電子發(fā)燒友報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競爭中，臺(tái)積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對(duì)手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗要比
2021-10-09 09:17:00
4076 ??應(yīng)用材料公司利用 Stensar?CVD取代旋涂鍍膜以擴(kuò)展二維極紫外光邏輯微縮 ??預(yù)覽最廣泛的三維環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)產(chǎn)品組合，包括兩種全新的IMS?系統(tǒng) ? 2022 年 4 月 21
2022-04-22 18:16:192683 
在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時(shí)降低。雖然IBS并未預(yù)期工藝技術(shù)停止微縮，但預(yù)計(jì)試錯(cuò)成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271246 美國耶魯大學(xué)（Yale University）化學(xué)與環(huán)境工程副教授Andre Taylor實(shí)驗(yàn)室的研究人員們開發(fā)出一種可望為鋰離子電池制造透明電極的技術(shù)。
2015-09-17 08:11:35323 美國萊斯大學(xué)（Rice University）的研究人員開發(fā)出一款名為Flatcam的新式相機(jī)系統(tǒng)，可利用編碼光罩與運(yùn)算途徑，取代傳統(tǒng)相機(jī)所用的鏡頭。
2015-11-19 08:26:12834 
近幾個(gè)月來，一些主要的半導(dǎo)體業(yè)者與IC代工廠陸續(xù)宣布微縮IC的電晶體尺寸至14奈米（nm），從而為物聯(lián)網(wǎng)（IoT）系統(tǒng)單晶片（SoC）降低尺寸與成本的下一步鋪路。
2015-12-09 08:31:52976 美國柏克萊實(shí)驗(yàn)室（Berkeley Lab）的研究人員日前發(fā)表最新的「傾斜離子注入」（tilted ion implantation，TII）制程，據(jù)稱能夠降低制造先進(jìn)芯片的成本、縮短研發(fā)時(shí)間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)比當(dāng)今最先進(jìn)制程更小達(dá)的9奈米（nm）特征尺寸。
2017-02-07 11:10:171505 
根據(jù)致力于規(guī)劃新版半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖的工程師所提供的白皮書，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制程微縮預(yù)計(jì)將在2024年以前告終。值得慶幸的是，各種新型的組件、芯片堆棧和系統(tǒng)創(chuàng)新，可望持續(xù)使運(yùn)算性能、功耗和成本受益。
2017-03-27 08:59:351185 
電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：根據(jù)致力于規(guī)劃新版半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖的工程師所提供的白皮書，傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝微縮預(yù)計(jì)將在2024年以前告終。值得慶幸的是，各種新型的組件、芯片堆棧和系統(tǒng)創(chuàng)新，可望持續(xù)使運(yùn)算性能、功耗和成本受益。
2017-03-28 08:17:031056 
Hercules核心的計(jì)算性能相比2016年的16nm A73可提升多達(dá)2.5倍，超越摩爾定律，更遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越Intel。
2018-08-17 10:38:337888 應(yīng)用材料公司今日宣布推出一項(xiàng)新技術(shù)，突破了晶圓代工-隨邏輯節(jié)點(diǎn)2D尺寸繼續(xù)微縮的關(guān)鍵瓶頸。
2020-07-21 14:50:54787 應(yīng)用材料公司推出了一種全新的先進(jìn)邏輯芯片布線工藝技術(shù)，可微縮到3納米及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
2021-06-18 10:21:42868 
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
翁壽松(無錫市羅特電子有限公司，江蘇無錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
隨著工藝技術(shù)向65nm以及更小尺寸的邁進(jìn)，出現(xiàn)了兩類關(guān)鍵的開發(fā)問題：待機(jī)功耗和開發(fā)成本。這兩個(gè)問題在每一新的工藝節(jié)點(diǎn)上都非常突出，現(xiàn)在已經(jīng)成為設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)面臨的主要問題，我們?cè)撛趺唇鉀Q呢？
