應用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm?Bulk CMOS工藝
2022-04-21 17:37:24
5687 
在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體廠商應該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術。
2015-07-07 09:52:223744 格芯Fab1廠總經理兼高級副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當前戰略中心與創新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 解決方案不斷發展的驅動力。解決方案今天，手機的功率放大器主要使用砷化鎵（GaAs）技術。幾年前，OEM將射頻開關等制造工藝從GaAs和藍寶石（SoS）遷移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的變體
2017-07-13 08:50:15
20-35%；2) 具有更低的功耗。由于減少了寄生電容，降低了漏電，SOI 器件功耗可減小35-70%；3) 消除了閂鎖效應；4) 抑制了襯底的脈沖電流干擾，減少了軟錯誤的發生；5) 與現有硅工藝兼容，可減少
2011-07-06 14:09:25
隨著SMT新技術、新工藝、新材料、新器件的發展，針對這種應用趨勢國外先進研究機構在開展細致分析、檢測方面做了許多工作，特別是投入巨額資金，組建了相應的分析實驗室，促進了新技術在SMT領域中發展
2018-08-23 06:45:03
摘 要：先進封裝技術不斷發展變化以適應各種半導體新工藝和材料的要求和挑戰。在半導體封裝外部形式變遷的基礎上，著重闡述了半導體后端工序的關鍵一封裝內部連接方式的發展趨勢。分析了半導體前端制造工藝的發展
2018-11-23 17:03:35
按照官網上的介紹搭的電路，實測的數據如下
這個原因在哪里
2023-11-14 07:57:22
因需要差分輸出和較高的放大倍數，采用AD8421和ADA4898進行兩級放大，并采用AD8421手冊推薦方法，使用AD4898-1將AD8421單端輸出轉為差分輸出，但實驗發現，輸出的負端信號質量較好，而正端信號噪聲較大，不知原因在哪
2023-11-24 06:31:57
AD9833模塊電路，均存在相同問題，不知道這個原因在哪里？謝謝！是軟件還是硬件原因？軟件設置的話，應該在哪里更改呢？
2023-12-08 07:40:25
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術是一種新的工藝技術，有望成為其30納米以下的技術節點中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
用于MXHV9910BE離線，高亮度LED驅動器的典型線性調光應用電路。 MXHV9910是一款低成本，高亮度（HB）LED驅動器，采用IC Division的SOI工藝高壓BCDMOS制造。該
2019-10-15 08:39:23
用于MXHV9910BTR離線，高亮度LED驅動器的PWM調光應用電路的典型降壓驅動器。 MXHV9910是一款低成本，高亮度（HB）LED驅動器，采用IC Division的SOI工藝
2019-10-14 08:46:31
用于MXHV9910B離線，高亮度LED驅動器的PWM調光應用電路的典型降壓驅動器。 MXHV9910是一款低成本，高亮度（HB）LED驅動器，采用IC Division的SOI工藝高壓BCDMOS
2019-10-15 08:37:25
PCB工藝中底片變形原因與解決方法
2021-03-17 08:15:01
解決方案不斷發展的驅動力。解決方案今天，手機的功率放大器主要使用砷化鎵（GaAs）技術。幾年前，OEM將射頻開關等制造工藝從GaAs和藍寶石（SoS）遷移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的變體
2017-07-13 09:14:06
SMT貼片工藝(雙面) 第一章緒 論1.1簡介隨著我國電子工藝水平的不斷提高，我國已成為世界電子產業的加工廠。表面貼裝技術(SMT)是電子先進制造技術的重要組成部分。SMT的迅速發展和普及，對于推動
2012-08-11 09:53:05
`max038一接上-5V電壓就迅速發熱是什么原因`
2015-11-30 18:45:58
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
串聯諧振(別稱串聯諧振耐壓裝置)主要應用于各個電力，冶金，石油等高能高壓的一些工業公司。它的技術含量要求很高，一般沒有接觸過這些方面的人根本就不懂什么是串聯諧振，但這并沒有阻礙串聯諧振在發展的過程中
