國產首顆抗輻照四核并行soc芯片研發成功

　　從航天五院502所獲悉，由該所牽頭，與國防科技大學計算機學院合作研究的soc2012近日研制成功。該芯片是我國第一顆抗輻照四核并行soc芯片，性能處于世界領先水平，與此前研制成功并已在軌正常運行超過一年的soc2008芯片相比，性能更先進。

　　據介紹，航天技術的發展對以星載計算機為代表的空間電子系統的性能、功能、體積、功耗、重量、可靠性及空間環境適用性等提出了更高的要求。soc技術為此提供了良好的契機，可以將一個單板系統甚至整個系統的功能集成在一塊芯片上，提高了星載電子系統的內部集成度，提升了星載電子系統的設計效率，同時降低了星載電子設備的設計成本。

　　502所新研的soc2012最大的變化是由單核躍升到了四核，性能大幅提升、功耗低、接口更加豐富，在有高性能運算需求的成像類敏感器、數據處理單元和高性能控制器產品中有廣泛應用前景，能更好地適應我國航天未來多年的發展需要。

　　首顆AMOLED驅動芯片研制成功一個重要的里程碑

　　在工業和信息化部電子信息產業發展基金項目的支持下，維信諾與晶門科技有限公司（“晶門科技”）聯手研發成功中國大陸首顆可實現qHD分辨率的AMOLED驅動芯片。

　　維信諾與晶門科技建立了良好的合作關系，并簽訂了戰略性合作協議，共同研發智能手機用AMOLED顯示屏的驅動芯片。經過雙方聯合攻關，這顆驅動芯片已經在4.6英寸高分辨率全彩AMOLED顯示屏上成功驗證通過。現在，維信諾與晶門科技正積極開發更高分辨率的AMOLED驅動芯片。

　　通過此次合作，進一步提升了雙方在AMOLED領域的研發水平和創新能力，將會提高中國在AMOLED技術和產業領域的市場競爭力。

　　中國大陸首顆AMOLED驅動芯片的研制成功，是維信諾正在建設中的5.5代AMOLED產業化項目推進的重要里程碑，標志著維信諾AMOLED產業化項目的推進，又邁出了堅實一步。據了解，此次開發出的AMOLED驅動芯片面向智能手機用顯示屏的實際需求，具有自主知識產權和廣泛的市場前景。

　　據查，從1996年開始，清華大學就成立了OLED項目組，并以實現產業化為目標開展了持續的技術攻關。基于清華大學的OLED技術，2001年成立了維信諾公司，2002年維信諾公司建成國內第一條OLED中試線，2008年在國內建成第一條PMOLED大規模生產線，成功實現了OLED產品的規模化生產。目前維信諾已成為國際上最主要的OLED生產企業之一，產品遠銷歐美、韓、日等國家及中國臺灣地區。據國際權威顯示行業調研與咨詢機構 DisplaySearch公司統計，2012年維信諾公司小尺寸OLED產品出貨量位居全球第一。

　　2010年6月，維信諾建成了國內首條AMOLED中試生產線；2010年12月全線打通LTPS-TFT背板制造工藝技術，并先后研制成功2.8英寸和 3.5英寸AMOLED全彩顯示屏；2011年11月，成功開發出國內首款7.6英寸AMOLED全彩顯示屏和12英寸AMOLED全彩顯示屏。

　　截至目前，維信諾和清華大學擁有OLED相關專利536項，負責制定2項OLED國際標準，主導制定OLED3項國家標準、5項OLED行業標準，并榮獲國家技術發明一等獎等多項榮譽。

　　大功率IGBT有了“中國芯”終結完全高端IGBT芯片依賴進口

　　中國北車集團日前在西安對外發布：大功率IGBT芯片（絕緣柵雙極型晶體管）通過專家鑒定并投入批量生產。中國自此有了完全自主產權的大功率IGBT“中國芯”。

　　據介紹，作為新一代半導體器件，IGBT是自動控制和功率變換的關鍵核心部件，被廣泛應用在軌道交通裝備行業、電力系統、工業變頻、風電、太陽能、電動汽車和家電產業中。此前，國內高端IGBT芯片基本依賴進口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不僅可以為我國高鐵、動車組等軌道交通裝備及其他相關行業提供強勁的“中國芯”，還將逐步改善國內目前大功率IGBT全部依賴進口的狀況，降低我國軌道交通發展成本。目前，中國已成為全球最大的IGBT芯片消費國，年需求量超75億元，每年還以30%以上的速度增長，到2020年，中國僅軌道交通電力牽引產業每年IGBT芯片的市場規模將不低于10億元，智能電網不低于4億元。據介紹，加上中國北車，目前世界上掌握這項技術的企業只有四家。

