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100萬次擦寫!三星首創45nm嵌入式閃存

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2018-12-12 09:48:34

郭臺銘收拾三星,決定富士康停止向三星供應面板

三星電子在2010年的時候告密導致鴻海集團(富士康)子公司奇美電子被罰三億歐元,郭總裁當時痛斥三星電子為”專打小報告的小人”,同時他也表示一定會從韓國人的手裡把這個錢給賺回來,時隔多年,郭總裁收購
2016-12-18 01:18:05

高價回收三星芯片,專業收購三星芯片

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2021-07-06 19:32:41

高價收購三星字庫

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2021-02-23 17:54:12

無晶圓廠商ASIC直接采用45nm工藝

跳過65nm,無晶圓廠商ASIC直接采用45nm工藝 在向幾大前沿技術的轉移策略中,eASIC公司選擇跳過65nm節點,直接推出“零掩模費用”的45nm ASIC產品線。 除了發布Nextreme
2008-10-09 07:59:57641

45nm銅工藝 面臨的挑戰

45nm銅工藝 面臨的挑戰   摘要:本文綜述了銅工藝即將面臨的各種變化,包括擴散阻障層(barrier)、電鍍添加劑、覆蓋層以及與
2009-12-22 09:18:521456

45nm Penryn處理器新技術與規格

45nm Penryn處理器新技術與規格 ● 新的工藝起點—45nm處理器登場
2010-02-04 08:56:59438

三星電子和賽靈思宣布45nm Spartan-6 FPGA全

三星電子和賽靈思宣布45nm Spartan-6 FPGA全面量產   三星電子有限公司和賽靈思公司(Xilinx, Inc.)日前共同宣布,賽靈思 Spartan-6 FPGA 系列已取得三星電子旗下
2010-03-12 10:05:20768

三星電子和Xilinx宣布45nm Spartan-6 FP

三星電子和Xilinx宣布45nm Spartan-6 FPGA 系列  全球高級半導體技術領先者三星電子有限公司和全球可編程邏輯解決方案領導廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ: XLNX))日前共同
2010-03-12 10:34:47726

瑞薩電子開發出首款用于汽車實時應用的40nm工藝嵌入式閃存技術

瑞薩電子宣布開發出業界首款適用于汽車實時應用領域的40nm工藝嵌入式閃存技術。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術,針對汽車應用領域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797

三星公布首款單芯片嵌入式通用閃存

三星電子公布了全球首款單芯片1TB UFS2.1閃存,該款嵌入式閃存標志著智能存儲將邁入TB級別。
2019-07-03 11:15:34616

需求下滑導致臺積電28nm和40/45nm產能利用率下滑

據國外媒體報道,由于需求下滑,芯片代工商臺積電28nm、40/45nm的產能利用率有下滑。
2020-04-15 14:44:583348

IBM已解決QLC閃存壽命問題,實現1.6萬次擦寫

得益于容量大、價格低的優勢,如今越來越多的SSD硬盤轉向QLC閃存,大家擔心的主要是QLC閃存的壽命,具體來說就是P/E擦寫次數,通常在1000次左右,而IBM現在解決了QLC壽命問題,做到了史無前例的16000次擦寫壽命,壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034095

閃存榮光:即貼即用,萬次擦寫不作死?

NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術,其中NANDFlash存儲器具有容量較大,擦寫速度快等優點。它們的廣泛應用就不用小編敲黑板了吧?然而,市場上流行的NANDFlash產品,尤其是
2023-03-31 10:34:54383

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