致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC）宣布利用英特爾公司（INTC）業(yè)界領先的onshore代工技術和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術，開發(fā)先進的高性能數字集成電路（IC）和系統(tǒng)級芯片（SoC）解決方案。

　　這項于2013年1月簽署的協(xié)議與美高森美的戰(zhàn)略相一致，將充分利用公司廣泛的高技術產品爭取更高性能和更高價值的機會。英特爾的Tri-Gate晶體管提供了空前的性能和功效組合，使得美高森美能夠開發(fā)出用于高性能計算、網絡加速和信號處理應用的數字IC產品。目前美高森美正在與客戶接洽，并且開始使用英特爾22nm工藝節(jié)點進行設計，預計將于2014年底到2015年初提供產品。

　　美高森美集成電路集團執(zhí)行副總裁Paul Pickle表示：“我們所瞄準的高價值應用兼?zhèn)洫毺氐男阅芎蛷碗s的功能特性的解決方案，通過使用英特爾的創(chuàng)新工藝技術和經過硅產品驗證的IP，我們能夠為通信和國防市場提供性能較高、功率較低的數字IC產品，擴大在所服務市場的機會。”

　　英特爾技術和制造集團副總裁Sunit Rikhi表示：“英特爾很高興使用先進的22nm工藝技術和IP解決方案，來為美高森美制造數字IC解決方案。”

　　關于英特爾3-D Tri-Gate晶體管

　　英特爾公司的3-D Tri-Gate晶體管是晶體管的重新發(fā)明，它是使用從硅基底垂直豎起的不可想象之薄的三維硅鰭來替代傳統(tǒng)的“扁平的”二維平面柵極。在硅鰭的三面各有一個柵極——每邊各一個，另一個則橫跨在頂部，從而實現電流的控制，而不是像二維平面晶體那樣只有一個柵極在頂部。當晶體管處于“導通”狀態(tài)時，這種附加控制可讓盡可能多的晶體管電流流過（提高性能），這是由于tri-gate結構具有較低的寄生效應，并且在“關斷”狀態(tài)時電流盡可能接近于零（最大限度減小功耗），這也使得晶體管能夠在兩個狀態(tài)之間非常快速地開關（同樣提高了性能）。在速度方面，22nm晶體管在一秒鐘內的開關次數能夠遠遠超過10億次。

　　關于美高森美公司

　　美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 為通信、國防與安全、航天與工業(yè)提供綜合性半導體與系統(tǒng)解決方案，產品包括高性能、耐輻射的高可靠性模擬和射頻器件，可編程邏輯器件（FPGA）可定制單芯片系統(tǒng)（SoC） 與專用集成電路（ASIC）；功率管理產品、時鐘與語音處理器件，RF解決方案；分立組件；安全技術和可擴展反篡改產品；以太網供電（PoE）IC與電源中跨（Midspan）產品；以及定制設計能力與服務。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數約3，000人。欲獲取更詳盡信息，請訪問網站：http://www.microsemi.com。