摩爾定律是什么？為什么引眾多半導體廠商競相競技、追逐。摩爾定律是由英特爾（Intel）創始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出來的。其內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。

　　盡管這種趨勢已經持續了超過半個世紀，摩爾定律仍應該被認為是觀測或推測，而不是一個物理或自然法。預計定律將持續到至少2015年或2020年 。然而，2010年國際半導體技術發展路線圖的更新增長已經放緩在2013年年底，之后的時間里晶體管數量密度預計只會每三年翻一番。

　　Intel、三星、臺積電在10nm領域較勁的時候，藍色巨人攜測試版的7nm芯片強勢到來，據悉，相較10nm，使用7nm制程后的面積將所縮小近一半，但同時因為能容納更多的晶體管（200億+），效能也會提升50%，從而制造出世界上最強大的芯片。盡管是仍在測試階段，若能夠量產，無疑是令人振奮的消息。聽到這個消息臺積電也坐不住了，剛在日前宣布在2017年量產10nm芯片，現在更進一步表示，7nm芯片的生產將在2018年開始，接下來Intel該著急了。下面一起盤點一下摩爾定律引發的半導體廠商之間的爭奪戰。

　　1、Intel：更新節奏延緩

　　英特爾本周發布了其芯片產品制造計劃和更新，從未來的規劃來看，英特爾引入全新的制造工藝，推出體積更小、速度更快的晶體管所需要的時間周期已經開始變長。英特爾首席執行官Brian Krzanich本周三表示，英特爾計劃在2017年下半年推出第一款10nm工藝的處理器。目前英特爾還沒有具體的生產計劃，而許多觀察家都認為要等到明年某個時候才會正式投產。

　　為了彌補這一延遲所帶來的影響，英特爾還公布了一份全新的芯片產品設計路線圖，而在明年下半年之前，將會繼續使用14nm工藝生產產品。雖然10nm工藝產品要在2017年才問世，但是現在英特爾已經開始了測試。而目前包括PC硬件廠商們也不確定未來將會發生什么。“客戶的反饋讓人無法預測，這與掌握最先進的技術一樣重要。”Krzanich說道。

　　2、臺積電： 2017年初量產10nm芯片，2018年生產7nm芯片

　　臺積電最初計劃今年初量產16nm FinFET工藝，但因為不知道什么原因推遲了，據說甚至要到年底才能量產，而那邊的三星14nm FinFET早已經量產，不但產出了自家的強大八核Exynos 7420，還吸引了高通、索尼、AMD、NVIDIA等大客戶紛紛投奔。

　　臺積電坐不住了，發布聲明稱16nm工藝量產的推遲和良品率毫無關系，事實上良品率已經接近成熟水平，甚至能與20nm相媲美了。臺積電的新工藝分為16nm FinFET、16nm FinFET+兩個版本，內部命名分別是CLN16FF、CLN16FF+。它們將沿用20nm工藝的后端互連架構，并加入FinFET立體晶體管技術，號稱性能可比20nm提升最多40％，同頻下功耗則能分別下降最多15％、30％。臺積電表示，16nm工藝將于第三季度量產。

　　近日，在英特爾宣布10nm工藝制程推遲到2017下半年量產之后，近日根據***媒體《電子時報》的報道，臺積電表示10nm工藝制程仍在按照計劃進行中。臺積電稱將從明年年末開始生產少量10nm處理器，而大規模量產則要等到2017年初，現在更進一步：7nm芯片的生產將在2018年開始雖然這意味著在10nm工藝制程上臺積電將領先于英特爾，不過考慮到iPhone 7預計將于明年年下半年發布，因此iPhone 7將趕不上配備10nm處理器。

　　3、三星：從目前來看在10nm FinFET芯片制造上處于領先地位

　　從目前來看，三星在10nm FinFET芯片制造上出于領先地位，不過TSMC也在努力迎頭趕上。傳臺積電2017年初開始大規模生產10nm處理器，并且與三星采用同樣的技術。今年，三星將與臺積電共同為蘋果制造A9處理器。盡管兩家公司的其它客戶也可受益于此，但蘋果仍然是它們最重要的客戶，預計該公司將在未來數月到數年的時間里保持破紀錄的iPhone 銷量。業內觀察家表示，誰先能夠穩定供應10nm芯片，就會拿到蘋果未來iPhone合約的大頭。據估計，與14nm FinFET工藝相比，新芯片將提速20%、并節能40%。“iPhone 6s”有望配備14nm FinFET芯片，而明年的“iPhone 7”和2016 iPads則會用上 10nm的A10系列處理器。

　　從目前來看，三星在10nm FinFET芯片制造上出于領先地位

　　4、IBM：7納米測試芯片

　　2015年7月，IBM爆出了一個大新聞——他們做出了7納米芯片，利用的材料是硅鍺而不是硅。從國外報道了解到，由IBM研究院牽頭的合作伙伴GlobalFoundries， 三星電子及紐約州立大學（SUNY）理工學院的納米科學和工程學院（SUNY Poly CNSE）共同協作，日前宣布已經制造出半導體行業首款配置功能性晶體管的7納米節點測試芯片。據悉，該項突破性成果，具備了在指甲蓋大小的芯片上放置200億只晶體管的能力。而芯片能夠為各種智能設備提供計算能力，小到智能手機，大到宇宙飛船。

　　為了實現7納米技術能夠達到的更高性能、更低能耗和更強的擴展能力，由IBM研究院聯盟引領的全新半導體工藝和技術需要眾多的業界一流的創新技術，其中包括聞名遐邇的鍺化硅（SiGe）通道晶體管和極紫外線（EUV）光刻技術。將這款芯片發展成熟可能要依賴GlobalFoundries，這家工廠剛剛完成對IBM幾家工廠的收購。

　　5、GlobalFoundries：14nm芯片產能比肩三星

　　據外媒KITGURU消息，7月15日，格羅方德（GlobalFoundries）半導體公司他們已經開始使用14nm FinFET（14LPE）工藝為它們的客戶量產芯片。格羅方德表示它們的14nm半導體產能可以比肩三星（Samsung Foundry）。格羅方德的發言人Jason Gorss表示，他們的14nm爬坡量產已經步入正軌，產能可以等同于盟友三星。格羅方德沒有透露他們每個月能使用14nm LPE工藝生產出多少塊晶圓，但該公司表示，用于14nm FinFET工藝商業生產的部分重要設備已經安裝好。格羅方德在2014年獲得三星的14LPE和14LPP制作工藝授權，如果格羅方德現在的14nm產能已經等同于三星，這意味著它們實際上已做得比三星更好。

　　總結：

　　目前14nm是實現量產的尺寸最小的一代。14nm之后是10nm，10nm之后是7nm。每一代，都被認為要具有更小的特征尺寸。一切順利、上帝垂青的話，那些更小的晶體管組成的電路可能會比上一代運行的更快、功耗更小。芯片制造商正在與物理定律斗爭，但是他們的時間軸也要取決于工藝的經濟效益——很多因素，例如良品率（即生產的芯片中能夠正常工作的）和利用晶圓生產芯片過程中的工藝步驟。