「遲來總比缺席好」可能是碳納米管內(nèi)存（Nano-Ram；NRAM）的最佳寫照。

根據(jù)BCC Research發(fā)布的最新研究報(bào)告指出，NRAM在苦熬多年一直無法量產(chǎn)后，終于準(zhǔn)備好在2018年商用化了，預(yù)計(jì)將席卷現(xiàn)有的DRAM與快閃記憶市場。該市調(diào)公司并表示，首款利用這種碳納米管（CNT）技術(shù)的非揮發(fā)性內(nèi)存芯片似乎也已經(jīng)蓄勢待發(fā)，預(yù)計(jì)將對(duì)計(jì)算機(jī)內(nèi)存領(lǐng)域帶來不小沖擊。

「雖然許多業(yè)界專家已經(jīng)放棄等待CNT內(nèi)存了，」BCC Research研究總監(jiān)Kevin Fitzgerald表示，「但我想，大家都必須要以全新的眼光，才能真正看到從硅轉(zhuǎn)變到碳的時(shí)刻來臨。」

他表示，最近由技術(shù)巨擘富士通（Fujitsu）取得商用化制造NRAM的授權(quán)協(xié)議，迅速讓該公司的前景看法改觀；同時(shí)，就在撰寫這份報(bào)告的同時(shí)，共同簽署這份協(xié)議的NRAM供貨商N(yùn)antero又獲得了2，100萬美元的創(chuàng)投資金，鞏固了該公司曾經(jīng)懷疑NRAM技術(shù)的看法。

BCC Research預(yù)計(jì)，全球NRAM市場將從2018年到2023年實(shí)現(xiàn)62.5%的復(fù)合年成長率（CAGR），其中嵌入式系統(tǒng)市場預(yù)計(jì)將在2018年達(dá)到470萬美元，到了2023年將成長至2.176億美元，CAGR高達(dá)115.3% 。

針對(duì)企業(yè)儲(chǔ)存、企業(yè)服務(wù)器與消費(fèi)電子等領(lǐng)域，NRAM技術(shù)比閃存更具有顛覆性，更有利于在這領(lǐng)域的產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)新一波的創(chuàng)新。很快將會(huì)受到影響的應(yīng)用將包括消費(fèi)性電子領(lǐng)域、行動(dòng)運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、企業(yè)儲(chǔ)存、國防、航天以及車用電子等領(lǐng)域。

Fitzgerald說，多位計(jì)算機(jī)記憶體專家以及對(duì)此感興趣的觀察家都看好碳納米管在非內(nèi)存領(lǐng)域的應(yīng)用。「許多應(yīng)用都是直接相關(guān)的，如化學(xué)傳感器或RFID中繼器等，但也有幾個(gè)應(yīng)用專用于先進(jìn)材料，如太陽能電池’燃料電池、電力傳輸與MEMS等，」他說：「嚴(yán)峻的半導(dǎo)體制造要求似乎導(dǎo)致它在其他應(yīng)用上的優(yōu)點(diǎn)。而從商業(yè)的角度來看，它也是相當(dāng)有價(jià)值的IP。」

但Fitzgerald強(qiáng)調(diào)，NRAM擁有許多有利于其發(fā)展的因素，包括更高密度。「它所需的能量更少，因?yàn)樗恍枰駛鹘y(tǒng)記體一樣不斷地『刷新』。因此，它可以實(shí)現(xiàn)更快的速度，甚至縮到皮秒（ps）級(jí)的響應(yīng)時(shí)間。」此外，它還可實(shí)現(xiàn)真正「實(shí)時(shí)」的性能，而且具有極高的耐熱性。他補(bǔ)充說：「它真的不應(yīng)該只浪費(fèi)在傳統(tǒng)意義上。」

Fitzgerald認(rèn)為，Nantero決定授權(quán)這項(xiàng)技術(shù)，而非獨(dú)自發(fā)展，可說是推動(dòng)NRAM向前進(jìn)展的關(guān)鍵。「這讓Fujitsu得以加速使該技術(shù)導(dǎo)入制造，」他說。「隨著這塊市場大餅日益做大，合作伙伴將會(huì)更有動(dòng)機(jī)共同分擔(dān)產(chǎn)品開發(fā)的負(fù)擔(dān)。」

