自然期刊，這對于1nm以下的半導體制程來說是一次巨大的突破。 ? 當前主流半導體制程已經發展至3nm和5nm，乃至IBM也在近期推出了2nm，但單位面積內所能容納的晶體管數目也已經逼近硅的物理極限，雖說制程突破受制于生產設備，卻也
2021-05-18 09:00:00
5549 8050晶體管是一種小型設備，用于引導便攜式無線電中的電流。數字“8050”基本上表示尺寸和特定輸出額定值。工程師和電子專家通常會給晶體管起數字名稱，以便更容易識別和區分它們。具有8050
2023-02-16 18:22:30
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關概念有點模糊，請各位大俠指點！！！
2016-06-07 23:27:44
晶體管交直流參數對電路設計的影響是什么？
2021-04-23 06:25:38
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內？4. 在使用環境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結構
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關使用晶體管也可以作為電子開關使用。但這個開關的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
一、晶體管如何表示0和1 從第一臺計算機到EDVAC，這些計算機使用的都是電子管和二極管等元件，利用這些元件的開關特性實現二進制的計算。然而電子管元件有許多明顯的缺點。例如，在運行時產生的熱量
2021-01-13 16:23:43
1．反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數？有的器件有放大倍數改變的參數。另外，不同的仿真模型參數不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關二極管，肖特基二極管，穩壓二極管等。有意都請聯系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設計書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的定義如圖Z0213。 hie、hre、hfe、hoe 這4個參數稱為晶體管的等效h 參數，它們的物理意義為： hie稱為輸出端交流短路時的輸入電阻，簡稱輸入電阻。它反映輸出電
2021-05-13 07:56:25
(1) 電流放大系數β和hFEβ是晶體管的交流放大系數，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-04-10 06:20:24
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個Si,是因為還有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統稱為“Si晶體管”，但根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”，不過根據制造工藝和結構，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應有盡有．幾年前，晶體管的開關能力還小于10kW。目前，它已能控制高達數百千瓦的功率。這主要歸功于物理學家、技術人員和電路設計人員的共同努力，改進了功率晶體管的性能。如(1)開關晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結構晶體管內部由兩PN結構成，其三個電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個PN結分別稱為集電結（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設備與不同的電子電路，對晶體管各項性能指標的要求是不同的。所以，應根據應用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號處理（例如
2012-01-28 11:27:38
強弱。控制能力強，則放大大。但如果要從晶體管內部的電子、空穴在PN結內電場的作用下，電子、空穴是如何運動的、晶體管的內電場對電子、空穴是如何控制的等一些物理過程來看，就比較復雜了。對這個問題，許多
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區（發射區、基區和集電區
2021-05-13 06:43:22
fT：增益帶寬積、截止頻率fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。提高基極輸入頻率，hFE變低。這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當我設的電壓已經大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導通。
2014-08-08 10:42:58
NPN晶體管排列和符號在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結構和符號。要識別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發射極（e）。圖1.NPN 晶體管結構和符號NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內容簡介：《晶體管電路設計》(上)是“實用電子電路設計叢書”之一，共分上下二冊。《晶體管電路設計》(上)作為上冊主要內容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設計與應用，射極跟隨器的性能與應用電
2017-07-25 15:29:55
。晶體管通常由硅晶體制成，采用N和P型半導體層相互夾合形式。見下圖 1。圖 1：圖 1a 展示了 2N3904 TO-92 剖視圖，展示了連接到硅基的 E - 發射極、B - 基極和 C – 集電極引線
2018-06-29 16:45:19
`電子元器件市場中，以場效應晶體管最受電子工程師的青睞與喜愛，可是對于場效應晶體管的參數，大家都是一籌莫展，因為場效應晶體管的參數有很多，其中包括直流參數、交流參數和極限參數等，但普通運用時只需關注
2019-04-04 10:59:27
的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。那么，為何說7nm就是硅材料芯片的物理極限，碳納米管復合材料又是怎么一回事呢？面對美國的技術突破，中國應該怎么做呢？XX nm制造工藝是什么概念？芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝，也可以封裝在非常小的區域內，容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術）嚴格來說，晶體管是指基于半導體材料的所有單一元件，包括由各種半導體材料
2023-02-03 09:36:05
的性能遠遠低于更常見的可視晶體管，如硅基MOSFET。這歸因于透明晶體管材料的固有物理性質差，包括多晶結構、低熱導率、低電子遷移率——在In2O3、ZnO2和SnO2中，遷移率通常僅為100 cm2
2020-11-27 16:30:52
，這種產品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？
2019-08-22 08:14:59
相當高的總電流增益。輸出晶體管的最大集電極電流決定了輸出晶體管對的最大集電極電流，可以是 100 安培或更高。需要的物理空間更少，因為晶體管通常封裝在一個器件中。另一個優點是整個電路可以具有非常高
2023-02-16 18:19:11
MOSFET顯示出令人反感的短通道效應。 將柵極長度（Lg）縮小到90 nm以下會產生明顯的漏電流，而在28 nm以下，漏電流過大，使晶體管失效。因此，隨著柵極長度的縮小，抑制關斷狀態泄漏至關重要。 提高
