氮化硼新型半導體材料僅一個分子厚度

俄國立研究型技術大學（NUST MISIS）莫斯科鋼鐵冶金學院與北京交通大學、澳大利亞昆士蘭科技大學和日本國立材料科學研究所的科學家一起，制成厚度為一個分子的氮化硼新型半導體材料。

半導體是現代電子學的基礎，目前世界領先國家正展開半導體微型化競賽。新技術可用于制造“塊頭”僅為現有處理器千分之一的納米處理器，新處理器更省電，從而使電池微型化。如此一來，極輕的心臟起搏器、便宜的VR眼鏡、耳環型手機等大批“看不見”的電子產品也將應運而生。

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半導體(200960) 半導體(200960)
氮化硼(1562) 氮化硼(1562)

第三代半導體技術、應用、市場全解析

寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。

2016-12-05 09:18:34

4405

6英寸半導體工藝代工服務

鋁、干法刻蝕鈦、干法刻蝕氮化鈦等）20、等離子去膠21、 DRIE （硅深槽刻蝕）、ICP、TSV22、濕法刻蝕23、膜厚測量24、納米、微米臺階測量25、電阻、方阻、電阻率測量等26、 半導體

2015-01-07 16:15:47

8英寸！第四代半導體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進展，產業化再進一步

直在尋求更好的方法去優化和改善這一問題。政策層面，我國對氧化鎵的關注度也不斷增強。早在2018年，我國已啟動了包括氧化鎵、金剛石、氮化硼等在內的超寬禁帶半導體材料的探索和研究。2022年，科技部將氧化鎵列入

2023-03-15 11:09:59

一種新型的半導體節能材料

我廠專業生產半導體加熱材料，半導體烘干設備，這種新型的半導體材料能節約能源，讓熱能循環再利用。如有需要請聯系我們。網址：www.rftxny.com 電話：0536-52065060536-5979521

2013-04-01 13:13:15

半導體材料

半導體材料

2012-04-18 16:45:16

半導體材料市場構成分析

半導體材料市場構成：在半導體材料市場構成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。

2021-01-22 10:48:36

半導體材料有什么種類？

半導體材料從發現到發展，從使用到創新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。

2020-04-08 09:00:15

半導體材料的特性與參數

常見的一類缺陷。位錯密度用來衡量半導體單晶材料晶格完整性的程度，對于非晶態半導體材料，則沒有這一參數。半導體材料的特性參數不僅能反映半導體材料與其他非半導體材料之間的差別，更重要的是能反映各種半導體材料之間甚至統一種材料在不同情況下，其特性的量值差別。

2013-01-28 14:58:38

半導體材料那些事

好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內褲都跟著炒作起來了~~小編也順應潮流聊聊半導體材料那些事吧。

2019-07-29 06:40:11

半導體制冷有什么優缺點？

半導體制冷的機理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級，在外電場的作用下，電荷載體從高能級的材料向低能級的材料運動時，便會釋放出多余的能量。

2020-04-03 09:02:14

半導體制冷片的工作原理是什么？

半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現制冷的目的。它是一種產生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優缺點？

2021-02-24 09:24:02

半導體制程簡介

oxide)或濕氧層(wet /field oxide)，當作電子組件電性絕緣或制程掩膜之用。氧化是半導體制程中，最干凈、單純的一種；這也是硅晶材料能夠取得優勢的特性之一（他種半導體，如砷化鎵

2011-08-28 11:55:49

半導體常見的產品分類有哪些

半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類

2021-02-24 07:52:52

半導體氣體傳感器工作原理及結構特征

電阻和氣體敏感膜。金電極連接氣敏材料的兩端，使其等效為一個阻值隨外部待測氣體濃度變化的電阻。由于金屬氧化物有很高的熱穩定性，而且這種傳感器僅在半導體表面層產生可逆氧化還原反應，半導體內部化學結構不變

2012-08-29 15:40:48

半導體的導電特性

) P型半導體在本征半導體中摻入微量的三價元素（如硼）就形成P型半導體，結構示意如圖1-3所示?？梢娒繐饺?b class="flag-6" style="color: red">一個三價原子，就能提供一個空穴，所以在P型半導體中，空穴濃度遠大于自由電子濃度，空穴為多數

2017-07-28 10:17:42

半導體的導電特性

) P型半導體在本征半導體中摻入微量的三價元素（如硼）就形成P型半導體，結構示意如圖1-3所示。可見每摻入一個三價原子，就能提供一個空穴，所以在P型半導體中，空穴濃度遠大于自由電子濃度，空穴為多數

