化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）在半導(dǎo)體工業(yè)內(nèi)部得到了廣泛的應(yīng)用，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）加工處理的質(zhì)量不僅要通過(guò)最終的表面平面度，而且也要通過(guò)拋光時(shí)人為造成缺陷的程度來(lái)評(píng)價(jià)，這些人為造成的缺陷包括：1）碟形
2020-07-30 17:55:16
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由于銅在二氧化硅和硅中的快速擴(kuò)散，以及在禁帶隙內(nèi)受體和供體能級(jí)的形成，銅需要在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程后清洗。
2021-12-15 10:56:152163 
隨著薄膜厚度的增加而變化，阻止了NCD薄膜在需要光滑薄膜的器件中達(dá)到其全部潛力。為了減少這種粗糙度，薄膜已經(jīng)使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)進(jìn)行了拋光。羅技摩擦聚光拋光工具配備聚氨酯/聚酯拋光布和堿性膠體硅拋光液已被用于拋光NCD薄膜。用原子力顯微鏡、掃描電
2022-01-25 13:18:391786 
半導(dǎo)體裝置為了達(dá)成附加值高的系統(tǒng)LSI，需要高集成化，高速化，這其中新的布線(xiàn)材料，絕緣膜是不可缺少的。其中，具有低電阻的Cu，作為布線(xiàn)材料受到關(guān)注。化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）和之后的清洗是Cu布線(xiàn)形成中不可缺少的過(guò)程，CMP中使用的漿料、清洗液的性能在很大程度上左右了布線(xiàn)的形成。
2022-04-26 14:07:521273 
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱(chēng)為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06361 
材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，最后對(duì)碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向進(jìn)行了展望，并對(duì)今后研究的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36432 
LED制造專(zhuān)區(qū)MEMS專(zhuān)區(qū)集成電路材料專(zhuān)區(qū) 晶圓加工設(shè)備及廠房設(shè)備 在半導(dǎo)體制造中專(zhuān)為晶圓加工的廠房提供設(shè)備及相關(guān)服務(wù)的供應(yīng)商，包括光刻設(shè)備、測(cè)量與檢測(cè)設(shè)備、沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光(CMP
2017-09-15 09:29:38
本人5年工作經(jīng)驗(yàn)，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對(duì)拋光、切割比較精通，使用過(guò)NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機(jī)會(huì)請(qǐng)與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線(xiàn)急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時(shí)鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學(xué)光刻設(shè)備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達(dá)到
2023-09-19 07:23:03
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒(méi)有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體單晶爐相關(guān)學(xué)習(xí)資料，請(qǐng)各位自行領(lǐng)取。
2020-08-31 15:40:08
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
SEM+EDS 可以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片結(jié)構(gòu)層的測(cè)量和元素分析。 機(jī)械研磨和氬離子研磨測(cè)試對(duì)比：離子研磨制樣可避免機(jī)械研磨制樣會(huì)造成劃痕和軟質(zhì)金屬的延展性形變問(wèn)題的影響，離子研磨CP(氬離子拋光切割)可以避免在研磨過(guò)程中
2024-01-02 17:08:51
機(jī)械加工工藝分析 1 超精度研磨工藝 速加網(wǎng)機(jī)械的加工過(guò)程中對(duì)于其加工表面的粗糙程度有著嚴(yán)格的要求，如在（1～2）cm應(yīng)保持相同水平的粗糙精度，在傳統(tǒng)的加工工藝中一般采用硅片拋光來(lái)達(dá)到這一要求。而
2018-11-15 17:55:38
的新技術(shù)、新設(shè)備也相繼出現(xiàn)。樣品制備技術(shù)也由傳統(tǒng)的機(jī)械-化學(xué)綜合拋光,電解拋光豐富到FIB,以及目前廣泛應(yīng)用的氬離子截面拋光儀。傳統(tǒng)的機(jī)械拋光不能有效去除樣品表面的變形層，即使經(jīng)過(guò)反復(fù)的研磨,也會(huì)出現(xiàn)再次
2014-04-17 15:50:10
。加工工藝：MEMS技術(shù)基于已經(jīng)相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝
2016-12-09 17:46:21
控制；控制圖 中圖分類(lèi)號(hào)：TN301 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)：1003-353X(2004)03-0058-03 1 前言 近年來(lái)，半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)歷了快速的改變,技術(shù)的提升也相對(duì)地增加了工藝過(guò)程
