對(duì)中國(guó)大陸來(lái)說(shuō)，今年可算是真正意義上的存儲(chǔ)器元年。武漢存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目啟動(dòng)，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項(xiàng)目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲(chǔ)器的合肥市和紫光。三個(gè)地方加一個(gè)企業(yè)牽頭的“3+1”存儲(chǔ)器版圖已初現(xiàn)端倪。

　　此前，中國(guó)還未有任何一家企業(yè)在存儲(chǔ)器主流市場(chǎng)中占據(jù)過(guò)一席之地。面對(duì)一個(gè)動(dòng)輒上百億元巨額投資、由寡頭壟斷的產(chǎn)業(yè)，讓人不由得思考：這種多方并進(jìn)、多點(diǎn)齊投的發(fā)展模式是不是合理？各方選擇的路徑顯然都不是坦途，最后哪條才能走進(jìn)存儲(chǔ)器的明天？

　　新進(jìn)入者：要?jiǎng)?chuàng)造不可能的可能

　　存儲(chǔ)器是一個(gè)嚴(yán)格按照摩爾定律前進(jìn)、追求低成本的規(guī)模經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)，想做起來(lái)太難。在這個(gè)寡頭割據(jù)的市場(chǎng)中，完全沒(méi)有給新進(jìn)入者留下太多發(fā)展的余地。在過(guò)去的年月里，能夠聽(tīng)到的只有不斷退出的失敗悲歌。

　　“現(xiàn)實(shí)世界中應(yīng)當(dāng)不會(huì)有新加入者了，因?yàn)樗鼰o(wú)法實(shí)現(xiàn)規(guī)模經(jīng)濟(jì)，不可能加入進(jìn)來(lái)持續(xù)虧錢(qián)。”Bernstein分析師Mark Newman告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者。

　　Mark Newman指出，新進(jìn)入者通常在起步時(shí)就要落后同行業(yè)至少3年，在供需平衡的情況下，新進(jìn)入者一年可能要面臨60%左右的虧損；而在產(chǎn)能過(guò)剩的情況下，新進(jìn)入者的虧損很可能達(dá)到百分之幾百。

　　參考過(guò)去十幾年的經(jīng)驗(yàn)，這個(gè)市場(chǎng)并不是沒(méi)有新進(jìn)入者。

　　中國(guó)***地區(qū)曾在2001年至2010年間以400億美元的大手筆投資大幅挺進(jìn)存儲(chǔ)器市場(chǎng)，最多的時(shí)候能夠占據(jù)存儲(chǔ)器總市場(chǎng)份額的20%。但最終結(jié)果慘淡，市場(chǎng)并不歡迎這個(gè)新玩家，目前中國(guó)***存儲(chǔ)器只剩下4%的市場(chǎng)份額。

　　這一次，決心晉身存儲(chǔ)器玩家的是中國(guó)大陸。

　　從2014年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》特別指出要發(fā)展新興存儲(chǔ)等關(guān)鍵芯片產(chǎn)業(yè)，到工信部印發(fā)的貫徹落實(shí)《國(guó)務(wù)院關(guān)于積極推進(jìn)“互聯(lián)網(wǎng)+”行動(dòng)的指導(dǎo)意見(jiàn)》行動(dòng)計(jì)劃（2015-2018年）中提出到2018年在海量存儲(chǔ)系統(tǒng)領(lǐng)域取得重大突破，毫無(wú)疑問(wèn)，面對(duì)常年“缺芯”的窘境，市場(chǎng)總額超過(guò)800億美元、卻幾乎100%依賴進(jìn)口的存儲(chǔ)器已經(jīng)上升到國(guó)家意志的高度，發(fā)展刻不容緩。

　　中科院微電子所研究員霍宗亮告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者，對(duì)新進(jìn)入的中國(guó)玩家，想切入DRAM和NAND閃存領(lǐng)域存有一線可能。DRAM制程工藝已快遇到物理上的極限，更新?lián)Q代越來(lái)越慢，技術(shù)難度越來(lái)越大，在這樣的情況下，國(guó)外廠家有可能跟中國(guó)新進(jìn)入者共同研發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)移，但利潤(rùn)很薄，前景堪憂。

　　他指出，閃存則開(kāi)始走進(jìn)3D NAND新興技術(shù)，該技術(shù)可以向下延展到更多的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，比如32層、48層、64層、96層……在設(shè)備成本差別不大的情況下，中國(guó)新進(jìn)入者只要完成前期的技術(shù)開(kāi)發(fā)，后續(xù)的進(jìn)展有可能加速。

