電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/程文智）這幾年GaN和SiC等第三代半導(dǎo)體器件的商用化進(jìn)展還不錯，GaN器件在快充上開始大規(guī)模應(yīng)用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。現(xiàn)在大家對第三代半導(dǎo)體器件的前景非常看好，很多
2021-12-27 09:01:00
4168 由于第三代半導(dǎo)體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用，歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對第三代半導(dǎo)體材料的定義、特性以及各國研發(fā)情況進(jìn)行詳細(xì)剖析。
2016-11-15 09:26:482762 隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071582 
，也點(diǎn)燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計(jì)劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點(diǎn)。 ? 目前各大廠都運(yùn)用不同
2021-05-10 16:00:572569 。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2022年，國內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)燒友的不完全統(tǒng)計(jì)，今年光上半年就有32家碳化硅企業(yè)拿到融資。2023全年第三代半導(dǎo)體行業(yè)融資超
2024-01-09 09:14:331408 
。本屆展會順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，服務(wù)于十幾個新興行業(yè)應(yīng)用。展出面積5.5萬平方米，將匯聚800多家展商集中展示集成電路、電子元器件、第三代半導(dǎo)體及產(chǎn)業(yè)鏈材料和設(shè)備為一體的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。同期舉辦多場高峰論壇
2021-12-07 11:04:24
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對我國技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對我國進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
出來之后，材料質(zhì)量逐步完善，器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前為止，碳化硅的二極管以其優(yōu)異的性能和使用過程中展現(xiàn)的可靠性，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在很多場合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術(shù)。相對于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來說，第三代手機(jī)是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
第三代移動通信過渡技術(shù)——EDGE作者：項(xiàng)子GSM和TDMA/136現(xiàn)在是全球通用的第二代蜂窩移動通信標(biāo)準(zhǔn)。當(dāng)前有100多個國家的1億多人采用GSM，有近100個國家的約9500萬用戶采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
芯片組成的。而帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)技術(shù)是通過一個高效率和高功率的芯片組成。兩者之間最大的區(qū)別是芯片的組成。 目前，市場上有分別出現(xiàn)過由40、60、90個發(fā)光二極管組成在一起的陣列式光源
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代紅外技術(shù)，紅外夜視領(lǐng)域經(jīng)歷了一場場紅外技術(shù)新革命，引領(lǐng)著夜視監(jiān)控行業(yè)向更深更遠(yuǎn)的方向發(fā)展，給安防市場制造著一個又一個亮點(diǎn)。紅外技術(shù)早在60年代初期由美國貝爾實(shí)驗(yàn)室研發(fā)
2011-02-19 09:38:46
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復(fù)：第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時稱為陸地移動系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來一場深刻的革命，這對網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術(shù)定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術(shù)即紅外夜視第三代技術(shù)，根植于上世紀(jì)60年代美國貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的紅外夜視技術(shù)，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
真空紫外輻射材料加工的研究報道急劇增加,本文將簡要介紹DBD準(zhǔn)分子紫外光源的特點(diǎn)及其在材料加工中的研究和應(yīng)用,包括無機(jī)薄膜制備、半導(dǎo)體材料氧化、材料表面清洗、過渡金屬化合物還原、高分子合成和聚合物表面
2010-05-06 08:56:18
已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上。可以說第三代半導(dǎo)體就是未來功率器件的發(fā)展方向。全國兩會近日剛落下帷幕，第三代半導(dǎo)體（GaN和SiC）再度成為兩會的關(guān)鍵詞之一。伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移動通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
【作者】：呂鵬;劉春芳;張潮海;趙永蓬;王騏;賈興;【來源】：《強(qiáng)激光與粒子束》2010年02期【摘要】：描述了Z箍縮放電等離子體極紫外光源系統(tǒng)中的主脈沖電源,給出了主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),重點(diǎn)介紹了三級磁
2010-04-22 11:41:29
淺析第三代移動通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
。 （三）IC 制造與封裝 封裝設(shè)計(jì)、測試、設(shè)備與應(yīng)用、制造與封測、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板、半導(dǎo)體材料與設(shè)備等。 （四）第三代半導(dǎo)體 第三代半導(dǎo)體器件、功率器件、砷化鎵、磷化鎵、金剛石
2021-11-17 14:05:09
一些成果，但未能被市場充分應(yīng)用。后來隨著半導(dǎo)體照明和3G手機(jī)的普及，GaAs作為發(fā)光器件和功率器件越來越多的被應(yīng)用，并于本世紀(jì)出步入成熟期。GaAS器件技術(shù)發(fā)展 （數(shù)據(jù)來源：賽迪智庫）作為第三代半導(dǎo)體
2017-02-22 14:59:09
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹，諸多的評論都說到他的優(yōu)勢，小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