2018-08-29 10:28:14
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
和 102 之間變化Q cm（硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間）。半導(dǎo)體介于絕緣體和導(dǎo)體之間，因?yàn)樗鼈兊膸叮▋r(jià)帶最高能級(jí)與電導(dǎo)帶最低能級(jí)之間的能量差）相對(duì)較小。分子軌道理論指出，當(dāng)原子
2021-07-01 09:38:40
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過(guò)程：硅
2021-07-06 09:32:40
。 半導(dǎo)體器件制造中的硅片清洗應(yīng)用范圍很廣，例如 IC 預(yù)擴(kuò)散清洗、IC 柵極前清洗、IC 氧化物 CMP 清洗、硅后拋光清洗等。這些應(yīng)用一般包括以下基本工藝：1、去除有機(jī)雜質(zhì)2、去除金屬污染物3、去除
2021-07-06 09:36:27
(HVPE)、 氨熱生長(zhǎng)、和液相外延 (LPE)。 塊狀晶體生長(zhǎng)后，晶體經(jīng)歷晶圓加工，包括切割、研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)。機(jī)械加工產(chǎn)生的表面具有密集的劃痕和損壞網(wǎng)絡(luò)。然而，要通過(guò)同質(zhì)外延在
2021-07-07 10:26:01
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
`書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)編號(hào)：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
的開(kāi)路條件下被光蝕刻。 介紹近年來(lái)，氮化鎵和相關(guān)氮化物半導(dǎo)體在藍(lán)綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應(yīng)用備受關(guān)注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學(xué)
2021-10-13 14:43:35
損傷并平滑垂直側(cè)壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學(xué)拋光不同時(shí)間后的 GaN m 面和 a 面?zhèn)缺诘?SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶胞示意圖。(b) 鳥(niǎo)瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于半導(dǎo)體封裝基板的化學(xué)鍍 Ni-P/Pd/Au編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設(shè)備的普及，BGA（球柵陣列）越來(lái)越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
半導(dǎo)體原材料/工序不良的原因- 預(yù)防半導(dǎo)體設(shè)備配件的品質(zhì)活動(dòng)- 查明原材料基因 FAB 工序不良的真正原因及改善活動(dòng)任職資格:- 本科及以上學(xué)歷，化學(xué)、化工、材料、新原材料、機(jī)械等相關(guān)專(zhuān)業(yè)- 有無(wú)
2013-05-08 15:02:12
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
拋光工藝是指激光切割好鋼片后，對(duì)鋼片表面進(jìn)行毛刺處理的一個(gè)工藝。電解拋光處理后的效果要優(yōu)于打磨拋光，因此電解拋光工藝常用于有密腳元件的鋼網(wǎng)上。建議IC引腳中心間距在0.5及以下的（包括BGA）推薦用電解拋光。
2018-09-22 14:02:28
電化學(xué)和機(jī)械平坦化技術(shù)的新穎銅平坦化工藝———電化學(xué)機(jī)械拋光（ＥＣＭＰ）應(yīng)運(yùn)而生，ＥＣＭＰ 在很低的壓力下實(shí)現(xiàn)了對(duì)銅的平坦化，解決了多孔低介電常數(shù)介質(zhì)的平坦化問(wèn)題，被譽(yù)為未來(lái)半導(dǎo)體平坦化技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2009-10-06 10:08:07
問(wèn)個(gè)菜的問(wèn)題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來(lái)個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
的工藝流程也不同。按照目前絕大部分線(xiàn)路板廠的使用情況來(lái)看，大概分為以下三種類(lèi)型：預(yù)處理加離子交換純水系統(tǒng);反滲透加離子交換系統(tǒng);高效反滲透EDI超純水設(shè)備。 半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中，F(xiàn)PC/PCB濕流程
2013-08-12 16:52:42
刻蝕工藝以滿(mǎn)足工藝集成要求; 3、 與其他工程師緊密配合，進(jìn)行半導(dǎo)體工藝流程分析 任職要求： 1、大學(xué)本科學(xué)歷（含）以上 2、掌握半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論，制品及器件技術(shù)，熟悉設(shè)備 、工藝 、 制造等相關(guān)內(nèi)容
2016-10-26 17:05:04
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無(wú)線(xiàn)通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來(lái)越廣，今天我們來(lái)介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
化學(xué)與半導(dǎo)體 本篇報(bào)告著重于半導(dǎo)體的原理、產(chǎn)業(yè)與理論性的探討。第一部分將介紹半導(dǎo)體的發(fā)展歷史；第二部份的三個(gè)單元為半導(dǎo)體的制程，分別介紹薄膜沉積、離子布植術(shù)和
2009-03-06 11:38:49
