近日，SK海力士在官網(wǎng)宣布，適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器）產(chǎn)品已于7月初開始量產(chǎn)。 自從10納米級DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體
2021-07-12 10:57:06
4340 并入晶豪的宜揚(yáng)等高層轉(zhuǎn)戰(zhàn)武漢新芯，并傳出華亞科前資深副總劉大維在合肥招兵買馬，開出3倍薪水挖角過去在臺有DRAM經(jīng)驗的人才。不過，業(yè)界認(rèn)為大陸存儲器發(fā)展關(guān)鍵在于取得合法技術(shù)，至于生產(chǎn)制造及人才將是次要條件。
2016-11-22 16:06:151561 業(yè)界消息指出，存儲器大廠三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過半，據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬條，業(yè)界認(rèn)為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價將再見飆漲走勢。
2017-03-06 09:34:28843 
之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271152 
線寬。 ? 據(jù)了解，DRAM電路線寬被業(yè)界認(rèn)定為衡量存儲器公司技術(shù)能力的重要指標(biāo)，DRAM的電路線寬越窄，其功率效率就越高。 因此，過去DRAM業(yè)界的傳統(tǒng)就是不明確公開相關(guān)產(chǎn)品的確切電路線寬。 ? 并且，隨著DRAM制程技術(shù)在2016年進(jìn)入10納米級制程后，DRAM制造商也普遍達(dá)
2021-05-07 10:25:351744 （Flash Memory）技術(shù)達(dá)到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)，所以樣子小巧，有如一張卡片，所以稱之為閃存卡。根據(jù)不同的生產(chǎn)廠商
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術(shù)進(jìn)展來看，讀寫速度都已紛紛進(jìn)入10ns的目標(biāo)區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
?！ ? 存儲器和儲存的要求不同，具體取決于其特性，包括現(xiàn)在已??經(jīng)過時的技術(shù) (來源：Lauro Rizza) 為了實現(xiàn)隨時間進(jìn)展的存儲器和儲存而開發(fā)的技術(shù)，可說是人類聰明才智的典范。發(fā)明這些技術(shù)的人們利用
2017-07-20 15:18:57
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲器映射存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程就稱為存儲器映射，具體見圖 5-5。如果給存儲器再分配一個地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程稱為存儲器映射，如果再分配一個地址就叫重映射存儲器映射ARM 將這 4GB 的存儲器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
技術(shù)的日趨成熟,存儲器價格會回穩(wěn).然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩(wěn)定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存?！ ?、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存?！ ?、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲器的帶寬信息。具體的，可以采用存儲器的SMART技術(shù)獲取存儲器的帶寬信息，上述帶寬信息可以包括存儲器的類型、存儲器的型號、存儲器的剩余帶寬、存儲器當(dāng)前的讀寫速率等。102、依據(jù)上述帶寬信息選取編碼
2019-11-15 15:44:06
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
從個人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品參數(shù)存儲器容量256Mb (16M x 16)存儲器構(gòu)架(格式)DRAM存儲器類型Volatile工作電壓3V ~ 3.6V存儲器接口類型Parallel
2018-10-24 11:14:57
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲電荷的時間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新，直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計算機(jī)斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15
問：動態(tài)儲器和靜態(tài)存儲器有什么區(qū)別？答：當(dāng)然動態(tài)儲器(DRAM)與靜態(tài)存儲器(SRAM)除了速度外,它們的價格也是一個天一個地,依據(jù)實際情況進(jìn)行設(shè)計,以降底產(chǎn)品成本,下面是它們的價紹.SRAM(靜態(tài)
2011-11-28 10:23:57
存儲器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
的的奇夢達(dá)(Qimonda)。2006第二季全球10大DRAM廠商排名 以成長性而言，由于第二季全球新增產(chǎn)能集中于***地區(qū)廠商力晶與茂德，因此與力晶合作的日本爾必達(dá)，與茂德合作的韓國海力士，上述策略性
2008-05-26 14:43:30
性存儲器：指當(dāng)電源被關(guān)斷之后，數(shù)據(jù)隨即消失的存儲器（如.RAM隨機(jī)存儲器 ） 。這種存儲器的特點(diǎn)是一般采用CMOS技術(shù)，以降低功耗。并且采用并行方式傳輸數(shù)據(jù)，因而具有高速存取數(shù)據(jù)的能力。這種存儲器
2020-12-25 14:50:34
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述了如何利用AT32系列MCU存儲器中的零等待區(qū)（ZW），實現(xiàn)在擦除或者編程過程中保證CPU重要內(nèi)容正常運(yùn)行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
存儲器的基本測試技術(shù)有哪些？數(shù)字芯片測試的基本測試技術(shù)有哪些？
2021-05-13 06:36:41
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動器？如何去設(shè)計Flash存儲器？
2021-04-27 06:20:01
DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）類似，F(xiàn)RAM 也要求在每次讀取后進(jìn)行內(nèi)存恢復(fù)。 進(jìn)行內(nèi)存恢復(fù)的原因是 FRAM 存儲器單元要求在刷新功能中重新寫入已訪問的每個位，這一點(diǎn)與 DRAM 相同。 由于
2018-08-20 09:11:18