第三代移動通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù):第三代移動通信系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù)詳細(xì)資料。文章對第三代移動通信系統(tǒng)及國際電聯(lián)提出的IMT-2000發(fā)展過程及研究現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹
2009-05-20 11:19:05
40 Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
。Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）基于平衡、高效的結(jié)構(gòu)，可提高芯體性能、儲存器和I/O帶寬，以加速從數(shù)據(jù)中心到邊緣的各種工作負(fù)載。 這些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
目前，藍(lán)光LED上游企業(yè)已處于飽和狀態(tài)，通過紫外光源的發(fā)展，可以促進(jìn)上游LED企業(yè)的轉(zhuǎn)型和升級，帶動國內(nèi)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride，GaN
2017-02-15 01:01:11308 材料是第三代半導(dǎo)體材料中最引人矚目的材料，尤其是GaN（氮化鎵）基光電子器件在白光照明領(lǐng)域非常成功。然而藍(lán)光LED（發(fā)光二極管）
2017-11-10 11:35:571 第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來景氣拐點(diǎn)。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項(xiàng)擬投資50億元的高科技芯片項(xiàng)目，有望突破我國第三代半導(dǎo)體器件在關(guān)鍵材料和制作技術(shù)方面的瓶頸，形成自主制造能力。
2018-11-15 16:08:1711109 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢，最后分析了了我國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
本文首先分別對第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17143245 認(rèn)為通過第三代半導(dǎo)體的發(fā)展就能解決芯片卡脖子是誤解，第三代半導(dǎo)體更多應(yīng)用在器件方面。對這一概念相關(guān)領(lǐng)域的個股投資時，建議對該領(lǐng)域的市場空間與企業(yè)情況充分了解。 據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，A股上市公司中，已有36家公司參與到第三代
2020-09-21 11:57:553812 耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料，其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4611881 8月28日，在2018“芯集坪山”中國集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，電子材料及第三代半導(dǎo)體成為重點(diǎn)話題。深圳市坪山區(qū)政府表示，為推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，坪山區(qū)即將出臺產(chǎn)業(yè)政策——《坪山區(qū)人民政府關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》。
2018-08-29 15:22:004563 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 
的發(fā)展，為了加快國內(nèi)第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的發(fā)展，國家科技部實(shí)施了重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)，開展第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究工作。隨著技術(shù)的進(jìn)步，固態(tài)紫外器件的應(yīng)用將愈發(fā)廣泛，關(guān)注
2018-10-15 14:37:57133 日前，在紀(jì)念集成電路發(fā)明60周年學(xué)術(shù)會議上，中科院院士、國家自然科學(xué)基金委員會信息科學(xué)部主任、西安電子科技大學(xué)教授郝躍院士做了題為《寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體器件新進(jìn)展》的報告。郝躍院士詳細(xì)講解了第三代半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢。
2018-10-23 14:36:1313190 日前，科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會。通過項(xiàng)目的實(shí)施，中國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02478 記者近日從中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國際第三代半導(dǎo)體專業(yè)賽全球總決賽頒獎典禮上獲悉，順義正在加快布局第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，位于中關(guān)村順義園內(nèi)的第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地已于日前竣工，總面積達(dá)7.1萬平方米，吸引了一批重點(diǎn)項(xiàng)目相繼入駐，將形成千億級產(chǎn)業(yè)規(guī)模。
2018-12-31 17:08:001850 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 據(jù)南通廣播電視臺報道，中烏第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院由烏克蘭國家科學(xué)院（單晶研究院）、江蘇省如皋高新區(qū)、江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體發(fā)起成立，研究院將聯(lián)合中國、烏克蘭、德國等產(chǎn)業(yè)專家，共同開展第三代半導(dǎo)體晶體
2019-10-28 16:46:283474 據(jù)北京日報報道，日前，順義區(qū)第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地項(xiàng)目復(fù)工，預(yù)計(jì)今年六月底竣工，目前正在進(jìn)行的是小市政施工作業(yè)。
2020-03-13 11:09:291615 “萬畝千億”平臺添新引擎。3月20日上午，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866 半導(dǎo)體是指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺等，其中，硅是在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。第三代半導(dǎo)體，主要包括目前即將成熟應(yīng)用的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2020-04-20 09:47:002055 摩爾定律”為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。與Si材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點(diǎn)，特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件，是未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351470 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料，是未來5G時代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:147242 
