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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>氮化鎵(GaN)襯底晶片實現國產 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵(GaN)襯底晶片實現國產 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

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MACOM:適用于5G的半導體材料硅基氮化GaN

多個方面都無法滿足要求。在基站端,由于對高功率的需求,氮化GaN)因其在耐高溫、優異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性,是目前最有希望的下代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
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NV6115氮化MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD

概述:NCP1342準諧振反激式控制器是款高度集成的高頻PWM(脈沖寬度調制)控制器,能夠簡化高性能離線電源轉換器的設計。NCP1342控制器集成有源X2電容放電特性,可實現低于30mW的空載功耗
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為什么氮化(GaN)很重要?

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為什么氮化比硅更好?

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為何碳化硅比氮化更早用于耐高壓應用呢?

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什么是氮化功率芯片?

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什么是氮化功率芯片?

通過SMT封裝,GaNFast? 氮化功率芯片實現氮化器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16

什么是氮化技術

實現設計,同時通過在個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本,并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化解決方案
2020-10-27 09:28:22

什么是氮化GaN)?

、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化系列”,告訴大家什么是氮化GaN)?
2019-07-31 06:53:03

什么是氮化GaN)?

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什么阻礙氮化器件的發展

,其中第一梯隊有微、EPC等代表企業。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而,現在還有什么是阻礙氮化器件發展的不利因素呢?[color=rgb(51, 51, 51
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光隔離探頭應用場景之—— 助力氮化GaN)原廠FAE解決客戶問題

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基于氮化IC的150W高效率高功率密度適配器設計

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如何實現氮化的可靠運行

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如何實現小米氮化充電器是個c to c 的個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但這個口不可以充電,它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了,可以外接顯示器,拓展塢之類的。要用氮化
2021-09-14 06:06:21

如何學習氮化電源設計從入門到精通?

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如何完整地設計個高效氮化電源?

如何帶工程師完整地設計個高效氮化電源,包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23

如何用集成驅動器優化氮化性能

導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29

如何設計GaN氮化 PD充電器產品?

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2021-06-15 06:30:55

對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題?

氮化技術非常適合4.5G或5G系統,因為頻率越高,氮化的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢?
2019-07-31 06:53:15

射頻GaN技術正在走向主流應用

性。不過硅襯底比碳化硅襯底更便宜。Macom正在計劃將生產工藝從6英寸升級到8英寸,從而進步降低基于硅的氮化射頻工藝現在大多數基于碳化硅的氮化還是采用3英寸或4英寸晶圓生產,因此成本非常高
2016-08-30 16:39:28

將低壓氮化應用在了手機內部電路

使用氮化開關管后,只需氮化開關管就能取代兩顆傳統硅MOS了。氮化開關管內部沒有體二極管,只需顆即可實現雙向開關,完全阻斷電池的充電和放電電流。氮化具有低導阻高效率優勢,使用氮化開關管
2023-02-21 16:13:41

展嶸電子助力布局氮化適配器方案攜手智融SW351X次級協議45W69W87W成熟方案保駕護航

量產上市的氮化充電器。無論是在包裝上還是產品本身設計上,都是十足的“ANKER”風格很有辨識感,第一眼看見就知道是ANKER產品。充電器的外形體積整體圓潤十分小巧,手感也十分不錯。2、ANKER
2021-04-16 09:33:21

微波射頻能量:工業加熱和干燥用氮化

降低性能。行業內外隨著射頻能量通過加大控制來改進工藝的機會持續增多,MACOM將繼續與行業領導者合作,以應用最佳實踐并通過我們的硅基氮化(GaN-on-Si)解決方案實現射頻能量。確保了解有關射頻能量
2018-01-18 10:56:28

想要實現高效氮化設計有哪些步驟?

  第 1 步 – 柵極驅動選擇  驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有些有益的差異?! ◎寗?b class="flag-6" style="color: red">氮化E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09

支持瓦特到千瓦級應用的氮化技術介紹

實現設計,同時通過在個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本,并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半,到為并網應用創建高效、緊湊的10kW轉換,德州儀器為您的設計提供了氮化解決方案
2022-11-10 06:36:09

有關氮化半導體的常見錯誤觀念

氮化(GaN)是種全新的使能技術,可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么,為什么關于氮化半導體仍然有如此多的誤解?事實又是怎樣的呢? 關于氮化技術
2023-06-25 14:17:47

求助,請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?

請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47

硅基氮化與LDMOS相比有什么優勢?

射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來,橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今,這種平衡發生了轉變,硅基氮化(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34

硅基氮化在大功率LED的研發及產業化

內的波長標準偏差標準為1.3nm,波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化基LED外延片的翹曲度很小,2英寸襯底LED大多數在4-5微米左右,6英寸在10微米以下。 2英寸襯底大功率LED量產硅4545
2014-01-24 16:08:55

請問氮化GaN是什么?

氮化GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56

請問candence Spice能做氮化器件建模嗎?

candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數想基于candence model editor進行氮化器件的建模,有可能實現嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02

誰發明了氮化功率芯片?

雖然低電壓氮化功率芯片的學術研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化功率芯片平臺的量產,則是由成立于 2014 年的微半導體最早進行研發的。微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08

迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化器件

了當時功率半導體界的項大膽技術:氮化GaN)。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景,他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36

高壓氮化的未來分析

就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—個用開創性的氮化 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案,相對于傳統的、基于硅材料的技術,創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26

高壓氮化的未來是怎么樣的

我們全新的白皮書:“用個集成驅動器優化GaN性能。”? 通過閱讀博文“我們起來實現氮化的可靠運行”,進步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區氮化 (GaN) 解決方案論壇,尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們起分享知識,解決難題。
2018-08-30 15:05:50

氮化測試

氮化
jf_00834201發布于 2023-07-13 22:03:24

#氮化 #英飛凌 8.3億美元!英飛凌完成收購氮化系統公司 (GaN Systems)

半導體氮化
深圳市浮思特科技有限公司發布于 2023-10-25 16:11:22

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