27 超平滑無(wú)損傷銅表面的超精密加工技術(shù)在微電子器件和微機(jī)電系統(tǒng)制造中具有廣泛的需求。目前，化學(xué)機(jī)械拋光作為常見(jiàn)的超精密加工技術(shù)，在超光滑超平整表面加工中得到廣泛應(yīng)用，但由于其加工過(guò)程中的機(jī)械作用
2018-02-04 10:01:450 化學(xué)機(jī)械拋光（chemical mechanical polishing，簡(jiǎn)稱(chēng)CMP）技術(shù)幾乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技術(shù)，可廣泛用于集成電路芯片、計(jì)算機(jī)硬磁盤(pán)、微型機(jī)械
2018-11-16 08:00:0014 半導(dǎo)體材料主要用于前端（晶圓制造）和后端（封裝），其占比約為6：4。前端材料包括硅晶圓、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助材料、濕化學(xué)品、氣體、濺射靶材料、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）漿、研磨墊和一些新材料
2019-01-18 17:43:224871 
等離子電漿拋光機(jī)還不能徹底取代機(jī)械拋光。等離子電漿拋光機(jī)只是對(duì)金屬表面上起微觀整平效果。宏觀的整平要靠機(jī)械拋光。等離子電漿拋光機(jī)對(duì)資料化學(xué)成分的不均勻性和顯微偏析特別靈敏，使金屬基本體和非金屬雜物
2019-03-30 15:22:373182 6月5日，上交所發(fā)布科創(chuàng)板上市委第1次審議會(huì)議結(jié)果，同意微芯生物、安集科技、天準(zhǔn)科技3家公司首發(fā)上市申請(qǐng)。其中，安集科技主營(yíng)業(yè)務(wù)為關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，目前產(chǎn)品包括不同系列的化學(xué)機(jī)械拋光
2019-07-01 18:48:382306 讓人詫異的是，其中至少半數(shù)企業(yè)都隸屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，涵蓋材料、分立元件和集成電路設(shè)計(jì)等各個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。而只憑借化學(xué)機(jī)械拋光液和光刻膠去除劑兩大招牌，安集科技就收獲了開(kāi)盤(pán)當(dāng)天漲幅超400%的“第一股”名號(hào)，這一點(diǎn)也頗讓人咋舌。
2019-08-09 16:02:505421 MEMS技術(shù)基于已經(jīng)是相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝實(shí)現(xiàn)，必須采用微加工技術(shù)制造。
2019-12-25 10:03:092630 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法，是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。從CMP材料的細(xì)分市場(chǎng)來(lái)看，拋光液和拋光墊的市場(chǎng)規(guī)模占比最大。從全球企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看
2020-09-04 14:08:074875 
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法，是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。
2020-11-02 16:07:401967 摘要：化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前廣泛采用的幾乎唯一的高精度全局平面化技術(shù)。拋光后表面的清洗質(zhì)量直接關(guān)系到CMP技術(shù)水平的高低。介紹了各種機(jī)械、物理及化學(xué)清洗方法與工藝技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)，指出
2020-12-29 12:03:261548 半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23111 華海清科正在闖關(guān)科創(chuàng)板IPO，本次募資項(xiàng)目投資總額10億元，用于投資高端半導(dǎo)體裝備（化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)）產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目、晶圓再生擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。
2021-04-01 10:00:343604 
通過(guò)對(duì) Si ， CaAs ， Ge 等半導(dǎo)體材料單晶拋光片清洗工藝技術(shù)的研究 ， 分析得出了半導(dǎo)體材料單晶拋光片的清洗關(guān)鍵技術(shù)條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面
2021-04-08 14:05:3949 介紹了硅拋光片在硅材料產(chǎn)業(yè)中的定位和市場(chǎng)情況，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)的特點(diǎn)，硅拋光片大尺寸化技術(shù)問(wèn)題和發(fā)展趨勢(shì)，以及硅拋光片技術(shù)指標(biāo)，清洗工藝組合情況等
2021-04-09 11:29:5935 在亞微米半導(dǎo)體制造中，器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來(lái)越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)，這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問(wèn)題。
2021-04-09 11:43:519 在亞微米半導(dǎo)體制造中 ， 器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來(lái)越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光 （CMP） 技術(shù) ， 這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問(wèn)題。