2018-02-11 09:49:21

半導體硅材料呆料

進口日本半導體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產材料。聯系方式：沈女士（***）

2020-01-06 09:59:44

半導體薄膜厚度檢測設備設備出售

?，F公司代理產品包括半導體、太陽能硅片的檢測裝置，包含美國FSM公司的薄膜應力檢測、硅片翹曲度檢測、薄膜厚度檢測、硅片平整度檢測設備等；以及美國PET公司的太陽能模擬器、I-V曲線數據采集系統、硅片表面質量檢測裝置等。聯系電話：***地址:蘇州工業園區啟月街288號

2015-04-02 17:21:04

半導體車間要求

厚度即循環一次的特性。有經驗者也可單憑顏色而判斷出大約的氧化層厚度。不過若超過1.5微米以上的厚度時，氧化層顏色便漸不明顯。 2.擴散（爐）（diffusion）1、擴散攙雜 半導體材料可攙雜n型或p

2011-09-23 14:41:42

半導體，就該這么學

元素硼，由于加入了最外層為3個電子的元素，在形成共價鍵后會多出一個空位，硅原子的最外層電子會去填補這個空位，從而會多出一個空穴?？昭◣д姡苑Q之為P(positive，正)型半導體。在N型半導體中

2020-06-27 08:54:06

新型超材料的發展前景怎么樣

吸波材料已不能滿足民用、尤其是軍事應用需求。因此，研制更薄、更輕、頻帶更寬的新型吸波材料已成為當前的緊迫課題。超材料（Metamaterial，MTM）是近年來電磁領域的研究熱點之一，其特點是具有亞

2019-05-28 07:01:30

氮化鎵充電器

是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化

2021-09-14 08:35:58

氮化鎵功率半導體技術解析

氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊

2021-03-09 06:33:26

GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢介紹

GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢

2023-06-19 09:28:46

GaN基微波半導體器件材料的特性

寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體

2019-06-25 07:41:00

MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場和應用

兼首席執行官John Croteau表示：“本協議是我們引領射頻工業向硅上氮化鎵技術轉化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術的優勢，射頻性能和可靠性

2018-02-12 15:11:38

MACOM：適用于5G的半導體材料硅基氮化鎵（GaN）

的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵

2017-07-18 16:38:20

N型與P型半導體

濃度遠大于自由電子濃度的雜質半導體?！　≡诩儍舻碾娮影l燒友體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電?？昭ㄖ饕?/div>

2016-10-14 15:11:56

《炬豐科技-半導體工藝》半導體集成電路化學

之間移動的電子稱為帶隙能量。絕緣體、導體和半導體的導電性能可以從它們帶隙的不同來理解。圖 1 和圖 2 說明了摻雜劑如何影響半導體的電阻率/電導率。在圖 1 中，摻雜劑產生了一個空穴，因為它缺少與四價

2021-07-01 09:38:40

《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵發展技術

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個

2021-07-06 09:38:20

《炬豐科技-半導體工藝》GaN 半導體材料與器件手冊

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性

2021-07-08 13:08:32

【新貨上架】0010-04926應用材料半導體配件

提供專業、高效、技術支持與服務。此外還可為有需求的長三角及周邊客戶提供短時間內到達現場維修技術服務。　　0010-04926應用材料半導體配件的分類及性能：　?。?）元素半導體。元素半導體是指單一

2020-03-26 15:40:25

什么是半導體晶圓？

正方形子組件可能僅包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。劃刻并切割用于生產電子元件（如二極管

2021-07-23 08:11:27

什么是新型分子壓電材料

今年7月，東南大學有序物質科學研究中心研究團隊發現了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達到了傳統無機壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產品體積進一步縮小、彎折衣服就可對手機充電等應用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優勢？

2020-08-19 07:58:38

什么是氮化鎵（GaN）？

氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅

2023-06-15 15:41:16

什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件？

（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電

2023-02-21 16:01:16

準分子真空紫外輻射在材料加工中的研究與應用

真空紫外輻射材料加工的研究報道急劇增加,本文將簡要介紹DBD準分子紫外光源的特點及其在材料加工中的研究和應用,包括無機薄膜制備、半導體材料氧化、材料表面清洗、過渡金屬化合物還原、高分子合成和聚合物表面

2010-05-06 08:56:18

功率半導體器件應用手冊

功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題：一、怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、怎樣確保焊接