2019-08-07 07:17:02
產(chǎn)品：808nm 5W 激光器輸出功率：5W工作電流：5.5A閥值電流：1A波長：808nm譜寬：3.0nm溫漂系數(shù)：0.3nm/°C斜度效率：≥1.1W/A功率轉(zhuǎn)換效率：≥50%平行光發(fā)散角
2013-03-13 15:36:18
。Altera高端FPGA的性能優(yōu)勢結(jié)合其前沿工藝技術(shù)和功能優(yōu)勢，使得Stratix V FPGA能夠在各類市場上替代ASIC和ASSP，超越競爭FPGA。Stratix V FPGA系列已經(jīng)有8個(gè)型號(hào)開始量產(chǎn)
2012-05-14 12:38:53
第41屆年度GOMAC技術(shù)大會(huì)正在全面展開。每年都有數(shù)百名***和行業(yè)專業(yè)人士參加此次會(huì)議，討論***電子產(chǎn)品的內(nèi)容，內(nèi)容和內(nèi)容。有什么更好的方式逃離冬天，而不是聚集在佛羅里達(dá)州奧蘭多的奧蘭多溫德姆
2018-10-18 09:16:57
的充電。 日前，全球電力技術(shù)公司Intelligent Energy推出一款新式電源設(shè)備--Upp,此設(shè)備可用于多種便攜電子設(shè)備充電和供電的個(gè)人電源設(shè)備，對(duì)于要求最高、最耗電的智能手機(jī)，Upp依然能夠
2018-11-29 11:14:34
第三季度發(fā)布14nm Cherry Trail，緊接下來的第四季度再接再厲繼續(xù)推出Willow Trail，工藝還是14nm。 當(dāng)然，在這一切之前還有22nm Bay Trail-T，將在9月10-12日
2013-08-21 16:49:33
LXI超越GPIB PXI和VXI
2019-09-30 07:20:25
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
應(yīng)用處理器代工市場已是毫無敵手，可望直取英特爾SoFIA、蘋果A9大單。 臺(tái)積電今年全力沖刺20納米系統(tǒng)單芯片制程（20SoC）產(chǎn)能，由于已搶下蘋果A8處理器及高通、英特爾、NVIDIA等大單，不僅第
2014-05-07 15:30:16
以些許性能優(yōu)勢擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨(dú)拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來，自主設(shè)計(jì)了10nm技術(shù)工藝的Exynos8895(名稱源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
1月22日，Altera 在北京展示了號(hào)稱業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強(qiáng)大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進(jìn)行了講解。
2019-08-21 07:37:32
介紹28 nm創(chuàng)新技術(shù)，超越摩爾定律
2012-08-13 22:26:08
伺服電機(jī)選型的標(biāo)準(zhǔn)是看電流還是轉(zhuǎn)矩？
現(xiàn)有一臺(tái)伺服電機(jī)：I0=10A，M0=9NM,Nn=3000rpm.
如果將其改為西門子1FK7伺服電機(jī)，選擇型號(hào)是：1fk7063-5af71-1ta0
是否可行，請(qǐng)指教！謝謝！
2023-12-25 06:06:52
%，Lam Research為10億美元，占臺(tái)積電采購額的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球僅有ASML一家公司掌握著EUV光刻機(jī)的核心技術(shù)，這也是5nm制程必需的設(shè)備，但EUV
2020-03-09 10:13:54
讓我們一起來開發(fā)一款前所未有的筆記本電腦吧。
超越蘋果
大家快來報(bào)名了！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！1
如果能成功，我就將它變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，一人送一臺(tái)。還可以創(chuàng)業(yè)哦！
各個(gè)系統(tǒng)的工程師們速度來搞起了。。。。。。。。。
2012-07-16 10:15:01
今天看見一個(gè)技術(shù)名稱叫技術(shù)節(jié)點(diǎn)40NM，小弟請(qǐng)教各位大神，在晶圓廠中關(guān)于光電軌道與光電工程之間的聯(lián)系，以及40NM的節(jié)點(diǎn)技術(shù)具體是指什么？？
2012-05-24 21:43:46