　　其實(shí)中國(guó)大陸早已成為國(guó)際存儲(chǔ)器大廠爭(zhēng)相投資的熱土。

　　目前在中國(guó)做存儲(chǔ)器的版圖中還有原本就已布局西安的三星、扎根無(wú)錫的SK海力士和已確定將大連工廠從做邏輯IC轉(zhuǎn)為做3D Xpoint存儲(chǔ)器的英特爾等國(guó)際主流玩家。

　　據(jù)賽迪智庫(kù)集成電路研究所所長(zhǎng)霍雨濤判斷，SK海力士無(wú)錫工廠的DRAM產(chǎn)能可以占其DRAM總產(chǎn)能的43%。三星西安工廠的NAND Flash產(chǎn)能接近其NAND Flash總產(chǎn)能的22%。

　　市場(chǎng)就在這里，需求就在這里。不僅僅只是國(guó)際廠商意識(shí)到了這一點(diǎn)，中國(guó)顯然也并不缺乏勇于吃螃蟹的人。

　　在短短不到2年的時(shí)間里，存儲(chǔ)器項(xiàng)目在中國(guó)大陸各地開(kāi)花。參與這場(chǎng)追擊戰(zhàn)的除原本曾在Nor閃存領(lǐng)域耕耘10年的武漢新芯外，還有決心在集成電路產(chǎn)業(yè)干一番大事的安徽合肥、福建晉江市政府，以及憑借強(qiáng)有力的資本運(yùn)作手段完成多個(gè)重大項(xiàng)目的紫光集團(tuán)。

　　至此，中國(guó)大陸“3+1”存儲(chǔ)器版圖初定。

　　是激進(jìn)冒險(xiǎn)？還是打破了一潭死寂？

　　“紫光集團(tuán)計(jì)劃在未來(lái)5年投資300億美元在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)上。”紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者。他表示，除了紫光國(guó)芯計(jì)劃增發(fā)的800億元中，不少于600億元將投資到存儲(chǔ)器制造上外，紫光計(jì)劃再籌集1400億元投入到存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。

　　根據(jù)公開(kāi)資料，福建省晉江市與聯(lián)電技術(shù)合作的晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目，一期投資額也有53億美元。

　　事實(shí)上，作為規(guī)模經(jīng)濟(jì)的典型代表，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)是眾所周知的投資大、周期長(zhǎng)，要建一條20nm以下工藝的生產(chǎn)線，至少要投入70億美元。以目前已啟動(dòng)的武漢存儲(chǔ)器基地為例，其總投資金額將達(dá)240億美元。

　　回顧從前，在國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立前，在紫光屢屢豪邁地對(duì)國(guó)際企業(yè)發(fā)出并購(gòu)邀約前，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)的主旋律還是缺錢(qián)，也并沒(méi)有一家廠商有勇氣以如此巨額投資做IDM模式的存儲(chǔ)器。

　　業(yè)界也因此出現(xiàn)了質(zhì)疑的聲音：這么龐大的資金投入會(huì)不會(huì)被浪費(fèi)？對(duì)團(tuán)隊(duì)和人才會(huì)不會(huì)出現(xiàn)不必要的內(nèi)部爭(zhēng)奪？會(huì)不會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的同質(zhì)化問(wèn)題？

　　半導(dǎo)體行業(yè)專家莫大康向記者表示，存儲(chǔ)器行業(yè)風(fēng)險(xiǎn)太大，需要盡量謹(jǐn)慎。他不太贊成各地開(kāi)花的做法，但認(rèn)為只支持一家上馬的風(fēng)險(xiǎn)也很大。

　　“從戰(zhàn)略層面來(lái)講，舉全國(guó)之力做一件事，毫無(wú)疑問(wèn)是正確的。在自身各方面條件有限的情況下，集中力量才能想辦法做成點(diǎn)兒大事。”清華大學(xué)微電子所所長(zhǎng)魏少軍對(duì)《中國(guó)電子報(bào)》記者表示。

　　他同時(shí)也指出，在實(shí)際情況下，存儲(chǔ)器也是完全市場(chǎng)化競(jìng)爭(zhēng)的產(chǎn)品，企業(yè)在做之前必然也會(huì)判斷重點(diǎn)、估算得失，不會(huì)盲目投資。

　　必須承認(rèn)的一點(diǎn)是，各地選擇的市場(chǎng)切入點(diǎn)、商業(yè)模式不盡相同，其積極性確實(shí)打破了全球存儲(chǔ)器格局的一潭死寂。當(dāng)事人們也都表示出了極大的信心。