　　中國攻克第四代芯片技術打破韓美壟斷

　　在芯片生產上缺乏關鍵技術，讓中國處處充滿安全隱患，寧波時代全芯科技有限公司實現的突破，有望從根本上扭轉這一局面。

　　11月28日，記者從時代全芯公司獲悉，繼韓國三星、美國美光之后，該公司成為世界第三家、中國第一家掌握相變存儲技術的企業，目前已經申請技術專利57項，正在申請的專利有141項。

　　從CPU到內存條再到閃存，存儲技術在過去幾十年已經發生了翻天覆地的變化，相變存儲作為第四代芯片技術已經走過了20年的研究歷程，目前三星已經將利用這種技術生產的芯片應用到一款手機上。

　　“相變存儲技術的作業流程比較復雜，顯著優勢則是占用空間小、能耗低、存儲速度快、使用壽命長。GOOGLE在美國的存儲器有三個足球場那么大，需要有專門電站保障運行，使用相變技術可以縮為20平方米的房間大小，也不再需要專門電站。”時代全芯公司董事長張龍告訴和訊網。

　　長期以來，中國對進口芯片的依賴已經到了令人咋舌的地步。國務委員***今年3月曾指出，2012年進口芯片約1650億美元，甚至超過了進口石油的1200億美元。但據業內測算，中國2012年進口集成電路的實際規模應該接近2000億美元。

　　“未來幾年，這種嚴重依賴進口的情況將會徹底改寫，因為相變技術的普及是一個必然趨勢。目前，閃存技術做到28納米已經是極致，而相變技術可以做到7納米，其制造成本將是前者的十分之一，在速度、壽命等方面的優勢又非常顯著，未來必將替代硬盤驅動器和現有多種存儲器芯片。”張龍說。

　　基于這種判斷，時代全芯決定在未來五年投資20億美元將寧波鄞州打造成“中國芯片城”，2015年投產后，僅芯片產品本身的年產值就達到200億元左右，其帶動的產業鏈將是千億量級。

　　“華為、聯想已經對我們的樣品表示了濃厚興趣，我們的短期發展目標也是覆蓋電子消費產品，未來再向高端用戶市場進軍。”張龍告訴和訊網。

　　據悉，時代全芯已經與一家臺灣公司建立合作關系，明年即有量產芯片投放市場。隨著相變存儲概念的逐步普及，寧波基地剛好在2015年扛起布局大數據、云計算、物聯網等領域的大旗。

　　我國研制出溫室工作新型二氧化硫傳感器

　　近日，東北師范大學物理學院發布消息，在國家自然科學基金、國家重大科學研究計劃和教育部資助下，東北師范大學物理學院教授劉益春團隊的課題組利用有機微納單晶，構造出了一種具有高靈敏度、低檢測下限、快速響應及完全恢復特性的室溫工作新型二氧化硫傳感器。其相關成果已發表在國際學術期刊《先進材料》上，并被選為封面文章進行長篇幅重點報道。

　　眾所周知，二氧化硫是空氣中最為嚴重的污染物之一，嚴重損害環境及人類健康。因此，對于二氧化硫的監測檢驗成為控制其污染的先決條件。然而，此前的各種傳感器檢測和監控系統由于造價昂貴致使難以推廣。而東北師范大學的此項二氧化硫傳感器研究成果成功地實現了通過廉價的半導體傳感器檢測和監控低濃度的二氧化硫的目標，同時成本較低，使得其應用推廣成為可能。

　　據了解，廉價半導體傳感器檢測和監控低濃度二氧化硫一直面臨著很大挑戰。而東北師范大學該課題組利用場效應晶體管電流集中在極薄導電溝道層的特點，采用懸空酞菁銅微納單晶為半導體，制備新型空氣間隙絕緣層場效應晶體管，用于二氧化硫探測，使場效應晶體管最敏感的導電溝道層直接暴露于二氧化硫中，在國際上首次實現了0.5ppm量級二氧化硫的半導體器件室溫高靈敏檢測，分辨率達100ppb，可滿足二氧化硫測試實用化的要求，為新型實用化半導體二氧化硫傳感器研究提供了全新的研究思路。

　　我國成為全球第二個能夠研制、生產腦起搏器的國家

　　由多家部門支持、清華大學歷經10年攻關開發的腦起搏器系列產品已達到國際上同類產品的先進技術水平，使我國成為全球第二個能夠研制、生產腦起搏器的國家。

　　在4月11日世界帕金森病日將來臨之際，科技部、清華大學、神經調控技術國家工程實驗室聯合北京天壇醫院、北京協和醫院等部門和單位6日在清華大學共同舉辦“第二屆清華腦起搏器論壇——帕金森病日關愛活動”大型公益活動。

