DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，第二季度全球DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值連續(xù)下降9％，而NAND閃存業(yè)則持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出貨量連續(xù)增長，但芯片價(jià)格下跌拖累
2019-08-21 09:24:00
5149 報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競爭結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340 受標(biāo)準(zhǔn)型DRAM存儲(chǔ)器供不應(yīng)求影響，4GB DDR3/DDR4原廠顆粒現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)飆漲，本月以來平均漲幅近15%，第三季度以來累計(jì)漲幅高達(dá)45%至50%，模組價(jià)格本月漲幅也超過20%。
2016-10-22 22:04:59591 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲(chǔ)、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
，從今年第四季度開始，DRAM、NAND產(chǎn)品合約價(jià)格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢，預(yù)計(jì)持續(xù)至明年上半年。 ? 今年Q4開始，DRAM、NAND出貨下滑、價(jià)格下跌 ? 市場調(diào)研機(jī)構(gòu)紛紛表示存儲(chǔ)價(jià)格在今年Q4已經(jīng)出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場，因?yàn)镼3加大了對(duì)DRAM的供應(yīng)，目前DRAM市場
2021-10-21 07:28:004354 （Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲(chǔ)器教材課后思考題與習(xí)題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲(chǔ)器
2021-07-26 08:08:39
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變。 可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數(shù)存儲(chǔ)器容量256Mb (16M x 16)存儲(chǔ)器構(gòu)架(格式)DRAM存儲(chǔ)器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲(chǔ)器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
問題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
KF432C16BBAK2/64金士頓內(nèi)存條KF432C16BBAK4/128訴求缺貨的存儲(chǔ)器族群，今年以來漲勢凌厲，存儲(chǔ)器模塊龍頭金士頓(Kingston)的DRAM及NAND Flash模塊更是
2022-02-11 14:02:48
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
[資訊] DRAM挺過7月 有望旺到后年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）價(jià)格年初以來維持強(qiáng)勢，但封測廠強(qiáng)調(diào)，7月爾必達(dá)新增產(chǎn)能是否可以去化是重要觀察期，一旦能順利消化，DRAM產(chǎn)業(yè)榮景將能持續(xù)到明、后年
2010-05-10 10:51:03
問：動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別？答：當(dāng)然動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器(DRAM)與靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)除了速度外,它們的價(jià)格也是一個(gè)天一個(gè)地,依據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)計(jì),以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價(jià)紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
工程師，2-5年工作經(jīng)驗(yàn)，封裝廠。無錫8，前道、后道設(shè)備工程師，半導(dǎo)體，封測廠，無錫9. 測試設(shè)備工程師，半導(dǎo)體，封測廠，無錫。
2010-03-03 13:51:07
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
想問一下pcb的工藝，是屬于在晶圓廠做的工藝還是封測廠呀
2021-10-14 22:32:25
程轉(zhuǎn)換不易，服務(wù)器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴(kuò)大，都給2018年DRAM的商機(jī)帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進(jìn)入障礙也是商機(jī)的來源，但非存儲(chǔ)器的商機(jī)仍然占了半導(dǎo)體市場
2018-12-24 14:28:00
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
存儲(chǔ)器的一般用途是代碼儲(chǔ)存。系統(tǒng)需要一個(gè)相對(duì)較小進(jìn)的存儲(chǔ)，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲(chǔ)器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲(chǔ)器，這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲(chǔ)器。在這
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動(dòng)態(tài) RAM（DRAM）動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器（ROM）存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，電路結(jié)構(gòu)十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失，因而只能在開機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半
2010-01-18 16:07:21499 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 總結(jié)2012年DRAM市場動(dòng)態(tài)并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市場值得持續(xù)關(guān)注的五大重點(diǎn)趨勢
