作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司,中芯國(guó)際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是,中芯國(guó)際的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 壓電晶體聲控電燈電路圖
2010-04-02 18:10:581327 在新思科技(Synopsys)于美國(guó)硅谷舉行年度使用者大會(huì)上,參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專家表示,鰭式電晶體(FinFET)雖有發(fā)展?jié)摿?,但也有風(fēng)險(xiǎn),而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。Cavium 估計(jì)FinFET將使閘極電容提升40%。
2013-04-01 10:30:141173 宜普公司推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵(eGAN)場(chǎng)效電晶體(FET)的 EPC9005 開發(fā)板。該開發(fā)板是一款7A最大輸出電流半橋電路設(shè)計(jì),內(nèi)含兩個(gè)EPC2014場(chǎng)效應(yīng)電晶體,并采用最佳化閘極驅(qū)動(dòng)器LM5113。
2013-05-08 15:59:561212 在Synopsys 的協(xié)助下,臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這
2013-06-28 09:57:581023 晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場(chǎng)效電晶體制程世代后,與整合元件制造商的競(jìng)爭(zhēng)將更為激烈,因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟,串連矽智財(cái)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料,以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化供應(yīng)商等合作夥伴的力量,強(qiáng)化在FinFET市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。
2013-07-24 10:12:501077 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā),EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨,并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案,以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn),卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。
2013-08-26 09:34:041899 在歷史上,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降,這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。FinFET會(huì)是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項(xiàng)?
2014-04-01 09:07:473015 臺(tái)積電昨日宣布其將在未來一年內(nèi)調(diào)用至少100億美元的經(jīng)費(fèi)來增加在16nm FinFET芯片的工業(yè)生產(chǎn)。旨在進(jìn)一步提升其在FinFET技術(shù)上的領(lǐng)先地位。
2014-10-17 16:33:39965 美國(guó)普渡大學(xué)(Purdue University)研究人員已經(jīng)證明可與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)相容、且速度可達(dá)4THz(Terahertz)的全光敏電晶體(All-optical
2015-08-07 07:04:08829 打開這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞,大概就屬FinFET了,例如:iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管(FinFET),代表FinFET開始全面攻占手機(jī)處理器,三星
2015-09-19 16:48:004522 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱,他們開發(fā)了10納米FinFET工藝,但是三星竊取了這項(xiàng)技術(shù),并將其用于生產(chǎn)高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 今年得獎(jiǎng)?wù)邽槊绹?guó)加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明,他也曾是臺(tái)積電前技術(shù)長(zhǎng),主辦單位表示,胡研發(fā)的3D鰭式電晶體(FinFET),突破物理極限,使元件更小,能源使用效率提高,堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來最大變革,也使得摩爾定律得以延續(xù)至今
2016-12-30 07:41:271295 FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。
2017-02-04 10:30:2214159 如圖是激光門報(bào)警器電路的發(fā)射端和接收端。其中Laser Pointer為激光發(fā)射器(或激光筆),L14F1為光電晶體管。
2019-01-28 15:13:2813 使用光電晶體管和光電二極管的光檢測(cè)功能,是微處理器或微控制器了解物理世界并相應(yīng)地進(jìn)行控制或分析算法的一種手段。光電晶體管的應(yīng)用與光電二極管相同,但各有優(yōu)勢(shì)。
2022-07-27 11:53:412151 導(dǎo)讀:VR 在2016年取得不錯(cuò)的成績(jī),在2017年市場(chǎng)逐漸成熟,可以預(yù)測(cè)未來五年市場(chǎng)發(fā)展前景良好,VR設(shè)備也將更多考慮市場(chǎng)需求,設(shè)計(jì)出滿足顧客期望的設(shè)備。
美國(guó)知名科技媒體
2016-12-21 11:31:56
Finfet技術(shù)(3D晶體管)詳解
