據(jù)TechCrunch網(wǎng)站報道，碳納米管屬于一種超級材料——它是直徑為1或2納米的圓柱狀物，它有包括從超級計算機到效能比更高的智能手機在內(nèi)的許多夢幻般應(yīng)用。問題是，它們不容易制造，推出商業(yè)化碳納米管產(chǎn)品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:07
1710 得益于研究人員的持續(xù)推進，碳納米管器件現(xiàn)在正在越來越接近硅的能力，最新的進展也在最近舉辦的IEEE電子器件會議IEDM上揭曉。會上，來自臺積電，加州大學(xué)圣地亞哥分校和斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中晶體管完全關(guān)閉至關(guān)重要。
2020-12-16 10:11:293181 碳納米管是20世紀90年代日本科學(xué)家Iijima先生（Iijima?Sumio. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,1991,354
2023-07-19 13:35:50851 
其實早在2002年Intel即發(fā)現(xiàn)了這一技術(shù)，一直處于試驗演示階段，現(xiàn)在終于把它變成了現(xiàn)實，Intel打算把它融入到22nm的“Ivy Bridge”芯片，Ivy Bridge晶體管的數(shù)量將達到10億。
2020-04-07 09:01:21
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測量技術(shù)報告摘 要晶體管的參數(shù)是用來表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
的hFE檔測量。測量時，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加，(2)技術(shù)上的簡化，(3)晶體管的復(fù)合——達林頓，(4)用于大功率開關(guān)的基極驅(qū)動技術(shù)的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關(guān)晶體管復(fù)合(達林頓)和并聯(lián)都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
圖像中放、伴音中放、緩沖放大等）電路中使用的高頻晶體管，可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管，例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
2012-01-28 11:27:38
【不懂就問】圖中的晶體管驅(qū)動電路，在變壓器Tr的副邊輸出電阻R3上并聯(lián)的二極管D2，說D2的作用是在輸入端有正脈沖輸入時使得變壓器次級產(chǎn)生的的正脈沖通過D2，直接驅(qū)動MOSFET管Q2，達到提高導(dǎo)
2018-07-09 10:27:34
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
1、引言自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點。基于碳納米管獨特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想
2019-05-28 07:58:57
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進工藝從28nm向22nm發(fā)展的過程中，晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)（包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
，滿足未來輕薄化的需求。 芯片晶體管橫截面 到了3nm之后，目前的晶體管已經(jīng)不再適用，目前，半導(dǎo)體行業(yè)正在研發(fā)nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET
2020-07-07 11:36:10
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
進行高電阻測量測量高阻和絕緣材料電阻率高阻低電流測量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進行高電阻測量用6線電阻測量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器
2021-11-16 15:59:56
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
與銷售集團總裁Stacy Smith英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓，采用超微縮技術(shù)，擁有世界上最密集的晶體管和最小
2017-09-22 11:08:53
世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對一個研究項目進行合作，共同開發(fā)基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
