在非存儲器（晶圓代工／IDM） 12吋晶圓產能部分，主要有4家中國廠釋出新增產能的訊息。

（1）中芯于上海規劃新增月產能7萬片的14～7nm產能，深圳新增4萬片的65～55nm產能。

（2）華力微于上海規劃新增4萬片的28～14nm產能。

（3）德科瑪在淮安規劃2萬片CIS產能。

（4）紫光規劃于成都興建12寸廠。

由于自28nm制程開始，晶圓廠須采用難度較高的多重曝光技術（Multiple Patterning），是先進制程的基礎，連帶牽動先進制程（28nm以下）的發展進度，2016年底中芯28nm營收占比僅有3．5％，顯示其制程良率的控制能力穩定性仍不足，將影響28nm以下制程進度，2018年底中芯14nm很可能處于試產狀態。

而華力微新廠于2016年底動土，因此即使發展順利，也要2018下半年才有機會進入試產。而紫光雖釋出興建12寸廠訊息，但未有詳細動工時間，估計2018年尚不會有產能釋出。

因此2018年中國企業規劃的新增產能將可能難以達成，預期下修至7．2萬片，其中中國廠商的先進制程（28nm含以下）產能約1．2萬片，占新增產能近17％，估計2018年中國自主非存儲器產能將占全球非存儲器產能比重約6．7％。

存儲器部分，共計4座新廠進行投產。

（1）晉華以25nm制程為目標規劃12萬片DRAM產能。

（2）長鑫科技于合肥規劃月產能達12．5萬片存儲器芯片產能。

（3）長江存儲于武漢規劃新建3D NAND晶圓廠，預計于2020年達到月產能30萬片。

（4）紫光則釋出將于南京建立月產能10萬片的晶圓廠，主要生產存儲器芯片。

從晶圓廠動土到進行試產一般約18個月，實際量產時間則是各企業的技術能力及量產經驗而定，除了紫光尚未釋出實際建廠進度外，晉華于2016年底開始動土，2018下半年才有機會進行試產，此外25nm需用雙重曝光技術（Double Patterning）及浸潤式曝光機（ArF－immersion），制程難度大幅提升，將影響實際產能開出的進度。

而長鑫的新廠動土時間規劃于2017下半年開始，估計2018年底尚不會有產能開出。

長江存儲則正規劃發展32層垂直堆疊的3D－NAND，預計2018年底將可問世，預計總產能將達到約5萬片。

因此2018年中國廠商規劃的新增產能或將難以達成，預期下修至9萬片，估計2018年中國自主存儲器產能將占全球存儲器產能比重約4．4％。

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