2008-08-12 08:46:34

常用半導體手冊

半導體元器件是用半導體材料制成的電子元器件，隨著電子技術的飛速發展，各種新型半導體元器件層出不窮。半導體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學習電子技術必須首先了解半導體元器件的基本結構和工作原理

2008-05-24 10:29:38

微電子半導體包裝材料

`我司專業生產制造半導體包裝材料。晶圓硅片盒及里面的填充材料一批及防靜電屏蔽袋。聯系方式：24632085`

2016-09-27 15:02:08

有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念

氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？關于氮化鎵技術

2023-06-25 14:17:47

電子技術基礎知識整理------半導體的導電特性

的半導體有熱敏電阻（如鈷、錳、鎳等的氧化物）、光敏電阻（如鎘、鉛等的硫化物與硒化物）。3、在純凈的半導體中摻入微量的某種雜質后，它的導電能力就可增加幾十萬甚至幾百萬倍。例如在純硅中摻入百萬分之一的硼后

2016-10-07 22:07:14

第三代半導體材料氮化鎵/GaN 未來發展及技術應用

GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網絡媒體，如果不妥，請聯系站內信進行刪除

2019-04-13 22:28:48

第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

的一種最具有優勢的半導體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質因子。SiC功率器件的研發始于20世紀90年代.目前已成為新型功率半導體器件研究開發的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高

2017-06-16 10:37:22

第三代半導體科普，國產任重道遠

？到了上個世紀六七十年代，III-V族半導體的發展開辟了光電和微波應用，與第一代半導體一起，將人類推進了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料的出現，開辟了人類

2017-05-15 17:09:48

芯言新語 | 從技術成熟度曲線看新型半導體材料

”，“5-10年”和“10年以上”分為4個級別。并用這5個階段和4個級別完成一個優先權矩陣，用于評估投資該市場的風險。2016技術成熟度曲線（來源：Gartner 2016年7月）新型半導體材料主要是以砷

2017-02-22 14:59:09

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況介紹

半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類

2019-06-27 06:18:41

半導體生產用高純度原料-氧化硼

半導體生產用高純度原料高純氧化硼（Boron Oxide，B2O3 ）

2022-01-17 14:16:58

反應溫度對苯熱合成氮化硼納米晶的影響

研究了不同反應溫度對苯熱合成立方氮化硼的影響，研究結果表明：以Li3N和BBr3為原料制備立方氮化硼時，溫度對產物中立方相含量有很大影響，在200~400℃，產物主要為六方相氮

2009-04-26 22:18:59

半導體材料,半導體材料是什么意思

半導體材料,半導體材料是什么意思 半導體材料（semiconductor material）　　導電能力介于導體與絕緣體之間的物質稱為半

2010-03-04 10:28:03

5544

低維半導體材料, 低維半導體材料是什么意思

低維半導體材料, 低維半導體材料是什么意思實際上這里說的低維半導體材料就是納米材料，之所以不愿意使用這個詞，主要是不想

2010-03-04 10:31:42

5083

什么是寬帶隙半導體材料

什么是寬帶隙半導體材料氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可

2010-03-04 10:32:48

7106

半導體物理與器件：半導體材料#半導體

半導體材料半導體材料

學習電子發布于 2022-11-10 14:35:48

半導體發展:半導體材料將走向“納米化”

半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。伴隨著半導體市場的壯大，半導體材料也不斷獲得突破。半導體納米科學技術的應用，將從原子、分子、納米尺度水平上，控制和制造功能強大

2012-02-28 08:52:56

2227

石墨烯+C60+六方氮化硼=未來的晶體管=不會碎屏幕的智能設備

材料由一種名叫C60的微粒制成，C60是半導體，上面涂有其它材料，比如石墨烯和六方氮化硼。為什么這種獨特的結合行得通？因為六方氮化硼讓材料更穩定、具備電子兼容性，C60可以將陽光轉化為電能。

2017-06-03 11:08:04

1831

耐威科技強推第三代半導體材料，氮化鎵材料項目落戶青島

耐威科技發力第三代半導體材料，其氮化鎵材料項目宣布簽約青島。

2018-07-10 11:13:46

11881

大連化物所晶圓六方氮化硼成功外延

據悉，六方氮化硼是一類重要的二維半導體層狀材料，如何在晶圓上實現單晶六方氮化硼薄膜的可控生長是六方氮化硼未來應用于集成電路中的關鍵挑戰。

2020-03-17 15:21:38

2563

非晶氮化硼將廣泛應用于諸如DRAM和NAND解決方案等半導體

7月，三星電子宣布，三星高級技術學院（SAIT）的研究人員與蔚山國家科學技術學院（UNIST）、劍橋大學兩家高校合作，發現了一種名為非晶態氮化硼（a-BN）的新材料，此項研究可能加速下一代半導體材料的問世。