和IBM在內(nèi)的芯片制造商已經(jīng)在其芯片開發(fā)中考慮晶體管老化的影響，正在采取適當(dāng)?shù)姆绞絹硌a償因為老化導(dǎo)致的芯片性能下降。也許很快在新的芯片中，就會集成類似“芯片里程表”的功能模塊。 隨著芯片設(shè)計和制造工藝
2017-06-15 11:41:33
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復(fù)合材料又是怎么一回事呢？面對美國的技術(shù)突破，中國應(yīng)該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴格來說，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產(chǎn)品的出現(xiàn)。 在許多透明電子系統(tǒng)中，晶體管都是至關(guān)重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導(dǎo)電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
電場控制材料的電導(dǎo)率。 鰭式場效應(yīng)晶體管是一種非平面器件，即不受單個平面的限制。它也被稱為3D，因為具有第三維度。 為避免混淆，必須了解不同的文獻在提及鰭式場效應(yīng)晶體管器件時使用不同的標(biāo)簽
2023-02-24 15:25:29
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
測量高阻低電流測量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進行高電阻測量用6線電阻測量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機
2021-11-11 10:35:10
測量高阻低電流測量體電阻率和表面電阻率惰性氣體或高度真空中的小晶體進行高電阻測量用6線電阻測量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機
2021-12-08 15:35:04
率惰性氣體或高度真空中的小晶體進行高電阻測量用6線電阻測量技術(shù)獲得更準(zhǔn)確的電阻測量碳納米管半導(dǎo)體納米線碳納米管 FET納米傳感器和陣列單電子晶體管分子電子有機電子基本運放電路二極管和電路晶體管電路雙極結(jié)型
2018-11-09 11:28:25
，導(dǎo)致流過晶體管的電流為零的大耗盡層。在這種情況下，晶體管被關(guān)閉。 截斷區(qū)域特征如下所示： 圖3.截斷區(qū)域特征。圖片由Simon Munyua Mugo提供 晶體管操作類似于單刀單擲固態(tài)開關(guān)
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動性更強的新材料來替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長度
2011-12-08 00:01:44
（電阻器）組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此，晶體管也俗稱"石"，設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求，ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
用IBM43RF0100EV評估板評估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
采取直接在硅片上真空蒸鍍NiCr合金作為催化劑，用化學(xué)氣相沉積法制備了碳納米管薄膜。并采用H2等離子體球處理碳納米管薄膜，測試其場發(fā)射特性，并與未經(jīng)處理的碳納米管薄
2008-12-03 12:55:26
13 碳納米管薄膜是一種能應(yīng)用于場發(fā)射平面顯示器等器件中的新型冷陰極材料。該文用Ni作為催化劑，采用催化熱解法在硅片上制備了多壁碳納米管薄膜場發(fā)射陰極，反應(yīng)氣體為乙炔
2009-05-14 19:44:1820 采用硫酸和硝酸混合酸對催化裂解法（CVD法）制備的多壁碳納米管（MWNTs）進行純化，然后運用硬脂酸對碳納米管表面進行修飾，并研究了硬脂酸修飾后的碳納米管的表面狀況以及
2009-05-16 01:52:2617 隨著對碳納米管研究的不斷深入，對碳納米管的應(yīng)用研究越來越受到人們的重視。通過分析碳納米管的物理特性，對碳納米管的應(yīng)用前景進行了廣泛的探索。著重分析了碳納米管
2009-07-13 10:28:1813 碳納米管研究的不斷發(fā)展為其與微機電系統(tǒng)(MEMS) 的結(jié)合提供了可能,這種結(jié)合“Top - down”與“Bottom2up”的方法是微米/ 納米技術(shù)的一個發(fā)展趨勢。碳納米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:0726 文章系統(tǒng)地論述了非碳納米管的制備,較詳盡地介紹了多種非碳納米管制備最新的進展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特別重點地總結(jié)了非碳納米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 采用原位聚合的方法,制備了多壁碳納米管/ 聚甲基丙烯酸甲酯復(fù)合材料。多壁碳納米管經(jīng)過強酸氧化處理,表面具有有機活性。碳納米管的加入并未使聚合誘導(dǎo)期延長,但令體系粘度增
