小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術指標？什么是氮化鎵技術指標體系？ 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，其中氮化鎵是一種寬能隙
2023-02-16 16:07:44
1927 
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
DER-937是一款采用高度集成的升壓PFC和氮化鎵反激式開關IC設計的100W USB PD充電器，總共僅使用117個元件深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power
2021-11-10 17:34:53
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發現鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
數據中心），或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化鎵等技術，從而提高電源管理系統的效率和規模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
?
尋找理想開關
任何電源管理系統的核心
2019-03-14 06:45:11
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
技術迭代。2018 年，氮化鎵技術走出實驗室，正式運用到充電器領域，讓大功率充電器迅速小型化，體積僅有傳統硅（Si）功率器件充電器一半大小，氮化鎵快充帶來了充電器行業變革。但作為新技術，當時氮化鎵
2022-06-14 11:11:16
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
的系統級解決方案，其市場潛力剛剛開始被關注。氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無線基站到射頻能量等商業射頻領域的主流應用，它從一項高深的技術發展為市場的中流砥柱，這一發展歷程融合了多種因素，是其一致發揮作用的結果
2017-08-15 17:47:34
的關鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術的性能優勢已經過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎設施的實際促技術，其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
，只應用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內已經有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關管，控制器以及驅動器
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
場景1▲圖3：測試場景2測試結果1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號光滑無任何畸變；2.上管關斷瞬間負沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍；3.下管關斷瞬間引起的負沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全
2023-01-12 09:54:23
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關 v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開關速度、產品尺寸和耐熱性的優勢有機統一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
半導體的優勢，使用氮化鎵開關管的保護板，具有更高的耐壓，可為保護板提供更高的過電壓保護能力。期待配套的保護芯片早日成熟，助推氮化鎵鋰電池保護應用，推出更輕、更高效的電池產品。原作者：充電頭網編輯部充電頭網
2023-02-21 16:13:41
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產量繼續提升、氮化鎵器件的價格持續下降、氮化鎵技術不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業界首款專門針對有線電視網絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術，可在
2011-11-16 10:06:461428 APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出內部集成750V PowiGaN?氮化鎵開關
2022-03-22 12:44:091211 Power Integrations正式推出使用有源鉗位的數字可編程反激式氮化鎵開關IC，是適用廣泛、高效，而且尺寸極小的產品系列。 11月15日，作為領先的USB PD設計及應用的革新者
2022-11-21 11:57:19546 
未來已來，氮化鎵的社會經濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯型氮化鎵器件與納芯微隔離驅動器配合，隔離驅動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:25859 
什么是氮化鎵技術 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:452595 和GaN為代表物質制作的器件具有更大的輸出功率和更好的頻率特性。 2、分類狀況 氮化鎵根據襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優勢，適用于5G基站、衛星、雷達等領域；硅
2023-02-03 14:31:18959 氮化鎵工藝技術是什么意思？ 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:521509 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:005315 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學鍵是高度離子化的氮化鎵化學鍵，該化學鍵產生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:188124 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 15:47:334615 
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:263157 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成，相關器件快速發展。第三代半導體氮化鎵產業范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:561480 
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-10 10:43:341716 
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2023-02-12 17:32:163775 硅基氮化鎵技術原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結合在一起，形成一種新的復合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:581405 硅基氮化鎵和藍寶石基氮化鎵都是氮化鎵材料，但它們之間存在一些差異。硅基氮化鎵具有良好的電子性能，可以用于制造電子元件，而藍寶石基氮化鎵具有良好的熱穩定性，可以用于制造熱敏元件。此外，硅基氮化鎵的成本更低，而藍寶石基氮化鎵的成本更高。
2023-02-14 15:57:151719 氮化鎵技術是誰突破的技術 作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件，氮化鎵應用范圍非常廣泛，氮化鎵在數據中心，新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技術是誰突破的技術？ 氮化鎵技術是誰突破的技術
2023-02-16 17:48:444011 來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破，在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中，氮化鎵憑借著在消費產品快充電源領域的如
2023-02-17 18:13:202812 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1420361 ?這兩款適配器，看似體積以及外形都差別不大，但是從原理出發確是天壤之別。今天，我們從原理出發剖析市面上氮化鎵的功能以及參數。 右側為氮化鎵脫掉外衣的樣子，那么！氮化鎵氮化鎵！到底是哪個電子元器件添加
2023-02-21 15:04:24
6 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的電子和光學性質，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:15956 日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用展）上發布的一款重要新品——900V氮化鎵
2023-03-24 10:28:28881 氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優良的電學和光學性質，因此廣泛用于以下領域： 1. 發光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:4610757 相對于傳統的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統的硅電源會產生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:237210 納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業應用內樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151166 不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:441128 隨著科學技術的不斷進步，充電技術也在發生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關注的新熱點。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應用。
2023-10-20 16:04:062565 
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:18695 采用了1250V的PowiGaN?開關技術。InnoSwitch?3-EP 1250V?IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線反激式開關IC產品
2023-10-31 11:12:52524 Power Integrations 近日發布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關技術。InnoSwitch3-EP 1250V?IC
2023-10-31 16:54:484228 新型PowiGaN開關為工業應用提供了巨大的裕量，在具有挑戰性的電網環境中尤為重要。 Power Integrations發布了全球電壓最高的單開關氮化鎵(GaN)電源IC，采用1,250 V
2023-11-02 17:21:001042 氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認為是下一代充電器技術的關鍵。與傳統充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優勢，比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而，有些人擔心
2023-11-21 16:15:274245 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:305676 的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下，產生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為17
2023-11-24 11:05:112706 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:202675 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22791 氮化鎵開關管是一種新型的半導體器件，適用于高頻高壓控制信號的開關應用。它由四個電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，Drain）和襯底（B，Body）。 首先，我們
2023-12-27 14:39:181009 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:412783 氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用，并從不同領域深入探討其重要性和優勢。 一
2024-01-09 18:06:361628 應用領域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導通電阻、高開關速度和優秀的熱特性。它適用于電源轉換器、鋰電池充電器和無線充電應用等領域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:151969 氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結構、性質以及應用領域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:213380 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質和應用領域。 結構： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:332943 氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導體材料，具有優異的電學和光學特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領域得到了廣泛的應用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29872 本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:18728 
景和技術需求。 氮化鎵（GaN）的優勢 高頻與高效率 ：氮化鎵具有高電子遷移率和低電阻率，使得它在高頻和高功率應用中表現出色。例如，在5G通信、雷達系統、衛星通信等需要高頻工作的領域，氮化鎵器件能夠提供更高的工作頻率和更大的
2024-09-02 11:37:161369
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