解密第三代半導(dǎo)體材料：華為小米緊追，突破歐美鎖喉的新武器 傳感器技術(shù) A股半導(dǎo)體材料板塊徹底爆了，這還是在前夜美股出現(xiàn)午夜驚魂大跌一場之后！ 探究A股半導(dǎo)體概念股硬氣扛住外盤影響的原因，是前一晚一則
2020-09-10 11:26:202443 7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 9月4日，第二屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會在北京召開，作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟會員單位，湖南天玥科技有限公司（長沙新一代半導(dǎo)體研究院）參加會議。 公司副總裁袁堅(jiān)出席會議。 本次會議
2020-09-26 10:55:022340 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 
在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，與會專家紛紛表示，近年來我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快，基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時，我國在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357 年，舉全國之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面對第三代半導(dǎo)體發(fā)展提供廣泛支持，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主。 該消息得到業(yè)內(nèi)人士的證實(shí)，日前，在南京世界半導(dǎo)體大會暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會
2020-10-27 10:36:302890 呢？為什么說第三代半導(dǎo)體有望成為國產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時也是
2020-10-29 18:26:404897 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來看相對較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點(diǎn)。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化之路已經(jīng)走了好多年，受困于技術(shù)和成本等因素，市場一直不溫不火。 但今年的市場形勢明顯不同，各大半導(dǎo)體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度，第三代半導(dǎo)體也開始頻繁出現(xiàn)在各地園區(qū)
2020-12-08 17:28:0312548 最近，“我國將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443296 ，什么材料會再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個關(guān)鍵領(lǐng)域，整個行業(yè)漸入佳境，未來可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
看到第三代半導(dǎo)體，你肯定會想第一代、第二代是什么。這里的 “代際”，是根據(jù)半導(dǎo)體制造材料來劃分的 第一代半導(dǎo)體材料主要有鍺Ge，硅Si等，應(yīng)用范圍主要是：低壓、低頻，中功率晶體管、光電探測器等取代
2021-07-09 15:40:5118438 第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料。
2021-10-11 14:35:321551 
第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來了革新，基于其高速，小體積，低功耗的特點(diǎn)，越來越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別。可以看到，傳統(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046 
【導(dǎo)讀】在集成電路和分立
器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、
技術(shù)最成熟的
半導(dǎo)體材料，但硅
材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新
材料、新工藝、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢，
第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2022-08-02 08:56:191263 
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破固有屏障，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步深入對新材料、新工藝
2022-08-02 15:12:291446 
近年來，「第三代半導(dǎo)體」這個名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來「第三代半導(dǎo)體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長，使得其越來越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501263 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164201 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 日前，在南京世界半導(dǎo)體大會暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半
導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露：國家2030計(jì)劃和“十四五”國家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方
向，現(xiàn)在到了動議討論實(shí)施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來，瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451661 第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231522 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料，近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前，領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 已全部加載完成
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