09-25 17:21:098275 5G時代將對半導體的移動性與對物聯網時代的適應性有著越來越高的要求。此時，FD-SOI與RF-SOI技術的優勢日漸凸顯，人們對SOI技術的關注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712565 今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開發超低功耗MCU參考設計方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平臺的嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。雙方合作所提供的技術
2018-03-01 14:52:0611347 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:199789 和FD-SOI，其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術，雖然很少被提及，但在很多設備上都有重要的應用。 ? 射頻前端底層技術 ? 射頻前端的重要性不言而喻，是任何通信系統核心中的核心，RF-SOI正是用于各種射頻器件，目前已經是各類射頻應用里主流的襯底，如射頻開關、LNA、調諧器
2024-02-19 00:59:003377 的肯定。吳冰?移遠通信LTE-A&5G Module產品經理上海移遠通信技術股份有限公司 產品經理，負責高速LTE及5G蜂窩接入產品線。 西安電子科技大學 電子工程及國際企業管理
2020-01-14 09:23:54
，隨著RF開關變得越來越復雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數字應用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠實現高擊穿電壓和低
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
RF-SOI技術在5G中的應用前景簡析
2021-01-04 07:02:15
，隨著RF開關變得越來越復雜，這兩種工藝變得太貴了。RF SOI不同于完全耗盡的SOI（FD-SOI），適用于數字應用。與FD-SOI類似，RF SOI在襯底中具有很薄的絕緣層，能夠實現高擊穿電壓和低
2017-07-13 09:14:06
工藝節點中設計，但是 FD-SOI 技術提供最低的功率，同時可以承受輻射效應。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數據轉換器需要同時具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
，已成為包括臺積電在內的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調，在這期間，與FinFET技術齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
引言隨著半導體技術的發展,深亞微米工藝加工技術允許開發上百萬門級的單芯片，已能夠將系統級設計集成到單個芯片中即實現片上系統SoC。IP核的復用是SoC設計的關鍵，但困難在于缺乏IP核與系統的接口標準
2019-06-11 05:00:07
的S OC設計是以超深亞微米IC設計技術為基礎的，具有集成電路ASIC設計的復雜程度。隨著SOC平臺和EDA 技術發展以及IP新經濟模式的推動，在SOC應用設計上越來越多的從傳統的硅片設計轉到利用
2008-08-26 09:38:34
如何開始著手學習或者說有哪些相關的書籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
此前，我們報道了英集芯發布旗下首款全集成無線充SoC芯片IP6808，正式進入無線充電行業。近日我們獲悉，這款芯片通過了Qi v1.2.4認證，WPC無線充電聯盟官網注冊時間為7月10日，登記ID為
2018-07-23 19:48:43
IP680支持QI1.2.4協議IP6808無線充方案近日，英集芯發布了旗下首款全集成無線充SoC芯片IP6808，正式進入無線充電行業?？瓢l鑫電子是英集芯INJOINIC正式代理商。P6808它是
2018-09-06 20:29:49
SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:16
10 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42661 22nm以后的晶體管技術領域，靠現行BulkMOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421600 IBM、ARM同一批半導體生產商正在進行一項關于小功率SOI芯片組的研究計劃，打算將采用體硅制成的CMOS設計轉換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56488 意法半導體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實驗室和設計公司將可透過CMP的硅中介服務採用意法半導體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501289 日前，意法半導體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術，這證明了意法半導體以28奈米技術節點提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術的能力。
2012-12-14 08:45:27887 意法愛立信發布了首個單射頻方案實現載波聚合的極速LTEAdvanced Modem平臺Thor M7450，以及采用了FD-SOI技術的3GHz NovaThor L8580處理器。
2013-02-26 16:26:51986 意法半導體（ST）宣布意法半導體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件（FD-SOI）技術榮獲2013年度電子成就獎（ACE）能源技術獎。根據客戶的節能與性能權衡策略，FD-SOI芯片本身可節約20%至50%的能耗，使終端設備可更快散熱，并實現更長的使用壽命。
2013-05-10 09:06:431003 無線設備提供持續強勁且清晰的網絡連接。 移動市場對RF SOI的追捧持續升溫，因為它以高性價比實現了低插入損耗，在廣泛的頻段內實現低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數據傳輸速度，同時有望
2017-12-07 10:29:321 據報道,意法半導體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺和技術領導力，格芯FDX技術將賦能ST為新一代消費者和工業應用提供高性能、低功耗的產品。
2018-01-10 16:04:426147 集微網消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導體供應商意法半導體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術平臺，以支持用于工業及消費性
2018-01-10 20:44:02842 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031518 在工藝節點進展方面，三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示，三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001844 ST表示，與傳統的塊狀硅技術相較，FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性，而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容；此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00803 物聯網FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體制程技術，除了即將量產的7奈米FinFET尖端制程，以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米制程節點，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002512 雙方共同開發的技術解決方案將大幅降低物聯網及穿戴式產品的耗電及芯片尺寸 今日，格芯與eVaderis共同宣布，將共同開發超低功耗MCU參考設計方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX
2018-03-02 15:29:01170 格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布推出業內首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術是格芯最先進的RF SOI技術，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應用的前端模塊（FEM）帶來顯著的性能、集成和面積優勢。
2018-05-03 11:48:001444 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術取得了36項設計訂單，其中有超過十幾項設計將會在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競爭對手三星則預計今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134720 格羅方德半導體今日發布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現了業內首個多節點FD-SOI路線圖，從而延續了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統而設計。
2018-05-14 15:54:002575 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術平臺已通過AEC-Q100(2級)認證，準備投入量產。作為業內符合汽車標準的先進FD-SOI
2018-05-25 11:20:001593 許多代工廠都在擴大其200mm RF SOI晶圓廠產能，以滿足急劇增長的需求。GlobalFoundries，TowerJazz，臺積電和聯電正在擴大300mm RF SOI晶圓產能，以迎接5G，爭搶第一波RF業務。
2018-05-29 06:08:006850 
生產FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產），三星代工廠（28納米工藝投產中，18納米工藝計劃投產），以及格芯代工廠（22納米工藝投產中，12納米計劃投產）。
2018-08-02 11:35:244606 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發，轉而專注現有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002271 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導體知識產權（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX?）工藝平臺上，為業界提供用于低功耗藍牙
2018-09-26 11:14:504528 關鍵詞：SOI , 8SW , FEM , 格芯 基于成熟制造工藝的RF SOI技術達到新的里程碑，芯片出貨量超過400億 格芯今日在其年度全球技術大會(GTC)上宣布，針對移動應用優化的8SW
2018-10-04 00:12:01348 能在全球范圍內收獲了超過20億美元的收益，并在超過50項客戶設計中得到采用。本次兩位中國客戶的成功流片再次印證了22FDX技術在實際應用中的可靠性和靈活性。 格芯全球副總裁兼大中華區總經理白農先生表示：“22FDX 是業內首個 22nm FD-SOI 平臺，作為業界領先的低功耗芯片平臺，它在全
2018-11-05 16:31:02297 Soitec與三星晶圓代工廠擴大合作 保障FD-SOI晶圓供應，滿足當下及未來消費品、物聯網和汽車應用等領域的需求，確保FD-SOI技術大量供應。
2019-01-22 09:07:00611 隨著FD-SOI技術在系統芯片(SoC)設備的設計中越發受到關注，Soitec的業務也迎來了蒸蒸日上的發展，從其最新的財務報表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122940 關鍵詞：自適應體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節能型SoC設計，推動單芯片集成界限 格芯(GF)和領先的半導體IP提供商Dolphin Integration今日宣布，雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01375 當MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結深已仍不能很好的改善短溝道效應。在SOI絕緣層上的平面硅技術基礎上提出FD-SOI晶體管。研究發現要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 值得注意的是，去年6月，格芯開始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無限期停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:213809 為求低功耗、高能效及高性價比之元件，市場逐漸開發出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結構；而FD-SOI構造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統Si芯片制程方式，進而以水平式晶體管架構，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204508 
日前，格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個長期的300 mm SOI芯片長期供應協議以滿足格芯的客戶對于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術平臺日益增長的需求。建立在兩家公司現有的密切關系上，此份協議即刻生效，以確保未來數年的高水平大批量生產。
2019-06-11 16:47:333584 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比，本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453584 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003752 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444495 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16806 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-12 22:57:17962 AI芯片設計大廠萊迪思半導體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術平臺，發布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現場可程序化邏輯門數組）產品。