2019-07-06 10:00:20
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-08-02 08:23:59
基本問題1. 什么是 ROSROS 是一個操作系統ROS 是一種跨平臺模塊化軟件通訊機制ROS 是一系列開源工具ROS 是一系列最先進的算法2. ROS 產生、發展和壯大的原因和意義最初人們是想設計制造一個復雜的機器人，這個機器人能夠類似于人一樣能夠感知，自我導航，能夠自我控制去做一些復雜的工作
2021-12-17 06:08:09
，已成為包括臺積電在內的代工廠攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調，在這期間，與FinFET技術齊名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
本帖最后由 電子人steve 于 2018-5-23 21:14 編輯
準備入門z-stack，打開一個工程rebuild了一下出現如下警告，不知道原因在哪？工程名稱
2018-05-22 00:18:17
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
的信息互動，簡單方便、安全高效，能讓人們更好的安排時間，方便人們生活。 智能家居“智”在哪里？ 智能家居擁有智慧，能夠讀懂人心，主動服務于人，主要得益于網絡技術的發展，能夠實現遠程控制，無線網絡技術更是
2017-12-02 09:54:19
、重粒子、中子等對SOI器件產生的單粒子效應及加固技術方面。近年來，國際上在不同類型、不同工藝的SOI器件，特別是大規模、超大規模CMOS/SOI集成電路的抗輻射加固技術的研究取得了大量實用化的成果，抗
2011-07-06 14:11:29
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術優勢？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應用？
2021-06-26 07:14:03
，工作正常，然后我用可調電源慢慢調高電壓，大概是到14，5V的時候鉭電容就爆了。不敢再試了。想知道爆炸的原因。另外建議大家，感覺鉭電容貼在pcb上就是顆定時***，慎用鉭電容。
2019-09-25 02:25:54
FPGA在系統中表現出的特性是由芯片制造的半導體工藝決定的，當然它們之間的關系比較復雜。過去，在每一節點會改進工藝的各個方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝。現在，情況已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
中元器件的介質隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡單、短溝道效應小及特別適用于低壓低功耗電路等優勢，因此可以說SOI
2012-01-12 10:47:00
`?隨著摩爾定律，半導體工藝從1微米(um)、0.5微米(um)、0.13微米(um)不斷微縮到奈米(nm)等級，如此先進工藝的電路修補，考驗FIB實驗室的技術發展及應用能力。特別當工藝來到16奈米
2020-05-14 16:26:18
廣播的生存環境正在發生巨大變化，主要原因在于：信息、數字、網絡技術的不斷發展及不斷融合，對人們的生活、工作及信息的獲取產生了深刻的影響，進而影響到廣播業的人文走向。 數字廣播簡稱（DAB），是用數碼方式傳送音頻信號和...
2021-04-20 06:49:16
價格上都是一個全新的挑戰。 電表電容之所以稱之為電表電容的主要原因是其針對載波能量傳輸等具體作用，不僅在技術上有了特殊的支持，同時也在生產工藝上與普通電容有所區別，這也正是為什么電表電容的價格都比普通
2014-01-11 16:40:38
半導體工藝和RF封裝技術的不斷創新完全改變了工程師設計RF、微波和毫米波應用的方式。RF設計人員需要比以往任何時候都更具體、更先進的技術和設計支持。設計技術持續發展，RF和微波器件的性質在不久的未來
2019-07-31 06:34:51
】：隨著半導體工藝向深亞微米、超深亞微米方向迅速發展,集成電路的單粒子翻轉效應變得更加嚴重。靜態隨機存儲器(SRAM)是空間應用中廣泛采用的存儲器件。SRAM單粒子翻轉是主要的空間輻射效應之一[1-2
2010-04-22 11:50:00
特斯拉電機做的小的原因主要是【1】電機轉速高并配合單級減速箱大家知道電機 功率= 轉速*轉矩。電機的體積和功率沒有太直接的關系，而電機的扭矩和電機體積是密切相關的。這樣矛盾就變成【功率不變的情況下
2019-10-17 08:00:00
了SOI CMOS加固工藝和128kb SRAM電路設計等關鍵技術,研制成功國產128kb SOI SRAM芯片。對電路樣品的抗單粒子摸底實驗表明,其抗單粒子翻轉線性傳輸能量閾值大于61.8MeV/(mg
