手機芯片10納米大戰正式開打！手機芯片龍頭高通（Qualcomm）搶在美國消費性電子展（CES）前發表10納米Snapdragon 835手機芯片，采用三星10納米制程生產。聯發科交由臺積電10納米代工的Helio X30也已進入量產階段，明年上半年將再推出Helio X35搶市，至于華為旗下海思半導體Kirin 970也將在明年采用臺積電10納米量產。

　　業界人士指出，明年第一季將是高通、聯發科、海思等三大手機芯片廠的10納米芯片大戰開打，雖然規格上仍是高通領先同業，不過能否真正放量出貨并搶下手機廠訂單，關鍵反而在于臺積電及三星等晶圓代工廠能否符合預期開出產能。

　　高通宣布子公司高通技術公司發表新一代Snapdragon 835手機芯片，雖然大部份細節規格都還沒正式公布，但說明將支援最新的Quick Charge 4快充技術，進行5分鐘充電后，將手機使用時間延長至5小時以上，且Quick Charge 4支援 Type-C連接埠和通用匯流排電力傳輸（USB-PD），可廣泛的適用于各種連接線和轉接器之上。

　　兩大代工廠10nm技術進展

　　日前高通正式發布了其驍龍835芯片，采用三星的10nm工藝，這讓臺媒風傳的高通將轉單采用臺積電的10nm工藝不攻自破，而臺積電曾信心滿滿的要趕在三星前量產的10nm如今已落后于三星更未確定年底能否量產。

　　臺積電無疑是全球代工老大，在半導體制造工藝方面與三星一直都互相競爭，不過在14/16nmFinFET工藝上前者被后者擊敗。三星去年初量產14nmFinFET工藝，而臺積電去年三季度才量產16nmFinFET工藝。

　　自那時候起，臺積電卯足勁希望在10nm甚至7nm工藝上要領先三星。在三星的10nm工藝正式量產前，臺媒不斷宣傳臺積電的10nm工藝進展良好，將有望趕在三星前率先量產。

　　不過中國大陸的手機芯片企業華為海思則理智的選擇了臺積電的16nmFinFET工藝，原因是華為海思曾幫助臺積電開發16nm和16nmFinFET工藝，但是臺積電的16nmFinFET工藝最終沒能如期在去年初量產導致華為海思不得不推出麒麟930應市，這只是一款八核A53架構的處理器性能并不凸出，到臺積電成功量產16nmFinFET后卻又將該工藝產能首先提供給蘋果生產A9處理器。

　　正是基于這樣的原因，華為海思為了確保自己新一代的芯片能如期上市，而規劃了兩款高端芯片麒麟960、麒麟970，前者采用臺積電成熟的16nmFinFET工藝，而后者則采用臺積電的10nm工藝，如今采用麒麟960的mate9手機已如期上市，廣受好評并奪得了市場機會。

　　另一個芯片企業聯發科希望采用臺積電的10nm工藝，通過采用領先的工藝而在高端芯片市場有所作為，但是如今臺積電的10nm工藝量產時間正成為聯發科頭疼的事情，而且即使臺積電的10nm工藝量產它也有可能將該工藝產能優先提供給蘋果生產A10X芯片。但是聯發科由于其當下所有芯片都不支持中國移動要求的LTE Cat7技術開始被中國手機企業拋棄，它急需推出采用10nm工藝的helio X30，該芯片支持LTE Cat10技術，青黃不接的聯發科如今就如熱鍋上的螞蟻。

　　臺積電的10nm工藝量產時間已經落后于三星，臺媒又開始宣傳它的7nm工藝將在明年下半年量產，這種宣傳策略似乎過于夸張了，正如此前的16nmFinFET工藝一樣在正式量產前不斷發布量產時間結果卻是實際量產時間延遲了近半年時間，其10nm、7nm工藝但愿量產時間不要太遲才好。