2020-07-09 15:00:04

1180

2020年氮化鎵半導體材料行業研究報告

器件市場規模有望達到7.45 億美元；GaN功率器件市場規模有望達到4.50億美元。基于此，新材料在線特推出【2020年氮化鎵半導體材料行業研究報告】，供業內人士參考：原文標題：【重磅報告】2020年氮化鎵半導體材料行業研究報告文章出處：【微信公眾號：新材料在線】歡迎添加關注！文章轉載請

2020-10-09 10:16:03

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氮化鎵半導體材料研究

氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導體材料，在半導體行業是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領域還包括自旋電子學和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些

2022-03-23 14:15:08

1093

氮化鎵與其他半導體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應用

了解氮化鎵 -寬帶隙半導體：為什么？ -氮化鎵與其他半導體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？

2023-01-15 14:54:25

829

氮化鎵半導體技術制造

氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表，研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術及產業鏈已經初步形成，相關器件快速發展。第三代半導體氮化鎵產業范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。

2023-02-07 09:36:56

980

誰發現了氮化鎵半導體材料？這種材料的特性是什么？

氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代

2023-02-12 11:07:49

599

氮化鎵是什么半導體材料氮化鎵充電器的優缺點

氮化鎵屬于第三代半導體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。

2023-02-14 17:35:50

4562

半導體“黑科技”：氮化鎵

來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊近年來，芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破，在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中，氮化鎵憑借著在消費產品快充電源領域的如

2023-02-17 18:13:20

2222

半導體材料：GaN(氮化鎵)的詳細介紹

、高速軌道列車、能源互聯網等產業自主創新發展和轉型升級的重點核心材料和電子元器件，已成為全球半導體技術和產業競爭焦點。氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優勢，但降低成本的可

2023-02-21 15:02:57

第四代寬禁帶半導體材料——氮化鎵

第一代半導體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導體材料；第二代半導體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導體材料

2023-02-23 14:57:16

2590

氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的電子和光學性質，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。

2023-02-25 17:25:15

739

什么是氮化鎵半導體？GaN如何改造5G網絡？

氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。

2023-03-03 10:14:39

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郝躍院士：功率密度與輻照問題是氮化物半導體的兩大挑戰

郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。

2023-04-26 10:21:32

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有機半導體材料的分子結構與性能之間的關系

有機半導體材料可廣泛應用于OLED、OPVC或OFET中，為開發具有優異光電性能的新型有機半導體材料，需要深入研究有機半導體材料的分子結構與性能之間的關系。

2023-05-23 14:17:12

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5G材料---片狀氮化硼顆粒氮化硼球形氮化硼

關鍵詞：氮化硼，片狀氮化硼，球形氮化硼，TIM熱管理材料氮化硼是由氮原子和硼原子構成的晶體，該晶體結構分為：六方氮化硼(HBN)、密排六方氮化硼(WBN)和立方氮化硼，其中六方氮化硼的晶體結構具有

2022-01-21 09:39:00

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國家專利高端材料-超薄高導熱絕緣氮化硼膜

關鍵詞：高導熱絕緣，TIM材料，氮化硼，高端材料導語：5G時代巨大數據流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱

2022-05-31 10:42:41

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絕緣高導熱b-BN氮化硼及二維氮化硼納米片

關鍵詞：六方氮化硼，納米材料，5G,低介電，絕緣，透波，高導熱，國產高端導言：六方氮化硼（ｈ?ＢＮ）納米材料，如氮化硼納米顆粒（ＢＮＮＰｓ）、氮化硼納米管（ＢＮＮＴｓ）、氮化硼納米纖維（ＢＮＮＦｓ

2022-03-28 17:05:04

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超薄高導熱絕緣氮化硼膜的模切加工

2022-07-29 09:59:36

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六方氮化硼納米片導熱復合材料的研究進展

關鍵詞：六方氮化硼納米片，TIM熱界面材料，5G新材料，低介電新材料摘要：隨著微電子行業的不斷發展,高性能導熱材料引起了人們的廣泛關注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導熱復合材料的重要原料