2010-04-22 11:45:13
大家好，有沒有人看到過，半導體器件按照工藝進行分類的資料，比如像CMOS/SOI CMOS/SOS 體硅CMOS NMOS TTL等這樣的分類。先謝謝了
2012-07-02 10:09:49
九陽電磁爐故障現象：保險管和IGBT損壞并更換功率管8550和8050管。上電鍵盤正常但不加熱也沒有故障代碼且不敲鍋，大約一分鐘停機。問：原因在哪里，電路板型號YJCP-21SD14-A
2019-10-17 10:42:39
SOI 材料是 SOI 技術發展的基礎，SOI 技術的 發展有賴于 SOI 材料的不斷進步。缺乏低成本、 高質量的 SOI 材料一直是制約 SOI 技術進入大規 模工業生產的首要因素。
2020-03-19 09:01:27
美等發達國家的先進技術和工藝銷售、安裝于一體的大規模企業之一。匯集國內物流設備制造業眾多技術精英，所擁有的工藝裝備、技術、研發能力均居國內領先水平。憑借專業的制作經驗、領先的制作技術、優秀的產品質量
2009-11-11 10:39:17
美等發達國家的先進技術和工藝銷售、安裝于一體的大規模企業之一。匯集國內物流設備制造業眾多技術精英，所擁有的工藝裝備、技術、研發能力均居國內領先水平。憑借專業的制作經驗、領先的制作技術、優秀的產品質量
2009-11-12 10:23:26
美等發達國家的先進技術和工藝銷售、安裝于一體的大規模企業之一。匯集國內物流設備制造業眾多技術精英，所擁有的工藝裝備、技術、研發能力均居國內領先水平。憑借專業的制作經驗、領先的制作技術、優秀的產品質量
2009-11-13 10:20:08
，雖說是仿真機，但如果不是因為蘋果手機如此的受歡迎相信各位也不會去買的，當大家都還沉迷在蘋果4S的渴望下時，預期與現實往往就是這么的讓人興奮，今年8月份隆重推出的蘋果5再一次讓大家的心跳加速，再一次引領
2013-01-16 10:18:09
最近在用盜版JLINKV8，固件總是損壞，解決方法網上一大堆，但是問題的原因在哪，求各位幫忙分析下，不勝感激
2018-09-13 09:28:21
TCP建立階段的三次握手,在最后一步失敗了成功的應該是這樣的網上查了下,說是EMAC使能就好了,可是我找不到在哪里啊.......哪位大神指導下,不勝感激
2019-11-07 20:34:49
請問技術創新是如何推動設計工藝發展的？
2021-04-21 06:46:39
本帖最后由 我要像夢一樣自由 于 2017-3-4 11:42 編輯
問題出在哪里了？
2017-03-04 11:37:54
力泰科技資訊：我國現已成為世界汽車最大消費市場和生產國，隨著汽車工業的快速發展，需要提高產能與質量，需要先進、高效、柔性的自動化生產裝備。隨著科技的飛速發展，產品的多方位發展越發迅速，生存周期也
2021-09-18 11:31:24
SOI Circui
2009-07-21 11:08:47
30 SOI電路的設計理念
2009-07-21 11:09:595 國際SOI 市場95%的應用集中在8 英寸和12 英寸大尺寸薄膜SOI，其中絕大多數用戶為尖端微電子技術的引導者，如IBM、AMD 等。目前供應商為法國Soitec、日本信越（SEH）、日本SUMCO，其
2009-12-14 10:29:2434 論文綜述了自 1990 年以來迅速發展的先進封裝技術,包括球柵陣列封裝(BGA)、芯片尺寸封裝(CSP)、圓片級封裝(WLP)、三維封裝(3D)和系統封裝（SiP）等項新技術；同時,敘述了我國封
2009-12-14 11:14:4928 SOI 和體硅集成電路工藝平臺互補問題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:1610 SOI LIGBT的研究現狀與趨勢簡述
從IGBT市場需求和產業需求出發，在對SOI LIGBT研究發展歷程比較深入廣泛的調查研究基礎上，簡述了在SOI LIGBT方面的國內外研究現
2010-02-22 14:30:4157 DRT MC SOI LIGBT器件新結構的可實現性初探
本文在介紹了減薄漂移區多溝道SOI LIGBT結構雛形之后，首先初步探討了這種器件的先進VLSI工藝可實現性；然后比較深入
2010-02-22 15:15:3919 PCB激光打標機不宜在哪些場合使用及其操作注意事項隨著激光科技的快速發展激光打標機也獲得了快速的發展。激光設備標刻技術在各行各業深受追捧,隨著市場需求的不斷擴大,市場競爭也增強,各行業
2023-08-18 10:00:39