2012-08-19 10:46:17
正在從二維走向三維世界——芯片設(shè)計(jì)、芯片封裝等環(huán)節(jié)都在向3D結(jié)構(gòu)靠攏。晶體管架構(gòu)發(fā)生了改變當(dāng)先進(jìn)工藝從28nm向22nm發(fā)展的過程中,晶體管的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化——傳統(tǒng)的平面型晶體管技術(shù)(包括體硅技術(shù)
2020-03-19 14:04:57
,而柵極的寬度則決定了電流通過時(shí)的損耗,表現(xiàn)出來就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗,寬度越窄,功耗越低。而柵極的最小寬度(柵長(zhǎng)),也就是制程??s小納米制程的用意,就是可以在更小的芯片中塞入更多的電晶體,讓芯片不會(huì)
2020-07-07 11:36:10
【報(bào)告名稱】: 2010-2012年中國(guó)OLED產(chǎn)業(yè)調(diào)研及未來前景預(yù)測(cè)報(bào)告【完成日期】:2010年9月【中文版價(jià)格】: 打印版:6000元;電子版(pdf):6500元;兩版合價(jià):7000 元
2010-09-16 17:50:03
蘋果晶圓代工龍頭臺(tái)積電16納米鰭式場(chǎng)效晶體管升級(jí)版(FinFET Plus)將在明年1月全產(chǎn)能量產(chǎn),搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝(InFO WLP)的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù),在x86及ARM架構(gòu)64位
2014-05-07 15:30:16
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個(gè)術(shù)語指的是基本上是一個(gè)光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管?光電二極管可以產(chǎn)生光電流,因?yàn)樗慕Y(jié)
2022-04-21 18:05:28
場(chǎng)效應(yīng)管的演變 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的未來發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用,因?yàn)樗鼪]有足夠的靜電控制,需要晶體管的新架構(gòu)。然而,隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步,一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
%做好了準(zhǔn)備。 在這種環(huán)境下,全球最大的芯片生產(chǎn)設(shè)備制造商應(yīng)用材料(AppliedMaterials)預(yù)測(cè)2008年芯片產(chǎn)業(yè)的資本支出最多削減35%。該公司首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter表示,他也
2008-06-16 14:45:42
FinFET制程的晶片,他估計(jì),這使得晶圓代工業(yè)者有總計(jì)每月5萬片晶圓的高階制程產(chǎn)能閑置。無論如何,他預(yù)測(cè)晶片產(chǎn)業(yè)營(yíng)收到2017年才會(huì)恢復(fù)個(gè)位數(shù)成長(zhǎng)?! BS 可能將今年度晶片銷售額成長(zhǎng)率預(yù)測(cè),由
2016-01-14 14:51:30
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能支撐未來的發(fā)展相比于2009年今年全球半導(dǎo)體 業(yè)的態(tài)勢(shì)好了許多,但是仍有少部分人提出質(zhì)疑,2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎?在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì)上(ISS),有些
2010-02-26 14:52:33
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
什么叫壓電效應(yīng)?壓電晶體又是什么?壓電晶體有何作用?
2021-06-08 06:33:16
制作的濾波器,保證了圖像和聲音的清晰度。你手上戴的石英電子表中有一個(gè)核心部件叫石英振子。就是這個(gè)關(guān)鍵部件保證了石英表比其他機(jī)械表更高的走時(shí)準(zhǔn)確度。 裝有壓電晶體元件的儀器使技術(shù)人員研究蒸汽機(jī)、內(nèi)燃機(jī)
2021-05-13 07:19:48
工藝技術(shù)的演進(jìn)遵循摩爾定律,這是這些產(chǎn)品得以上市的主要促成因素。對(duì)整個(gè)行業(yè)來說,從基于大體積平面晶體管向FinFET三維晶體管的過渡是一個(gè)重要里程碑。這一過渡促使工藝技術(shù)經(jīng)過了幾代的持續(xù)演進(jìn),并且減小
2019-07-17 06:21:02
光電晶體管和光電二極管是密切相關(guān)的電光傳感器,它們?cè)谖恢?存在感測(cè)、光強(qiáng)度測(cè)量和高速光脈沖檢測(cè)等應(yīng)用中可將入射光轉(zhuǎn)換成電流。但是,要充分利用這些器件,設(shè)計(jì)人員需要特別注意接口電路、波長(zhǎng)和光學(xué)機(jī)械校準(zhǔn)
2021-01-12 07:56:44
能耗。簡(jiǎn)單的說,這也符合未來輕薄化的趨勢(shì)。納米制程是什么納米制程是指芯片中的線能縮小到的尺寸,舉個(gè)例子,長(zhǎng)得跟下圖一樣的傳統(tǒng)電晶體,L代表著我們期望縮小的閘極長(zhǎng)度,從Drain 端到 Source 端
2016-12-16 18:20:11
能耗。簡(jiǎn)單的說,這也符合未來輕薄化的趨勢(shì)。納米制程是什么納米制程是指芯片中的線能縮小到的尺寸,舉個(gè)例子,長(zhǎng)得跟下圖一樣的傳統(tǒng)電晶體,L代表著我們期望縮小的閘極長(zhǎng)度,從Drain 端到 Source 端
2016-06-29 14:49:15
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說,這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人,都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后,FinFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言,其未來會(huì)怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
