2016年，紫光集團與武漢新芯攜手的傳聞落地。根據雙方發布的消息，由紫光集團和武漢新芯聯手組建的長江存儲科技有限責任公司于7月26日注冊成立。這意味著中國最大的存儲產業基地初見雛形。對此事件業界反響普遍持正面態度。

然而，長江存儲未來將要面臨的挑戰仍然嚴峻，包括國際競爭環境，國內的市場接受度等，特別是在存儲器產品的開發生產、專利技術的獲得以及市場競爭等關乎企業未來成敗的幾個方面，新公司將會如何應對呢？

3D NAND+DRAM，產業鏈整合值得觀察

“長江存儲”成立的消息近來已在業內持續發酵，業界關注的重點首先仍在存儲產品的開發與生產上。畢竟這是一家企業生存發展的基礎。

對此，研究機構DRAMeXchanGE研究協理楊文得指出，中國廠商近一年來通過布局閃存產業所展現的規劃力、執行力與彈性均不容小覷，武漢新芯原為 NOR 閃存生產廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設領域有所擅長，而紫光集團則在資金募集及國際合作等方面有過人之處。通過兩強攜手整合資源，能使中國閃 存產業投資的整體資源分配更加集中，有助于中國建立產業自主性。

如果進一步分析可以發現，武漢新芯在3D NAND上已表現出一定技術實力。武漢新芯執行副總裁、商務長陳少民此前接受記者采訪時表示，2015年武漢新芯已經在3D NAND開發上取得進展，具有9層結構的三維存儲器芯片下線。他們有信心在2018年存儲器基地項目量產時，推出具有市場競爭力的產品。

而根據武漢新芯今年3月啟動“國家存儲器項目”時發布的發展規劃，2020年產能目標為30萬片/月，其中3D NAND 20萬片/月、DRAM 10萬片/月。

對此，Gartner研究總監盛陵海表示，如果武漢新芯在3D NAND上有一定基礎的話，紫光進入有可能使新公司在DRAM上取得一定進展。紫光集團2015年收購了國內唯一一家DRAM設計公司西安華芯，同時我國 ***地區存儲器生產廠華亞科前董事長高啟全亦加入了紫光集團。

此外，有關存儲器產業鏈的整合也將是一個看點。紫光集團此前已經在存儲 產業鏈方面進行了一定布局，2015年斥資71億元人民幣成為紫光國芯的控股股東。紫光國芯除擁有FPGA、智能卡和安全芯片等傳統市場外，也是紫光集團 進入存儲芯片領域的平臺。下一步紫光集團如何將此前的產業鏈布局與武漢新芯的晶圓制造整合，值得觀察。

與美光合作，“華亞科模式”并非最優選擇

對于中國發展存儲器產業，業界目前最為關注的仍是專利技術的獲取。此前，武漢新芯在NAND Flash上有所布局，包括與Spansionw合作開發及專利交叉授權3D-NAND Flash技術。業界傳出的消息為，正在開發32層堆疊的3D NAND，計劃2018年上半年實現量產。此外也有消息稱，與美光洽談技術授權，甚至稱有可能采取類似美光與華亞科合作的模式（美光技術授權，并包下華亞 科所有產能）。相信，在紫光集團與武漢新芯攜手之后，將加大新公司與技術授權來源美光的談判優勢，一定程度上有望加速獲得如美光的第三方技術授權。

但是，盛陵海卻表示，對中國企業來說，其實“華亞科模式”并不是最優選擇。中國發展存儲器產業，強調的是自主可控。而華亞科模式在短期內雖然有助于企業 在市場上較快立足，但是從長遠來看，也會限制企業的成長。半導體專家莫大康在接受記者采訪時也表示，不傾向于采用“華亞科模式”。中國發展存儲器產業，應 當更加強調自主創新。

產能擴張，市場因素為成敗關鍵

如果資金與技術能夠跟上，存儲器產品的開發與生產其實并沒有太大懸念，最關鍵仍是未來生產出的產品與價格能否為市場所接受。根據陳少民的估算：“每個晶圓片可切割芯片700顆～800顆。如果按月產能20萬片計算，屆 時武漢新芯的產能約占全球市場的11%～13%。”如果不計算紫光加入帶來的變化因素，僅按這個市場目標，是頗具雄心的。

值得注意的是，近幾個月以來，國際半導體巨頭已經紛紛加碼投資先進存儲芯片項目。在NAND Flash方面，三星除西安廠的投資外，韓國平澤廠區也規劃新的3D NAND Flash產能。東芝電子與閃迪（SanDISk）在日本Fab2廠的產能持續增加，新廠可望在2018年下半年投產最新制程的3D NAND。SK海力士則除現階段M11與M12廠外，M14廠第二階段3D NAND的生產也將從明年第一季度開始進行。如果加上武漢新芯2017年年底至2018年量產的3D NAND，未來，全球在3DNAND的大戰看似己不可避免。

魏少軍在接受媒體采訪時曾談到“在長江存儲啟動投資后三年左右的時間，將是大家最難受的時候”，其中所指的正是這個產品生產出來并推向市場的關鍵時期。屆時，必然會有一場激烈的市場爭奪。

“在這種情況下，紫光集團與武漢新芯兩強攜手，有利于渡過這個難關。這包括紫光集團在資金募集方面的能力。同時，國家集成電路產業投資基金應當發揮政策主導性的作用。”莫大康指出。

此外，根據DRAMeXchanGE數據，在NAND Flash產業方面，2011年至2016年NAND Flash需求的年復合增長率高達47%。而受益于3D NAND Flash的制程升級加速，SSD的價格開始滑落到廠商的甜蜜點，SSD在筆記本電腦的滲透率在2018年全年度將超過50%，而服務器/數據中心等級的 固態硬盤也將以每年20%的增長率快速增長。在SSD的帶動下，NAND Flash的需求量可望在未來10年內維持強勁的增長態勢。市場增長也利于產能的消化，有助于中國存儲企業的立足與發展。