2013-01-10 11:30:041127 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443278 很長一段時(shí)間里，由于供貨吃緊、技術(shù)受限、需求增加等，DRAM在過去九個(gè)季度中價(jià)格持續(xù)上漲。但隨著技術(shù)漸入瓶頸，加之2018年智能手機(jī)增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務(wù)盛行下服務(wù)器需求大減等影響，市場中DRAM漸趨供過于求，進(jìn)而使得DRAM價(jià)格持續(xù)下跌。這種情況，對(duì)于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢？
2018-10-17 16:32:58974 在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲(chǔ)器市場要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降，NAND價(jià)格會(huì)跌45%，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%，而且明年Q2季度之前不會(huì)見底。
2019-01-02 14:23:40895 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 19日出具調(diào)查報(bào)告指出，今年上半年DRAM市場仍供過于求，價(jià)格持續(xù)下跌，不僅本季價(jià)格跌幅將超過二成，下季仍持續(xù)看跌15%，相當(dāng)于上半年累計(jì)跌價(jià)幅度超過三成，比市場原預(yù)期更悲觀，華邦、南亞科等芯片廠，以及模組廠威剛、宇瞻等，營運(yùn)將面臨下修壓力。
2019-02-22 09:20:122234 根據(jù)報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂觀。
2019-03-10 09:54:57601 存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48538 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 隨著5G時(shí)代的逐漸逼近，物聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展促進(jìn)著存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長。數(shù)據(jù)表明，中國消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中國進(jìn)口存儲(chǔ)器889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長了39.56%。
2019-09-17 10:47:24790 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，由于第一季度表現(xiàn)良好，加上存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下半年需求有望升溫，臺(tái)灣存儲(chǔ)器模組廠宇瞻股價(jià)一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:312079 年12月開始止跌反彈，市場預(yù)期，本季合約價(jià)也開始止跌回升，南亞科可望受惠。 展望2021年的供需狀況，由于2020年因疫情且報(bào)價(jià)下跌，DRAM廠資本
2021-01-06 17:43:452247 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，目前以控制器（MCU）封裝產(chǎn)能最為吃緊，“最小下單量從年初到近期，足足翻了五倍”，使得本季MCU封裝漲幅達(dá)15%。存儲(chǔ)器封裝需求也旺，不僅取消對(duì)客戶的折讓，也動(dòng)態(tài)調(diào)整價(jià)格，帶旺日月
2021-07-14 15:20:00384 、NAND產(chǎn)品合約價(jià)格開始呈現(xiàn)下跌態(tài)勢，預(yù)計(jì)持續(xù)至明年上半年。 今年Q4開始，DRAM、NAND出貨下滑、價(jià)格下跌 市場調(diào)研機(jī)構(gòu)紛紛表示存儲(chǔ)價(jià)格在今年Q4已經(jīng)出現(xiàn)下跌。根據(jù)閃存市場，因?yàn)镼3加大了對(duì)DRAM的供應(yīng)，目前DRAM市場已經(jīng)恢復(fù)平穩(wěn)，而NAND市場近期的供應(yīng)
2021-10-27 09:44:071770 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2021-12-02 10:06:053 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575003 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
在汽車存儲(chǔ)器市場中，汽車座艙是存儲(chǔ)器的主要應(yīng)用領(lǐng)域，隨著智能座艙的持續(xù)演進(jìn)，更多的屏幕、觸控、傳感器、高性能SoC等。
2023-03-03 16:53:40576 SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開電源，就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個(gè)晶體管組成，因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
據(jù)麗水經(jīng)開區(qū)官微消息，5月16日，第二十四屆中國浙江投資貿(mào)易洽談會(huì)“投資浙里”高峰論壇組織重大外資項(xiàng)目簽約儀式。會(huì)上，麗水經(jīng)開區(qū)成功簽約頂米科技Memory存儲(chǔ)器產(chǎn)品封測及研究院項(xiàng)目。
2023-05-18 16:03:04837 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 引言：DRAM價(jià)格已連續(xù)兩個(gè)月未出現(xiàn)大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021028 近日，惠州佰維總經(jīng)理劉昆奇受邀在SiP China 2023大會(huì)上發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲(chǔ)封裝》的演講，分享佰維存儲(chǔ)在先進(jìn)封測領(lǐng)域的技術(shù)布局以及典型應(yīng)用案例，與行業(yè)大咖共話先進(jìn)封測發(fā)展趨勢
2023-08-30 17:43:09228 
近日， 惠州佰維總經(jīng)理劉昆奇受邀在 SiP China 2023大會(huì)上 發(fā)表了主題為《淺析SiP里的存儲(chǔ)封裝》的演講，分享佰維存儲(chǔ)在先進(jìn)封測領(lǐng)域的技術(shù)布局以及典型應(yīng)用案例，與行業(yè)大咖共話先進(jìn)封測
2023-08-31 12:15:01328 
近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282
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