從技術(shù)的角度來看，純碳的來源是一項(xiàng)主要的障礙。Fitzgerald說：「只要能解決這個(gè)問題，就能讓Nantero占據(jù)強(qiáng)大的IP位置。Nanatero可以被視為一家材料平臺(tái)公司，首批產(chǎn)品剛好適用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存領(lǐng)域。」

Nantero執(zhí)行長Greg Schmergel強(qiáng)調(diào)，授權(quán)富士通的協(xié)議及其最近的資助，都是該公司發(fā)展的重要里程碑。他表示，該公司能為合作伙伴帶來的最大機(jī)會(huì)和領(lǐng)域就在于行動(dòng)和消費(fèi)性閃存應(yīng)用，預(yù)計(jì)可在行動(dòng)和平板計(jì)算機(jī)領(lǐng)域催生大量業(yè)務(wù)。「我們?cè)谶@些領(lǐng)域都已經(jīng)有幾家客戶了。由于這些裝置的電池續(xù)航力至關(guān)重要，使公司的價(jià)值主張十分有力。」

Schmergel說，具有DRAM速度的非發(fā)性內(nèi)存意味著可讓裝置的功耗降低，使用者將會(huì)明顯感受到速度的提升。「你不會(huì)再受到功能權(quán)衡的限制了。」

他說，Nantero的幾家合作伙伴正在設(shè)計(jì)NRAM產(chǎn)品，而該公司本身也在進(jìn)行一些自家的設(shè)計(jì)，包括兼容DDR4的內(nèi)存產(chǎn)品。該公司目前已有70位以上的員工了。

BCC Research指出有幾家獨(dú)立內(nèi)存公司、手機(jī)與穿戴式裝置公司可能導(dǎo)入NRAM技術(shù)，但Fitzgerald說，這些公司至今并未透露任何細(xì)節(jié)。

相較于其他的內(nèi)存技術(shù)，NRAM的發(fā)展路徑十分獨(dú)特。即使MRAM也曾經(jīng)歷很長的時(shí)間才實(shí)現(xiàn)商用化，但Fitzgerald說，「傳統(tǒng)的內(nèi)存技術(shù)并沒有像NRAM這樣的發(fā)展過程。從硅到碳，意味著必須額外負(fù)擔(dān)更多，但目前已有幾家公司開始探索CNT內(nèi)存了，IBM就是其中之一。」

Nantero專利的NRAM以碳納米管為基礎(chǔ)

BCC Research共同創(chuàng)辦人兼資深編輯Chris Spivey將NRAM的研究與發(fā)展路徑形容為一種典型「以小搏大」（David vs. Goliath）的故事。但劇情出現(xiàn)的一點(diǎn)轉(zhuǎn)折是Nanero最后（即David）選擇與Fujitsu （Goliath的同輩；意指同業(yè)）合作，并為其提供援助。同時(shí)，Chris Spivey表示，盡管現(xiàn)有的內(nèi)存業(yè)者并未對(duì)此發(fā)表評(píng)論，但也不排除未來取得授權(quán)。

正如BCC Research 的研究報(bào)告中所指出的，有關(guān)NRAM技術(shù)的消息已經(jīng)好幾次登上媒體頭條了，盡管毀譽(yù)參半，但該報(bào)告的作者們預(yù)計(jì)，這項(xiàng)技術(shù)的重大進(jìn)展將直接挑戰(zhàn)目前根深蒂固的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)。

最后，F(xiàn)itzgerald總結(jié)道，25年來，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)一直在等待更好的技術(shù)出現(xiàn)。「從某方面來說，NRAM更像是一種『遲到總比缺席好』（better late than never）的技術(shù)。但這也反映出產(chǎn)業(yè)對(duì)于變革的渴望。」

編譯：Susan Hong

（參考原文：NRAM‘s Day Is Finally Here： Report，by Gary Hilson）