請(qǐng)教音叉開關(guān)上面的振動(dòng)壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
電晶體之交流分析
教學(xué)目標(biāo)1. 熟悉共射極放大器的輸入、輸出特性。2. 熟悉共集極放大器的輸入、輸出特性。3. 熟悉
2010-06-11 17:13:270 有一類十分有趣的晶體,當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí),它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。水晶(α-石英)是一種有名的壓
2006-06-08 18:04:531075 電晶體化3M~200MHz寬頻帶放大器
圖7-1系儀器計(jì)測(cè)用前置放大器及
2008-08-17 14:21:36830
無線電衛(wèi)星站用電晶體控制交換型充電器電路
2008-11-04 10:16:40500
壓電晶體揚(yáng)聲器聲控電燈電路圖
2009-06-08 15:54:03500
光電晶體管控制的繼電器電路圖
2009-07-03 14:20:091026 光電晶體三極管電路
這里顯示出了在光電晶體
2009-09-22 17:19:431705 壓電晶體定義 有一類十分有趣的晶體,當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí),它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就
2009-12-03 11:34:04874 壓電晶體是什么
有一類十分有趣的晶體,當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí),它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶
2010-01-16 09:21:183989 用自置偏電路以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的光電晶體管受光電路
電路的功能
在光
2010-05-18 11:38:57594 逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特爾(Intel) 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖,從中可見英特爾稱為叁閘極(tri-gate)電晶體的FinFET元件,從剖面圖看來,它實(shí)際上是幾乎呈現(xiàn)三
2012-05-23 09:54:442050 高功率氮化鎵(GaN)電晶體因容易過熱而令人詬病,最近美國(guó)科學(xué)家研發(fā)出一種由石墨及石墨烯(graphene)制成的「排熱被」,能夠有效降溫而解決此問題。這個(gè)由碳材料所組成的補(bǔ)丁結(jié)
2012-08-17 08:48:231411 GLOBALFOUNDRIES推出專為成長(zhǎng)快速的行動(dòng)市場(chǎng)所設(shè)計(jì)的新技術(shù),加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖。該公司推出的14nm-XM技術(shù),將為客戶提供3D「FinFET」電晶體的效能及能源優(yōu)勢(shì),不僅可降低風(fēng)險(xiǎn),更能
2012-09-24 10:39:38757 IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對(duì)未來晶圓的發(fā)展預(yù)測(cè),Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟,旨在研究3D晶體
2013-02-20 23:04:307799 過去二十幾年來,IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了,期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時(shí)至今日,最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了——例如,4nm矽電晶體通道約由20
2014-07-07 09:59:42761 根據(jù)最新國(guó)際半導(dǎo)體科技藍(lán)圖(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)7月稍早的消息,一份藍(lán)圖顯示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的電晶體
2016-07-27 13:50:431174 英國(guó)劍橋大學(xué)(Cambridge University)日前推出新的電晶體設(shè)計(jì),可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應(yīng)來源并可在1伏特下運(yùn)作且耗電低于10億分之1瓦特。
2016-11-10 10:14:11779 據(jù)外媒報(bào)道,三星電子被指侵犯了與鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利,面臨訴訟。韓媒稱,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)計(jì)劃對(duì)三星提起訴訟,指控后者侵犯其FinFET專利。
2016-12-05 20:08:05559 節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降,這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,與16/14奈米FinFET將催生更小
2017-07-07 11:36:11130 功耗低,面積小的優(yōu)點(diǎn),臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開始計(jì)劃推出自己的FinFET晶體管[4],為未來的移動(dòng)處理器等提供更快,更省電的處理器。從2012年起,FinFET已經(jīng)開始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
2018-07-18 13:49:00119524 三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-all-around;GAA)電晶體。
2018-05-30 11:37:134765 通用光耦合器由砷化鎵紅外發(fā)射二極管組成,該二極管驅(qū)動(dòng)6引腳雙列直插封裝的硅光電晶體管。
2018-11-14 09:24:0017 我國(guó)科學(xué)家首次研制出高銦含量三元光電晶體!