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進(jìn)展，并被美國化學(xué)協(xié)會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機(jī)存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時的重新定位問題？怎么實現(xiàn)外置編碼存儲器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
存儲器可分為哪幾類？存儲器有哪些特點(diǎn)？存儲器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
目前高級應(yīng)用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
本文分別介紹了存儲器的分類、組成、層次結(jié)構(gòu)、常見存儲器及存儲器的選擇，最后描述了計算機(jī)存儲器的一些新技術(shù)。存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)
2021-09-09 07:47:39
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
打算用line-in或者mic-in錄制一段10s音頻，然后再播放，這10s音頻臨時存儲在ddr存儲器，需要怎么編程，不是很懂。
2019-06-17 06:08:10
網(wǎng)絡(luò)存儲器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計一種網(wǎng)絡(luò)存儲器？
2021-05-26 07:00:22
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲的數(shù)據(jù)在掉電是會丟失，因而只能在開機(jī)運(yùn)行時存儲數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動態(tài)隨機(jī)存儲器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲器)。ROMROM又稱只讀存儲器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計
1、引言
當(dāng)代計算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 傳統(tǒng)的存儲器解決方案有一定的局限，很難滿足下一代存儲器帶寬要求。本白皮書介
紹能夠突破這些局限新出現(xiàn)的存儲器解決方案。Stratix ? 10 MX DRAM 系統(tǒng)級封裝
(SiP)系列結(jié)合
2016-12-29 20:05:26
0 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機(jī)訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
大陸存儲器競賽邁向新局，甫獲得大基金入股的北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與合肥市政府簽署合約，將砸人民幣180億元(逾新臺幣800億元)研發(fā)19納米DRAM技術(shù)，業(yè)界預(yù)期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設(shè)計，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38834 目前存儲器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場價格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 DRAM技術(shù)上取得的進(jìn)步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運(yùn)算平臺和應(yīng)用的越來越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計算機(jī)、臺式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲器技術(shù)
2020-05-21 07:52:006238 
就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國另一家
2018-10-29 17:03:243560 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563068 根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導(dǎo)指出，日前美系存儲器大廠美光科技（Micron）正式宣布，將采用第3代10納米級制程（1Znm）來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223148 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 根據(jù)韓國媒體報導(dǎo)，在當(dāng)前存儲器價格已經(jīng)觸底反彈，整體市場庫水水位也進(jìn)一步降低的情況之下，三星決定開始恢復(fù)針對存儲器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出，三星最近為韓國P2晶圓廠訂購了DRAM設(shè)備
2019-10-30 15:15:302760 韓國三星電子于25已經(jīng)成功出貨100萬個極紫外光刻技術(shù)（EUV）生產(chǎn)的業(yè)界首款10納米級DDR4 DRAM模組，將為高端PC和移動設(shè)備及企業(yè)服務(wù)器和資料中心應(yīng)用等提供更先進(jìn)EUV制程技術(shù)產(chǎn)品。 三星
2020-04-03 15:47:511009 的網(wǎng)絡(luò)開發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲器和新興的非易失性存儲器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來。 非易失性存儲器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲器技術(shù)與已建立的存儲器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 
獨(dú)立存儲器市場和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 的統(tǒng)一組織下亮相第五屆絲博會，展出了公司研發(fā)設(shè)計的包括第四代DRAM 存儲器在內(nèi)的全系列晶圓、顆粒及模組產(chǎn)品及全球首系列商用內(nèi)嵌自檢測修復(fù)（ECC）DRAM存儲器產(chǎn)品。全面展示了西安紫光國芯在集成電路存儲器領(lǐng)域的技術(shù)實力和創(chuàng)新成果。
2021-05-14 14:52:502843 * 獲得近期上市的英特爾CPU“Sapphire Rapids”兼容存儲器認(rèn)證? * 以DDR5積極應(yīng)對服務(wù)器市場，提早克服存儲器半導(dǎo)體低迷期? * 第二代10納米級也一同認(rèn)證，以多種產(chǎn)品群應(yīng)對
2023-01-12 21:32:26610 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲，一旦設(shè)備斷開電源，就會失去信息。
這個設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個晶體管組成，因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021028 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:3562
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論