2010-11-21 12:37:0549 IBM公司日前發(fā)布了據(jù)稱是全球首款電致發(fā)光(EL)納米管晶體管，并聲稱該器件發(fā)光亮度比發(fā)光二極管(LED)強1000倍，光子通量多達1萬倍。 &n
2006-03-13 13:03:07496 對碳納米管陰極的制備以及場發(fā)射顯示器的真空封裝技術(shù)進行了研究.利用一種新的碳納米管生長工藝制備出了具有優(yōu)良場發(fā)射性能的碳納米管陰極.并將這種直接生長的碳納米管薄膜作
2011-04-19 12:24:2542 針對現(xiàn)有的碳納米管場發(fā)射顯示器(CNT FED)制造技術(shù)中存在的工藝復(fù)雜、 成本過高的問題,提出了用于制造碳納米管場發(fā)射顯示器的全印刷制造技術(shù),即采用絲網(wǎng)印刷工藝制備 CN T FED 器件內(nèi)
2011-04-19 14:59:5734 碳納米管具有一些獨特的電學(xué)性質(zhì), 在納米電子學(xué)有很好的應(yīng)用前景。隨著納米技術(shù)的發(fā)展, 新的工藝技術(shù)也隨之產(chǎn)生。納米器件的由下至上制作工藝, 是在納米技術(shù)和納米材料的基礎(chǔ)之
2011-06-21 17:50:0662 來自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29843 藍色巨人IBM的科學(xué)家們再次展示了他們雄厚的科研實力：歷史上第一次，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi)，并通過了可行性測
2012-10-29 11:44:487397 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:54986 IBM 的研究人員已經(jīng)找到了如何使用碳納米管制造微型芯片的方法，這一成果可以讓我們制造更強的芯片，使得曲面電腦、可注射芯片成為可能。
2016-11-17 13:51:401064 多壁碳納米管_Nafion_納米金構(gòu)建阻抗傳感器研究_胡曉琴
2017-03-19 19:03:463 基于SEM圖像的碳納米管薄膜均勻性表征方法研究_陳彥海
2017-03-19 19:12:420 金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點。用其分散出來的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點，能夠更好的滿足動力電池對安全性和導(dǎo)電性需求。
2017-12-27 11:42:524273 
芯片是信息時代的基礎(chǔ)與推動力，碳納米管技術(shù)被認為是后摩爾時代的重要選項。今日報道由北大申報的”5納米碳納米管CMOS器件“入選了高校十大科技進展。
2018-01-02 15:11:341086 
金百納的核心技術(shù)是碳納米管的制備技術(shù)，具有純度高，管徑小等優(yōu)點。用其分散出來的新型碳納米管導(dǎo)電漿料(GCN168-40H)，與同類碳納米管導(dǎo)電漿料產(chǎn)品相比具有鐵雜質(zhì)含量低，導(dǎo)電性好等優(yōu)點，能夠更好的滿足動力電池對安全性和導(dǎo)電性需求。
2018-01-05 09:35:394861 
目前碳納米管的制備方法主要有三種，分別是弧光放電法，激光高溫?zé)品ㄒ约盎瘜W(xué)氣相沉淀法。本文采用的實驗樣品是使用化學(xué)氣相沉淀法制備多壁碳納米管陣列
2018-03-23 17:10:0010885 
在Nano Letters雜志描述的研究中，Barron和他的團隊在嘗試了各種方法從各種污染物中清潔碳納米管之后，對多壁碳納米管和單壁碳納米管進行了艱苦的阻力測量。 結(jié)果是他們可以去除的雜質(zhì)越多，阻力測量值越準(zhǔn)確和一致。
2018-03-09 15:41:344140 經(jīng)多年研發(fā)，趙社濤最近成功突破了碳納米管導(dǎo)電劑的新世代生產(chǎn)技術(shù)，進一步大大提高了現(xiàn)有小管徑碳納米管導(dǎo)電劑的性能。新工藝所制造的碳納米管集三大優(yōu)點于一身：1、是陳列式的碳納米管，蓬松易分散
2018-08-21 17:15:328684 
文章介紹了碳納米管的結(jié)構(gòu)和性能，綜述了碳納米管/聚合物復(fù)合材料的制備方法及其聚合物結(jié)構(gòu)復(fù)合材料和聚合物功能復(fù)合材料中的應(yīng)用研究情況，在此基礎(chǔ)上，分析了碳納米管在復(fù)合材料制備過程中的純化、分散、損傷和界面等問題，并展望了今后碳納米管/聚合物復(fù)合材料的發(fā)展趨勢。