2019-04-28 16:45:122845 非中心對(duì)稱晶體,在機(jī)械力作用下,產(chǎn)生形變,使帶電質(zhì)點(diǎn)發(fā)生相對(duì)位移,從而在晶體表面出現(xiàn)正、負(fù)束縛電荷,這樣的晶體稱為壓電晶體。壓電晶體極軸兩端產(chǎn)生電勢(shì)差的性質(zhì)稱為壓電性。
2019-06-27 14:30:0515707 FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù),是一種全新的新型的多門3D晶體管。
2019-09-23 08:53:363193 關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》(DigiTimes)1 月 13 日?qǐng)?bào)道稱,中國(guó)大陸芯片代工廠商中芯國(guó)際擊敗臺(tái)積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:015094 如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極(GAA)”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù),FinFET猶可淡定;而到如今,英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA,就已有一個(gè)時(shí)代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:392616 有消息表示,處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點(diǎn)上將會(huì)放棄 FinFET 電晶體,轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。
2020-03-17 16:35:262811 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù),這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸,甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下,在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 作者:泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比,與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:402858 光電晶體管是固態(tài)器件,用作具有內(nèi)部增益的光檢測(cè)器并用于提供模擬或數(shù)字信號(hào)。幾乎所有依賴光的電子設(shè)備(如煙霧探測(cè)器和光學(xué)遙控器)都在其系統(tǒng)中使用光電晶體管。這些設(shè)備將檢測(cè)到的光轉(zhuǎn)換為電流以供
2021-06-01 16:40:233965 向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。在這條令人振奮的道路上,他介紹了Nanosheet晶體管,F(xiàn)orksheet器件和CFET。其中一部分內(nèi)容已在2019 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上發(fā)表。 FinFET:今天最先進(jìn)的晶體管 在每一代新技術(shù)上,芯片制造商都能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管規(guī)格微縮0.7倍,從而實(shí)現(xiàn)15%
2020-12-30 17:45:162676 光電二極管可以產(chǎn)生光電流,因?yàn)樗慕Y(jié)暴露在入射光下。除了暴露的半導(dǎo)體材料是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)的基極之外,光電晶體管的功能與此類似。
2021-06-23 16:46:597163 在開發(fā)出第一個(gè)點(diǎn)接觸晶體管之后,貝爾實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)發(fā)明了光電晶體管。當(dāng)時(shí),大量的開發(fā)工作正在啟動(dòng)。盡管光電晶體管的歷史不像其他半導(dǎo)體的早期發(fā)展那樣被公開,但它無疑是一個(gè)非常重要的發(fā)展。
2021-09-17 15:53:093525 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-05 16:00:291209 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上,兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-27 17:24:136 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比,與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是,隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積,FinFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:11952 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LED和光電晶體管來感應(yīng)手指的心跳.zip》資料免費(fèi)下載
2022-11-09 11:27:381 光電晶體管電路的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
2022-11-15 20:08:503 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)需要設(shè)立的技術(shù)研發(fā)與創(chuàng)新機(jī)構(gòu),其負(fù)責(zé)制定企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新規(guī)劃、開展產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)、創(chuàng)造運(yùn)用知識(shí)產(chǎn)權(quán)、建立技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系、凝聚培養(yǎng)創(chuàng)新人才、構(gòu)建協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)、推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新全過程實(shí)施。 ? 壓電晶體作為各類電子產(chǎn)品中必不可