2020-02-27 14:54:38801 據外媒報道稱，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282544 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術，該公司正在與幾個客戶合作，計劃在2020年實現多個流片。
2020-03-03 15:10:302370 據外媒報道稱，美國半導體晶圓代工廠商GlobalFoundries（格芯）宣布已經完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27552 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平臺上的嵌入式磁隨機存取存儲器（eMRAM）已正式投入生產。同時格芯正與多家客戶共同合作，計劃于2020年實現多重下線生產
2020-03-04 17:27:352320 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工藝平臺，新型存儲器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存儲器）已投入生產。
2020-03-11 10:54:37810 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-06 17:03:362137 
“FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機、汽車、物聯網等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預計在2020年和2021年會出現FD-SOI使用量的騰飛拐點”，Soitec
2020-07-07 16:04:043602 Lattice Nexus是業界首個基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術平臺，得益于功耗和MIPI 速度上的優勢，基于該平臺的第一款產品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認可
2020-07-15 19:28:42880 Nexus 平臺的獨特之處在于采用了 FD-SOI 工藝。這與之前的 CMOS 工藝相比有很大區別，能夠極大降低功耗。如圖一所示，Certus?-NX 比英特爾和賽靈思的同類產品功耗低 3-4 倍。Certus?-NX 的配置時間極短，能夠讓系統快速啟動。該器件還擁有驗證和加密硬件模塊提升安全性。
2020-08-13 16:35:17853 
重點 ● 雙方在技術賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092215 格芯的8SW RF-SOI的客戶為6 GHz以下5G智能手機的主流FEM供應商。
2020-11-11 10:04:21821 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產品，包括在嵌入式視頻方面應用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445923 射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結構。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術節點的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優點。
2022-09-27 09:09:084057 Arm 推出全新 Arm IP Explorer 平臺，該平臺是一套由 Arm 提供的云平臺服務，旨在為基于 Arm 架構設計系統的硬件工程師與 SoC 架構師，加速其 IP 選擇和 SoC
2023-07-26 16:25:01462 原在本次活動中帶來了一場技術分享，并在展區展示了公司豐富的IP組合。 會上，芯原股份機器學習軟件高級總監毛夏飛以《面向智能顯示設備的超分辨率技術》為題發表演講。他表示，超分辨率 (Super Resolution) 技術不僅是學術界的研究重點，也是產業界著力推動應用創新的技術領域之一，在過去的
2023-09-08 10:23:07490 
（電子發燒友網原創報道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國和SOI產業聯盟支持。該活動自2013年開始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041753 
在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上，GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產業介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:381328 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46395 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:361393 
據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:23520 芯原股份宣布，賽昉科技成功將芯原的先進顯示處理器IP DC8200應用于其基于RISC-V架構的量產SoC昉·驚鴻-7110中。JH-7110 SoC以其卓越的性能、低功耗和安全性，為眾多領域如云計算、工業控制、網絡附加存儲等提供了全面的智能視覺處理方案。
2024-03-27 10:02:09559 炬芯科技宣布（股票代碼：688049.SH）在其高集成度的雙模藍牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中采用了芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）低功耗且功能豐富的2.5D圖形處理器（GPU）IP，為智能腕部穿戴設備提供高性能、高質量的矢量圖形處理能力。
2024-05-15 11:14:13657 
芯原股份（芯原，股票代碼：688521.SH）今日宣布低功耗 AIoT 芯片設計廠商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技， 股票代碼：688049.SH）在其高集成度的雙模藍牙智能手表SoC
2024-05-15 11:39:26451 近日，芯原股份與低功耗AIoT芯片設計廠商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技）達成合作。炬芯科技在其高集成度的雙模藍牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中，成功采用了芯原提供的低功耗且功能豐富的2.5D圖形處理器（GPU）IP。
2024-05-16 14:58:42841 近日，英國劍橋的半導體知識產權（IP）領軍企業Agile Analog宣布了一項重要里程碑，成功在格羅方德（GlobalFoundries，簡稱格芯）的FinFET及FDX FD-SOI先進工藝平臺
2024-07-27 14:41:32910 電子發燒友網報道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，芯原股份創始人、董事長兼總裁戴偉民博士做開幕致辭，并分享了過往和當前FD-SOI發展的一些情況
2024-10-23 10:02:42161 
FD-SOI技術的市場發展現狀與趨勢，尤其是該技術在AIGC時代的應用前景。通過具體分析和比較FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:16151 
。意法半導體表示，相較于其現在使用的40nm eNVM技術，采用ePCM的18nm FD-SOI工藝大幅提升了性能參數：其在
2024-10-23 11:53:0582 
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