報告顯示，晶圓代工廠在半導體行業中的排名，有三家可排進半導體前20名。前四大晶圓代工廠臺積電、格羅方德、臺聯電和中芯國際占全球市場總量的85％。其中，臺積電獨占全球晶圓代工市場59%的份額，格羅方德、聯華電子和中芯國際三家合并市場份額占26％。

晶圓代工廠主要有兩類客戶：Fabless公司例如Qualcomm、Nvidia、Xilinx、AMD等。IDM廠商例如ON，ST，TI，Toshiba等。

SEMI估計，全球將于2017年～2020年間投產62座半導體晶圓廠，其中26座設于中國大陸，占全球總數的42%。這些建于中國的晶圓廠2017年預計6座投產，2018年7座投產，在未來數年投入資金超3500億元。

中國大陸2015年投資建設的晶圓廠以外資為多，如英特爾總投資55億美元在大連，升級原有的大連工廠，生產非易失性存儲器;聯電投資13.5億美元在廈門建立月產能6萬片的12英寸晶圓代工廠；力晶投資135.3億元在合肥新區設立月產能4萬片的12英寸晶圓代工廠。進入2016年后，中國大陸的半導體投資則以中資為主。

2016年3月28日，以武漢新芯為基礎的國家存儲器生產基地項目正式動工，主要面向存儲器芯片的產品設計、技術研發、晶圓生產與測試，將在5年內投資240億美元，預計到2020年將形成月產能30萬片的生產規模，到2030年將形成每月100萬片的產能。2016年7月26日，長江存儲科技有限責任公司宣布成立。公司注冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北國芯產業投資基金合伙企業（有限合伙）和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎上建立長江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產業投資基金股份有限公司共同出資。

同樣是在2016年3月28日，南京市政府與臺積電正式簽署合作協議。臺積電將投資30億美元建設12英寸晶圓廠和IC設計中心，初期月規劃產能2萬片。2016年7月7日項目舉行開工典禮，預計在2018年下半年正式投產16nm制程，將在2019年達到預定產能。

2016年3月29日CMOS傳感器廠德科瑪宣布在江蘇淮安建一座小規模12英寸晶圓廠。一期項目8英寸晶圓廠總投資5億美元，以自主設計的圖像傳感器芯片制造為主。預計項目投產后產能可達4萬片/月。二期項目12英寸晶圓廠總投資20億美元，投產后產能可達2萬片/月。

美國AOS公司將投資7億美元在重慶水土園區建設12英寸功率半導體芯片制造及封測基地，項目于2016年3月30日舉行開工活動。美國AOS半導體股份有限公司于2000年在美國加州成立總部，主營功率型金屬氧化層場效晶體管（Power MOSFET）。

7月16日，福建省晉華存儲器集成電路生產線舉行開工儀式。項目一期投資370億元，計劃建設一座存儲器研發制造企業，重點發展DRAM產品，初期將以利基型DRAM為切入點。

10月份，中芯國際在一個月內連續宣布新廠投資計劃，將在上海開工新建一條12英寸生產線，制程為14納米及以下，月產能7萬片，總投資高達675億元;將天津的8英寸生產線，產能由4.5萬片/月，擴大至15萬片/月，成為全球單體最大的8英寸生產線;在深圳新建一條12英寸生產線，預期目標產能達到每月4萬片。

11月9日，華力微電子二期12英寸高工藝等級生產線項目正式啟動，總投資387億元，規劃月產能4萬片，設計工藝為28、20和14納米。

2017年1月13日，在浙江杭州市臨安青山湖科技城聚賢街與崇文路交叉口，中電海康存儲芯片研發及中試基地項目開工。據悉，該項目投資13億元，占地50畝，計劃今年9月投用；中試運營成功穩定后，后期產業化投資將達到百億元級規模。

加總上述的設資計劃，在未來數年間投入集成電路制造領域的資金將超過3500億元。在產能建設上，根據國際半導體設備與材料產業協會（SEMI）發布的報告，目前全球處于規劃或建設階段，預計將于2017年～2020年間投產的半導體晶圓廠約為62座，其中26座設于中國，占全球總數42%。這些建于中國的晶圓廠2017年預計將有6座上線投產，2018年達到高峰，共13座晶圓廠加入營運，其中多數為晶圓代工廠。