2022-12-07 15:45:55419 有一類十分有趣的晶體,當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí),它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。壓電晶體用于制造選擇和控制頻率的電子元器件,廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域,如彩電、空調(diào)、電腦、DVD、無電線通訊等,尤其在高性能電子設(shè)備及數(shù)字化設(shè)備中應(yīng)用日益擴(kuò)大。
2023-01-05 10:45:50670 有一類十分有趣的晶體,當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí),它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。壓電晶體用于制造選擇和控制頻率的電子元器件,廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域,如彩電、空調(diào)、電腦、DVD、無電線通訊等,尤其在高性能電子設(shè)備及數(shù)字化設(shè)備中應(yīng)用日益擴(kuò)大。
2023-01-17 14:55:59541 臺(tái)積電官網(wǎng)宣布推出大學(xué)FinFET專案,目的在于培育未來半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)人才并推動(dòng)全球?qū)W術(shù)創(chuàng)新。
2023-02-08 11:21:01279 光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理:當(dāng)光落在結(jié)上時(shí),反向電流流動(dòng),其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測(cè)光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào)。這些是通過光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12656 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管,來自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流,而是激活晶體管。這是因?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">電晶體管由雙極半導(dǎo)體制成,并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:06287 光電功能晶體主要是利用光電轉(zhuǎn)化的功能晶體,種類很多,如光學(xué)晶體、激光晶體、非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、閃爍晶體和磁光晶體等。它的作用是接受光信號(hào),并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
2023-05-16 16:07:26389 光電晶體管(Phototransistor)是一種光控半導(dǎo)體器件,它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:16584 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件,其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管,其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:20:41529 在光電晶體管電路中,基本的工作模式包括有源和開關(guān)兩種,其中常用的工作模式是開關(guān)型。它解釋了對(duì)光的非線性響應(yīng);一旦沒有光,就沒有電流流入晶體管。
2023-05-16 16:25:08374 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件,其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管,其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:29:33389 光電晶體管是一種光電轉(zhuǎn)換器件,它是在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于光電傳感、光電控制、光電通信等領(lǐng)域。
2023-05-17 15:29:281557 10月20日下午,“創(chuàng)新與機(jī)遇、賦能國(guó)產(chǎn)化品牌”2021灣區(qū)中國(guó)壓電晶體信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)論壇在深圳國(guó)際會(huì)展中心如期舉行。嘉賓觀眾簽到本次論壇由深圳市電子商會(huì)主辦,深圳市電子商會(huì)壓電晶體專委會(huì)、深圳市
2021-10-25 17:38:05592 光電晶體管是將光轉(zhuǎn)化為電能的組件。它是一種晶體管,只是它使用光而不是基極電流來打開和關(guān)閉。
2023-06-29 10:40:38432 推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)之一是采用FinFET工藝。工程師介紹,另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:374434 有關(guān)光電二極管和光電晶體管的硬核科普,值得收藏!
2023-12-01 16:22:43245 ? 來源:硅基研究室 作者丨山核桃 無銹缽 美編丨漁? ?夫 ? 作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)教父般的存在,張汝京每一次的出現(xiàn)幾乎都會(huì)引發(fā)半導(dǎo)體圈的熱議。 ? 11月28日,現(xiàn)身在??诘膹埲昃?,他的新身份
2024-01-06 08:43:19179 在本指南中,您將了解什么是光電晶體管,如何使用光電晶體管,并通過一個(gè)簡(jiǎn)單的項(xiàng)目來構(gòu)建自動(dòng)開/關(guān)開關(guān)。
2024-02-11 11:09:00595 2024年2月14日,人工智能芯片領(lǐng)域的奠基人之一、被譽(yù)為“日本半導(dǎo)體教父”的坂本幸雄因身體不適辭世,享年77歲。這一消息傳來,令整個(gè)科技產(chǎn)業(yè)感到沉痛,他成功重建了半導(dǎo)體行業(yè)多家陷入財(cái)務(wù)困境的公司
2024-02-23 18:13:221131
評(píng)論
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