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請教：單結晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個單結晶體管仿真（電力電子技術的初學者）。有個問題請教于各位高手。1：開關初始時刻是閉合的時候，點擊仿真，發光二極管不亮 。:2：初始時刻，開關打開，點擊仿真后，點擊開關閉合，二極管開始閃爍。按照道理來說。情境1與情境2不應該是一樣的嗎，為什么會有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為“發射結”）處于正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為“集電結”）則處于反向偏置狀態。
2019-09-26 09:00:23
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數值一般在1
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
，這種產品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
什么是電信號？常見的晶體管的電路符號有哪幾種？
2021-10-29 07:04:27
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
的開關動作關于數字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
10月7日，沉寂已久的計算技術界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管
2016-10-08 09:25:15
1、使用加速電容在基極限流電阻并聯小容量的電容（一般pF級別），當輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流，所以在晶體管由導通狀態變化到截止狀態時能夠迅速從基極抽取電子（因為電子
2023-02-09 15:48:33
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
，例如在線路浪涌的情況下，松下X-GaN器件的設計具有很大的漏極 - 源極擊穿極限。實際上，當前可用的符合600V操作的晶體管的靜態場依賴擊穿電壓在900V至1kV的范圍內（圖7）。作為副作用，它允許
2023-02-27 15:53:50
，避免故障。表1總結了三種晶體管類型參數以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
求51單片機 STC89c526個晶體管問題按下鍵1 晶體管1閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，再按鍵1 晶體管2閃爍 鍵2+，鍵3-，鍵4修改鬧鐘時間，以此類推。求大神幫助
2017-03-12 19:59:39
` 引言 在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 編輯
高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管
2012-08-05 21:48:28
高清圖詳解英特爾最新22nm_3D晶體管
2012-08-02 23:58:43
晶體管的極限參數
以下介紹晶體管的主要極限參數。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當其超過額定值時，
2010-01-26 08:54:036887 最近，美國勞倫斯?伯克利國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的一個研究團隊—已經成功研制出柵極(晶體管內的電流由柵極控制)僅長1納米的晶體管，號稱是有史以來最小的晶體管。
2016-10-10 10:29:303440 為什么說7nm是物理極限?縮短晶體管柵極的長度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗，并削減CPU的硅片成本。不過這種做法也會使電子移動的距離縮短，容易導致晶體管內部電子自發通過
2016-10-10 16:49:395833 摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而事情的發展總歸會有一個權限，5nm則是硅芯片工藝的極限所在，事實上，隨著10nm、7nm芯片研發消息不斷報出
2016-12-22 10:23:1142226 勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術進步的硬指標。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會獲得巨大進步。
2018-06-22 15:44:044459 如今5nm才剛剛起步，臺積電的技術儲備就已經緊張到了2nm，并朝著1nm邁進。根據最新報道，臺積電已經在2nm工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂觀預計，2nm工藝有望在2023
2020-11-26 10:48:092546 
半導體制程已經進展到了3nm，今年開始試產，明年就將實現量產，之后就將向2nm和1nm進發。相對于2nm，目前的1nm工藝技術完全處于研發探索階段，還沒有落地的技術和產能規劃，也正是因為如此，使得1nm技術具有更多的想象和拓展空間，全球的產學研各界都在進行著相關工藝和材料的研究。
2021-12-17 15:18:0610991 1nm芯片是什么意思？目前芯片的代工工藝制程工藝已經進入3nm節點，在1nm芯片制造技術節點迎來技術突破。芯片的發展一直都很快，有消息稱IBM與三星聯手將實現1nm及以下芯片制程工藝。
2021-12-17 14:34:4330435 目前手機處理器的工藝制程是7nm，臺積電也即將量產5nm芯片，未來還有2nm甚至1nm芯片的出現。臺積電的研發負責人曾在談論半導體工藝極限的問題時，認為到2050年，晶體管可達0.1nm的氫原子尺度。
2022-06-24 16:10:0322959 現在科技越來越發達，芯片設計也在不斷創新與突破，前段時間IBM就研制出了全球首顆2nm芯片，這顆芯片能夠容納500億個晶體管，它的最小單元比DNA的單鏈還要小。
2022-07-06 09:41:4034020 三星3nm采用的晶體管架構是GAAFET，也被稱為Nanosheet，而1nm制程對晶體管架構提出了更高的要求。
2022-09-05 15:03:574512 高性能單層二硫化鉬晶體管的實現讓科研界看到了二維半導體的潛力，二維半導體材料的發展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學家們也沒有停止追尋二維半導體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:042020 IBM 剛剛官宣研發2nm芯片不久，臺積電再次發起了挑戰！ 臺積電取得1nm以下制程重大突破，不斷地挑戰著物理極限。
2022-10-20 10:39:11901 、臺積電及三星這三大芯片廠商也在沖刺，其中三星首個宣布2027年量產1.4nm工藝，臺積電沒說時間點，預計也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工藝了，這個節點曾經被認為是摩爾定律的物理極限，是無法實現的，但是現在芯片廠商也已經在攻關中。 臺積電已經啟動了先導計劃，傳聞中的1nm晶圓
2022-10-31 11:06:301316 
在 VLSI 2021 上，imec 推出了 forksheet 器件架構，以將納米片晶體管系列的可擴展性擴展到 1nm 甚至更領先的邏輯節點。
2022-11-01 10:50:423482 
然而，前不久麻省理工學院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個晶體管只有 3 個原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-30 14:24:481309 
然而，前不久麻省理工學院（MIT）華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維（2D）材料制造成功的原子晶體管，每個晶體管只有 3 個原子的厚度，堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。
2023-05-31 15:45:291164 
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