隨著芯片微縮，開發先進工藝技術的成本也越來越高。TSMC對外發言人孫又文表示，臺積電會繼續先進工藝技術節點的投入和開發，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 2017年4月18日，中國上海 – 楷登電子（美國Cadence公司，NASDAQ： CDNS）今日正式發布針對7nm工藝的全新Virtuoso? 先進工藝節點平臺。通過與采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165 VR從開始進入人們視線中到現在已經有數年的時間了，然而直至今日，VR的發展仍然非常緩慢，甚至說依然滯留在非常初級的狀態。在我們印象中，尤其是現在這個科技產品爆發式發展的年代，沒有什么產品的發展速度如此的慢。那么是什么原因造成了VR發展如此之慢？
2017-05-08 18:17:361976 高通驍龍835可謂是一款今年大火的處理器搭載的小米6、三星s8等手機基本都著實火了一把，還有一款一加5可謂是真的從國外一直火到了國內！原因在于一加5手機上的小細節的處理。
2017-07-20 11:39:302464 在工藝節點進展方面，三星電子晶圓代工業務執行副總裁兼總經理 ES Jung表示，三星晶圓代工業務發展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個方向，FD-SOI平臺路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:001703 RF器件制造商及其代工合作伙伴繼續推出基于RF SOI工藝技術的傳統RF開關芯片和調諧器，用于當今的4G無線網絡。最近，GlobalFoundries為未來的5G網絡推出了45nm RF SOI工藝。RF SOI是RF版本的絕緣體上硅（SOI）技術，利用內置隔離的高電阻率襯底。
2018-07-03 18:07:001191 許多代工廠都在擴大其200mm RF SOI晶圓廠產能，以滿足急劇增長的需求。GlobalFoundries，TowerJazz，臺積電和聯電正在擴大300mm RF SOI晶圓產能，以迎接5G，爭搶第一波RF業務。
2018-05-29 06:08:006721 
FD-SOI正獲得越來越多的市場關注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產品進入大批量產階段。
2018-08-02 14:27:2811603 在本屆RF-SOI論壇上，SOI產業聯盟評選出“SOI產業推廣杰出貢獻獎”，Qorvo技術發展總監Julio Costa博士榮獲本年度的獎項。該獎項迄今共頒發了三次，只給對SOI 技術和產品有特殊
2018-09-27 11:42:124046 關鍵詞：SOI , 8SW , FEM , 格芯 基于成熟制造工藝的RF SOI技術達到新的里程碑，芯片出貨量超過400億 格芯今日在其年度全球技術大會(GTC)上宣布，針對移動應用優化的8SW
2018-10-04 00:12:01260 信用卡不能夠正常使用無法進行支付。這種情況是如何導致的呢?今天微辰金服就為大家介紹一下信用卡被限制使用的原因在哪。 1、信用卡交易額超過設定限額：現在大部分銀行信用卡都可以設定交易額度限制
2019-03-11 15:12:51171 3月12日，硅基半導體材料企業新傲科技舉辦“SOI 30K生產線項目首臺工藝設備搬入儀式”，標志著其SOI 30K建設進入沖刺階段。
2019-03-14 16:00:573746 由現行SOI（Silicon on Insulator）晶圓與代工制造情形，可大致了解SOI變化趨勢及重點地區，并借此探討目前的發展現況與未來規劃。
2019-06-19 16:35:279307 針對射頻應用，華虹宏力可提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括 RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技術。多家芯片廠商已在華虹宏力的RF SOI平臺量產。其中，0.2微米射頻SOI工藝設計套件（PDK）專為無線射頻前端優化，頗受市場好評。
2019-10-18 08:45:364937 通過研發團隊的不斷努力，同時與客戶保持緊密溝通從而清晰地理解設計需求，我們將工藝技術持續優化提升。華虹宏力第三代射頻SOI工藝平臺預計將在今年第四季度推出。隨著模型的不斷成熟，隨著PDK后端抽取的更精準優化，華虹宏力將為客戶提供更加完善的射頻解決方案，幫助客戶搶占市場先機，讓我們拭目以待。
2019-10-18 16:36:462890 華虹半導體的新方案是基于Cadence IC5141 EDA軟件的工藝設計工具包(PDK)，包括PSP SOI和BSIM SOI的射頻模型仿真平臺。此0.2微米射頻SOI工藝設計工具(PDK)可以