2021-06-04 14:24:4712 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā) 編號(hào)：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151 
功率放大器在機(jī)械拋光研究中的應(yīng)用綜述
2021-08-27 16:46:3417 處理器中的覆蓋刻蝕，以及iii .硅鍺/硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)的橫向刻蝕。 實(shí)驗(yàn) 通過(guò)減壓化學(xué)氣相沉積(RP-CVD)在Si100襯底上的厚的線(xiàn)性漸變Si1yGeY y x緩沖層上生長(zhǎng)厚度約為1 μm的本征Si1xGeX層.14在生長(zhǎng)的疊層上使用化學(xué)機(jī)械拋光來(lái)去除表面交叉影線(xiàn)。用盧瑟福背散射光譜法
2021-12-31 15:02:201608 
引言 化學(xué)機(jī)械拋光是實(shí)現(xiàn)14納米以下半導(dǎo)體制造的最重要工藝之一。此外，化學(xué)機(jī)械拋光后缺陷控制是提高產(chǎn)量和器件可靠性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。由于亞14納米節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)器件的復(fù)雜性，化學(xué)機(jī)械拋光引起的缺陷需要固定
2022-01-11 16:31:39443 
索引術(shù)語(yǔ)—清洗、化學(xué)機(jī)械拋光、乙二胺四乙酸、多晶硅、三氧化二氫。 摘要 本文為后化學(xué)機(jī)械拋光工藝開(kāi)發(fā)了新型清洗液，在稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨
2022-01-26 17:21:18550 
化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸。考慮了直徑
2022-01-27 10:25:27335 
化學(xué)機(jī)械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學(xué)機(jī)械拋光被引入到平面化層間電介質(zhì)(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級(jí)互連的鑲嵌金屬布線(xiàn)中。該工藝適用于半導(dǎo)體加工
2022-01-27 11:39:13662 
件文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁的設(shè)計(jì)和制造提供了許多優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于 一種高效的耦合，是一種非常薄(幾十納米)且均勻的鍵合層。 然而B(niǎo)CB在SOI波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上的平坦性較差。 關(guān)鍵詞:消失偶聯(lián)，膠接，BCB，化學(xué)機(jī)械平整度，平整度 介紹 硅光子學(xué)顯得非常有前
2022-02-24 14:02:481357 
為了確保高器件產(chǎn)量，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，必須在幾個(gè)點(diǎn)監(jiān)控和控制晶片表面污染和缺陷。刷式洗滌器是用于實(shí)現(xiàn)這種控制的工具之一，尤其是在化學(xué)機(jī)械平面化工藝之后。盡管自20世紀(jì)90年代初以來(lái)，刷子刷洗就已在生產(chǎn)中使用，但刷洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)制仍處于激烈的討論之中。這項(xiàng)研究主要集中在分析擦洗過(guò)程中作用在顆粒上的力。
2022-03-16 11:52:33432 
幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學(xué)機(jī)械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進(jìn)行的。在晶圓鍵合中引入化學(xué)機(jī)械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合，這些材料在集成電路、集成光學(xué)、傳感器和執(zhí)行器以及微機(jī)電系統(tǒng)中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并將發(fā)現(xiàn)更多應(yīng)用。
2022-03-23 14:16:001272 
采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，在半導(dǎo)體工業(yè)中已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實(shí)現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過(guò)程中，晶圓是當(dāng)被載體
2022-03-23 14:17:511643 
制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個(gè)，它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺(tái)、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、光刻機(jī)、離子注入機(jī)、引線(xiàn)鍵合機(jī)、晶圓劃片機(jī)、晶圓減薄機(jī)。
2022-04-02 15:47:495139 機(jī)械拋光基本程序  要想獲得高質(zhì)量的拋光效果，最重要的是要具備有高質(zhì)量的油石、砂紙和鉆石研磨膏等拋光工具和輔助品。而拋光程序的選擇取決于前期加工后的表面狀況，如機(jī)械加工、電火花加工，磨加工等等。
2022-04-12 09:53:585219 介紹 聚乙烯醇刷洗是化學(xué)溶液清洗過(guò)程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類(lèi)，根據(jù)其接觸類(lèi)型(非接觸，完全接觸)。全接觸擦洗被認(rèn)為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而，許多研究人員指責(zé)