2018-12-13 08:00:008 他們的解決方案依賴于碳納米管場效應(yīng)晶體管（CNTFET）和電阻式RAM存儲器（RRAM）的3D集成。這種技術(shù)是Shulaker在斯坦福大學(xué)期間，協(xié)助 H.-S. Philip Wong
2019-03-05 11:10:385126 SkyWater科技的晶圓廠生產(chǎn)出第一批可以匹敵先進硅芯片性能的3D納米管晶圓。
2019-07-26 14:03:463128 MIT和ADI公司的研究人員們創(chuàng)造了第一個完全可編程的16位碳納米管微處理器。它是迄今基于碳納米管的CMOS邏輯最復(fù)雜的集成，擁有14000多個晶體管，基于RISC-V架構(gòu)，可執(zhí)行與商用微處理器相同的任務(wù)。
2019-09-02 14:37:291054 以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管作為先進微電子器件中硅晶體管的替代品，顯然很有前景。但碳納米管固有的納米級缺陷和可變性，以及處理它們面臨的挑戰(zhàn)，阻礙了它們在微電子領(lǐng)域的實際應(yīng)用。
2019-09-07 07:08:007191 他于近日在底特律對數(shù)百名工程師表示：“這片晶片是上周五制造的……這是鑄造廠制造的第一塊單片3D集成電路。”晶圓上有多個芯片，由一層CMOS碳納米管晶體管和一層RRAM存儲單元構(gòu)成，這些存儲單元相互疊放
2019-10-13 16:50:002702 自1991年日本Iijima教授發(fā)現(xiàn)碳納米管以來，納米技術(shù)吸引了大量科學(xué)家的興趣和研究，是目前科學(xué)界的研究熱點。基于碳納米管獨特的電學(xué)特性，提出了利用碳納米管陣列構(gòu)筑新型天線和傳輸線的設(shè)想。自此
2020-11-06 10:40:002 但是，這并不代表著對碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會一帆風(fēng)順。1998年首個碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:131610 論文題目中有個看起來有點兒高深的詞「碳納米管紗線」（Carbon nanotube yarns），那么在談具體的研究細節(jié)之前，我們先來解決一個問題：碳納米管紗線為何物？
2021-02-20 09:19:302915 
本文提出了一種碳納米管“橋接策略”來合成這種富含用于 ORR 催化的高活性單原子 Fe 位點和用于 OER催化的高性能NiCo 納米顆粒的雙功能氧電催化劑（FePc||CNTs||NiCo/CP）。
2022-11-11 11:04:52869 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361104 技術(shù)重點實驗室與北京大學(xué)教授張志勇、中科院國家空間科學(xué)中心副研究員陳睿合作，研制出基于局域底柵的碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機存儲器，并系統(tǒng)研究了碳納米管器件與電路的綜合抗輻射能力（圖1）。研究顯示，局域底柵碳納米
2022-12-02 16:49:282655 溝道表面的氧化釔薄膜由電子束蒸發(fā)鍍膜儀所蒸鍍的金屬釔加熱氧化形成，隨后在溝道表面蒸鍍金納米薄膜，金納米薄膜會自團聚形成金顆粒，自此完成浮柵型碳納米管場效應(yīng)晶體管（FG-CNT-FET）的制備以及表面的金納米顆粒修飾。
2023-03-23 11:04:101457 OCSiAl通過技術(shù)革新，提升了單壁碳納米管粉料的產(chǎn)能，同時推出了新一代的高固含導(dǎo)電產(chǎn)品，相較現(xiàn)有產(chǎn)品，固含提升在2倍以上，進一步降低單壁碳納米管的使用成本，提升性價比。
2023-04-20 09:34:461283 on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的綜述文章，該綜述全面介紹了高純度半導(dǎo)體碳納米管的提純和薄膜制備
2023-06-12 17:02:40338 
晶體管氫氣傳感器產(chǎn)品已經(jīng)上市， 其探測限可以達到 0.5ppm，屬于最高端的氫氣傳感器產(chǎn)品，也是世界首款碳納米管芯片產(chǎn)品。 碳基電子技術(shù)將在未來 3 年左右用于傳感器芯片領(lǐng)域 ，以及在未來 5-8 年左右用于射頻芯片領(lǐng)域，并將在未來 15 年內(nèi)用于高端數(shù)字芯片
2023-09-05 15:10:18538 
隨著科技的進步，碳納米管（Carbon Nanotubes，CNT）已經(jīng)逐漸引領(lǐng)鋰電池領(lǐng)域的革新浪潮。傳統(tǒng)導(dǎo)電劑的替代者，碳納米管以其卓越的性能特點，包括優(yōu)異的導(dǎo)電導(dǎo)熱性能、阻酸抗氧化性、低阻抗
2023-10-27 17:41:231433 研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該結(jié)構(gòu)中，通過將摻雜僅僅局限在延伸部分，而在通道保持未摻雜的狀態(tài)，憑借這一架構(gòu)課題組消除了金屬電極的重疊
2024-01-05 16:08:32338 
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