2022-10-10 09:54:19

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5G新材料超薄高導熱絕緣低介電氮化硼膜材

關鍵詞：5G材料，高導熱絕緣材料，低介電材料，氮化硼高端材料導語：5G時代巨大數據流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發熱量的急劇增加。BN

2022-10-10 10:04:11

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5G高導熱絕緣氮化硼膜材墊片介紹

關鍵詞：5G材料，高導熱絕緣材料，新能源，低介電材料，氮化硼材料導語：5G時代巨大數據流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發熱量的急劇增加。BN

2022-10-11 10:04:57

988

TIM新材料---玻纖基材氮化硼高導熱絕緣片

2022-10-13 10:07:24

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高導熱絕緣氮化硼膜材在5G的應用探討

2022-10-27 11:50:54

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氮化硼絕緣散熱膜在新型顯示器的應用探討

關鍵詞：5G材料，絕緣散熱膜，毫米波，低介電透波材料導語：5G時代巨大數據流量對于通訊終端的芯片、天線等部件提出了更高的要求，器件功耗大幅提升的同時，引起了這些部位發熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱

2022-10-31 16:08:40

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超薄高導熱絕緣氮化硼膜的TG值及耐溫性測試

2022-11-04 09:51:40

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氮化硼在聚合物導熱復合材料中應用研究綜述

摘要：為了系統地了解氮化硼在填充聚合物導熱復合材料中的應用研究現狀，介紹了聚合物／氮化硼復合材料的導熱機理，綜述了氮化硼的粒徑、含量、表面改性以及與其他填料雜化復合等因素對聚合物復合材料導熱性

2022-11-17 17:40:56

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氮化硼納米片的綠色制備及在導熱復合材料中的應用

摘要：聚偏氟乙烯（PVDF）等聚合物因具有較低的熱導率限制了其使用范圍，添加高導熱填料可以提升聚合物材料的導熱性能，所制備的聚合物基導熱復合材料在熱管理領域具有重要的應用價值。本文采用六方氮化硼納米

2022-11-22 15:30:48

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六方氮化硼納米片導熱復合材料及高品質氮化硼粉的介紹

關鍵詞：六方氮化硼納米片，TIM熱界面材料，5G新材料，低介電，高端材料摘要：隨著微電子行業的不斷發展,高性能導熱材料引起了人們的廣泛關注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導熱復合材料的重要

2023-02-22 10:11:33

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二維氮化硼絕緣高導熱低介電材料介紹應用

關鍵詞：六方氮化硼納米片，二維材料，TIM熱界面材料，低介電，新能源材料摘要：隨著微電子行業的不斷發展,高性能導熱材料引起了人們的廣泛關注。六方氮化硼(h-BN)是制備電絕緣、高導熱復合材料的重要

2023-06-30 10:03:00

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航天級氮化硼材料白石墨烯助力手機快充

7月4日，vivoiQOO11S正式發布！200W快充再創速度紀錄，航天級氮化硼散熱材料功不可沒！在科技飛速更新的移動設備領域，vivoiQOO11S以200W的快充實非業內首屈一指的。這款新型手機

2023-07-06 10:03:33

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氮化硅是半導體材料嗎氮化硅的性能及用途

氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。

2023-07-06 15:44:43

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半導體“黑科技”：氮化鎵（GaN）是何物？

氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。

2023-11-03 10:59:12

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一文解析氮化嫁技術及產業鏈

氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料。氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料。

2023-11-14 11:03:10

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氮化鎵是什么材料提取的氮化鎵是什么晶體類型

氮化鎵是什么材料提取的氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程

2023-11-24 11:15:20

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超高導熱氮化硼在3D打印復合材料中的優勢

/(m·K)]遠高于面外[30W/(m·K)]，因此，在制備氮化硼高分子導熱復合材料時，需要對氮化硼填料進行校準，最大限度地減小傳熱方向上的熱阻，從而獲得更高的導熱系數。3D打印技術可以有效實現氮化硼填料的有序對齊

2023-12-19 16:45:24

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氮化鎵半導體和碳化硅半導體的區別

氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。一、物理特性：氮化

2023-12-27 14:54:18

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氮化鎵半導體芯片和芯片區別

不同。傳統的硅半導體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽

2023-12-27 14:58:24

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氮化鎵半導體屬于金屬材料嗎

氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。氮化鎵半導體的性質氮化鎵（GaN）是一種

2024-01-10 09:27:32

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氮化硼新型半導體材料 僅一個分子厚度

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氮化硼新型半導體材料僅一個分子厚度