2022-05-07 15:49:56910 
CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機(jī)、拋光液（又稱(chēng)研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)(End Point)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測(cè)設(shè)備等。
2022-11-08 09:48:1211578 均有新增訂單發(fā)生 安集科技的主要產(chǎn)品是化學(xué)機(jī)械拋光液和光刻膠去除劑，主要應(yīng)用于集成電路制造和先進(jìn)封裝領(lǐng)域。作為半導(dǎo)體材料行業(yè)上市公司，安集科技依靠先進(jìn)技術(shù)保持領(lǐng)先的市場(chǎng)地位。 ? 對(duì)于2022年前三季度的出色成績(jī)，安集科技評(píng)價(jià)到，公司通過(guò)完善化學(xué)機(jī)械拋光液
2022-12-01 15:44:21733 
半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過(guò)了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過(guò)程，接下來(lái)我們就聊聊其工藝流程。今天我們來(lái)聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502035 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過(guò)程中拋光液持續(xù)流動(dòng)，我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率，由此可見(jiàn)，去除速率與PH值有關(guān)，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06348 
://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》?
2022-03-01 10:40:56337 
審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專(zhuān)用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（
2022-02-28 11:20:38271 超精密兩面拋光加工是化學(xué)機(jī)械拋光的應(yīng)用(CMP)技術(shù)性，借助產(chǎn)品工件、碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪的機(jī)械作用，在工件打磨拋光環(huán)節(jié)中，發(fā)生部分持續(xù)高溫和髙壓，使產(chǎn)品與碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪中間最直接
2022-11-01 11:38:532191 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應(yīng)商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門(mén)A股消息頻傳，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微，半導(dǎo)體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應(yīng)商寧夏
2023-07-18 10:43:08368 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183035 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407529 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力，研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤(rùn)滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué)，目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向，其研究
2023-09-20 09:24:040 近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線(xiàn)。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過(guò)程中，晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來(lái)提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35213 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19417 
需要指出的是，CMP 技術(shù)通過(guò)化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中，拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光，清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31336 
CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過(guò)程。化學(xué)藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光，以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06410 上海證券交易所（上交所）近日宣布，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶亦精微”）的首次公開(kāi)募股（IPO）已經(jīng)成功過(guò)會(huì)，未來(lái)該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司，主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)。
2024-02-20 09:45:34297
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