2019-10-21 11:19:022688 事實勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優勢相比，本次論壇多家公司以已經采用FD-SOI工藝的產品說明其優勢，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導體工藝和技術趨勢的IBS CEO Handel Jones發表演講，并對FD-SOI未來走勢做出預測。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發現一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 據外媒報道，加州大學圣地亞哥分校（UCSD）領導的研究小組發現，鋰金屬電池失效的根本原因在于：在電池放電過程中，少量的金屬鋰沉積物在從負極表面脫落并被困住，變成無法再使用的“死”或非活性鋰。
2019-09-10 17:37:343653 作為中國大陸技術最先進、規模最大的晶圓代工企業，中芯國際的制程工藝發展一直備受關注。歷經20年，其制程工藝從0.18微米技術節點發展至如今的N+1工藝。
2020-10-20 16:50:105947 因為摩爾定律的聲名在外，加上過去這些年包括三星、臺積電、Intel和英偉達等公司的推動，科技界甚至終端消費者都對28nm、10nm、7nm和5nm等先進工藝制程有了或多或少的了解。因為這些工藝推動的產品是科技設備“大腦”的重要構成，這些先進工藝受到行業的一致關注是無可厚非。
2020-11-12 15:54:347375 和電路板技術，即集成芯片；半導體主要芯片已不再掌握在少數廠商；以及中芯國際先進工藝和先進封裝都會發展、半導體產業需建立完整的生態環境才能在全球市場競爭中取勝等。 蔣尚義指出，先進工藝研發是基石，因應摩爾定律
2021-01-19 10:25:022859 激光打標機標刻深淺不一的原因是什么你了解嗎？激光打標機標刻深淺不一的原因在哪里呢？ 1、鏡頭有污漬或者有劃痕損壞 解決方法：如果是有污漬的話可以使用棉簽和酒精對鏡頭、擴束鏡、聚焦鏡進行擦洗，擦干
2021-03-10 15:08:115147 絕緣體上硅（SOI）硅片由頂層硅膜、埋氧層和硅襯底三部分組成。
2022-09-13 11:12:552315 射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結構。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術節點的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優點。
2022-09-27 09:09:083349 伴隨著市場對高精度微端子產品需求的不斷增長，沖孔工藝日益受到連接器廠家的關注。其主要原因在于沖壓工藝特征與連接器的生產特征十分吻合。其主要原因在于沖壓工藝特征與連接器的生產特征十分吻合。(7)沖壓件具有良好的互換性。
2021-11-10 11:43:22788 
來源：ACT半導體芯科技 2023年8月31日 “先進封裝技術之設計·材料·工藝新發展” 在線主題會議已圓滿結束！ 會議當天，演講嘉賓們的精彩分享 引得在線聽眾踴躍提問 由于時間原因 很多問題都嘉賓
2023-09-08 15:40:38210 
pcb釘頭產生的原因，原來如此
2023-10-08 09:51:37663 隨著半導體工藝的不斷發展，先進封裝技術正在迅速發展，封裝設備市場也將迎來新的發展機遇。作為先進封裝設備中的關鍵設備之一，劃片機的發展也備受關注。劃片機是用于切割晶圓或芯片的設備，其精度和穩定性
2023-10-18 17:03:28496 
于2019年舉行。因特殊原因暫停了三年，2023年主辦方重啟再次主辦，第八屆FD-SOI論壇，邀請到國內外幾乎所有FD-SOI生態內的重要企業專家參與。三年內國內外的科技環境發生了巨大的變化，FD-SOI的產業格局和技術又有哪些變化？ ? 半導體工藝在2001年的新工藝技術的兩條路
2023-11-01 16:39:041069 
，在AI時代下邊緣端設備會出現高速發展，而FD SOI制造工藝對于AI邊緣芯片市場增長來說非常重要。 ? 圖：IBS CEO Handel Jones在論壇上致詞發表對全球半導體產業的預測和看法
2023-11-21 17:39:11805 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據悉，FD-SOI 是一種先進的平面半導體技術，能夠通過簡化制作流程進行精準的漏電流控制，相較于現有的 40nm EPM 技術，新工藝大幅度提高了性能指標：能效提升 50%，數字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲和更低的噪音系數。
2024-03-21 14:00:2369 電子發燒友網報道（文/李寧遠）在半導體行業，制程工藝封裝工藝對芯片性能的影響是不言而喻的。SOI，Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅，即硅晶體管結構在絕緣體之上
2023-10-29 06:28:002221
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