　　清華大學腦起搏器攻關項目負責人、航天航空學院教授李路明在論壇上說，腦起搏器將電極植入大腦的特定部位，通過慢性電刺激達到治療效果，是一種安全、可逆、療效顯著的神經調節治療方法，是目前外科治療帕金森病的首選療法，全世界已有超過10萬名患者植入腦起搏器。

　　據了解，作為一種有源植入類高端醫療器械，腦起搏器具有很高的技術和工程開發難度。在科技部、北京市等多方支持下，清華大學將載人航天高科技應用于腦起搏器研發，歷經10年攻關終于研制成功，并在臨床上與北京天壇醫院、北京協和醫院等建立密切合作關系。目前，清華大學研制的單通道腦起搏器和雙通道可充電腦起搏器共進行了近百例帕金森病患者的臨床治療，術后隨訪最長達到40個月，療效可靠、性能穩定、大大降低了患者的治療成本。2010年，該項成果作為“十一五”國家科技支撐計劃社會發展領域十大科技成果參加“十一五”國家重大科技成就展，2012年入選中國高校十大科技進展。

　　數據顯示，我國帕金森病患者已超過200萬，帕金森病已成為影響我國老年人身體健康和生活質量的重大疾病。

　　中國半導體產業技術水準躍升競爭力激增

　　中國大陸半導體產業實力已顯著提升。在稅率減免政策與龐大內需優勢的助力下，中國大陸晶圓代工廠、封裝測試業者與IC設計商，不僅營運體質日益茁壯，技術能力也已較過去大幅精進，成為全球半導體市場不容忽視的新勢力。

　　中國大陸半導體產業正快速崛起。受惠稅率減免政策與龐大內需優勢，中國大陸半導體產業不僅近年來總體產值與日俱增，且在晶圓制造設備和材料的投資金額也不斷升高，并已開始邁入28奈米，甚至22/20奈米制程世代，成為全球半導體市場的新興勢力。

　　政府扶植成效顯現中國半導體勢力抬頭

　　上海市集成電路行業協會高級顧問王龍興指出，在資金與技術持續提升下，中國大陸半導體產業發展已快速壯大。

　　上海市集成電路行業協會高級顧問王龍興表示，中國大陸政府為全力扶持本土半導體產業，已祭出半導體設備、IC設計、晶片制造等企業獲利前2年免稅，以及第3年稅金減半的優惠措施，藉此減輕高科技產業在初期研發投資虧損的壓力，因而讓中國半導體產業得以向上發展。

　　除政策加持外，中國大陸對行動裝置的需求愈來愈高，也成為推升中國大陸半導體產業發展蓬勃的關鍵動能。王龍興進一步指出，現今中國大陸消費市場商機已躍居全球第一，無論是智慧型手機、平板電腦或筆記型電腦每年需求量都不斷增長，帶動中國大陸半導體整體產值在2006？2012年之間，從人民幣 1，006.3億元，提升至人民幣2，185.5億元。

　　根據上海市集成電路行業協會最新報告分析，中國大陸半導體產業于2006？2012年的年復合成長率（CAGR）達18.8%；其中，IC設計產業年復合成長率為25.7%，晶片制造部分為15.4%，封裝測試方面則為17.6%，預估2013年與2014年皆可望持續成長，顯見該地區半導體產業成長相當快速。

　　據了解，目前中國大陸半導體產業共有長江三角洲、京津環渤海灣、珠江三角洲與中西部地區等四大聚落；其中，長江三角洲內的上海半導體產業園區由于產業鏈體系較為完整，因此為中國大陸最重要的半導體發展核心地帶，且此一園區的半導體產值約占整體中國大陸半導體產值31%。

　　王龍興補充，上海半導體產業園區在2011年經歷密集的建設后，2012年已經開始進入高技術性、高生產能力的階段，未來此一產業園區還會新增張江高新區、漕河涇開發區、紫竹科學園區，并列為積極落實發展重點，可望再次擴大上海半導體產業園區在半導體產業的影響力。

　　然而，盡管中國大陸半導體產業正快速發展，但整體技術層次與國際水準相比仍有一段距離。王龍興坦言，目前中國半導體產業在制程技術確實較國際半導體水準落后，正努力迎頭趕上，預估2015年時，中國大陸IC設計技術水準可望達到22/20奈米，而封裝技術也可望進入國際主流領域，并擴展FlipChip、 BGA、CSP、WLP以及MCP等先進封裝形式的產能比例。

　　除了稅金優惠政策加持之外，中國大陸行動裝置品牌廠在全球市場崛起，亦助長該地區本土零組件業者發展愈來愈快速，并已逐漸打入國際手機品牌廠供應鏈，突顯中國大陸零組件業者技術水準正與日俱增，且開始威脅到歐美與臺系零組件業者全球市場地位。