`專業(yè)代理15余年，貨期短，原裝正品，歡迎前來了解。深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司左S ***0755-83216080分機(jī)813QQ：1936445286DCMA-37P-C-NM-2DA-15SAF-NDAMA-15S-C-NM-2D02-M15SAG-13L9EDCMA-37P-C-NM-2-F0DDMA-50P-C-NM-2DB-25S-T-N-S1RDBMA-25S-C-NMDELC-J9PAF-20L6FEDAMA-15P-C-NMDD-50SF-T-NDCSP-JB37SFDAM-15PRDEMA-9P-C-NM-F0DEMA-9S-C-NMD02-M15SAG-10L9EDBMA-25P-C-NMDE-9PF-T-N-S1EDALC-J15SAF-20L9FEDB-25SF-NDD-50PF-NDB-25SA-NRDD-50PRDDMA-50S-C-NM-2-F0DE-9SAF-NDALC-J15SAF-23L9EDELC-J9PAF-13L9EDA-15P-RRDBMA-25S-S-NMDE-9PAF-NDAMA-15S-C-NM-2-F0DELC-J9PAF-23L6EDELC-J9SAF-20L8EDALC-J15SAF-20L9EDC-37PF-T-NDEMA-9P-C-NM-2-F0DCMA-37S-C-NM-2-F0DCMA-37S-C-NMDCM-25W3PRDE-9PF-NDELC-J9SAF-23L8EDBLC-J25SAF-21L9EDBMA-25S-C-NM-2DD-50S-RRDAMA-15P-C-NM-F0DELC-J9PAF-10L6EDELC-J9PAF-23L9EDDMA-50P-C-NM-2-F0DEMA-9S-S-NMDAMA-15S-S-NMDELC-J9SAF-10L8E`
2021-07-14 14:41:44
隨著可穿戴設(shè)備持續(xù)推動(dòng)封裝與互連技術(shù)超越極限，業(yè)界專家指出，未來還將出現(xiàn)許多更有趣的可穿戴設(shè)備創(chuàng)新。 可穿戴設(shè)備是一個(gè)多元化的領(lǐng)域，“至少有十幾種不同的細(xì)分市場，”高通(Qualcomm)負(fù)責(zé)
2016-08-09 17:19:41
傳輸?shù)陌踩浴Ｋ{(lán)牙技術(shù)正以其特有的優(yōu)勢引起許多專家學(xué)者的廣泛關(guān)注。 傳感器結(jié)構(gòu)模型 基于IEEE1451.2的有線網(wǎng)絡(luò)化傳感器結(jié)構(gòu)模型包含STIM、TII和NCAP三部分。而本
2012-04-16 15:03:23
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 23:22 編輯
實(shí)用新式電子設(shè)計(jì)400例
2012-08-18 11:13:51
`模電資料三節(jié)課福利大放送，詳情可添加管理員微信免費(fèi)領(lǐng)取：***。另有6部模電+2部EMC教程正在眾籌，詳情戳：http://z.elecfans.com/273.html?elecfans_trackid=zx_lt。實(shí)用新式電子設(shè)計(jì)400例全新的電子設(shè)計(jì)電路`
2011-08-29 13:48:49
尋找480nm、520nm、2105nm、2155nm四個(gè)單波長接收傳感器，請(qǐng)求大蝦幫助。
2013-01-14 08:51:03
南亞科第二季營收將成長于5%，獲利有機(jī)會(huì)季增3~5成。南亞科及華邦電下半年旺值得注意的是，南亞科20奈米制程微縮順利，下半年8GB DDR4將進(jìn)入量產(chǎn)，年底前可望完成LPDDR4試產(chǎn)并進(jìn)入量產(chǎn)，屆時(shí)
2017-06-13 15:03:01
10月7日，沉寂已久的計(jì)算技術(shù)界迎來了一個(gè)大新聞。勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管
2016-10-08 09:25:15
IC尺寸微縮仍面臨挑戰(zhàn)。為了使芯片微縮，總是利用光刻技術(shù)來推動(dòng)。然而近期Sematech在一次演講中列舉了可維持摩爾定律的其他一些技術(shù)。1. 零低k界面：在目前Intel的45nm設(shè)計(jì)中，采用硅襯底
2014-01-04 09:52:44
跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
本帖最后由 i2c 于 2014-9-1 17:35 編輯
在一類產(chǎn)品發(fā)售之前，還沒有一種半導(dǎo)體工藝像20 nm節(jié)點(diǎn)這樣引起這么大的爭議。爭論在于，節(jié)點(diǎn)是否應(yīng)該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法。它
2014-09-01 17:26:49
如何把故障保護(hù)偏置應(yīng)用于閑置總線？老式收發(fā)器與新式收發(fā)器的區(qū)別在哪里？
2021-05-24 07:03:57
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
S9S12G128的wafer有多少nm？
2023-05-24 07:38:27
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
mm9z1J638的wafer有多少nm？
2023-05-31 07:34:37
華為鴻蒙有可能超越安卓嗎？
2022-06-01 11:27:11
新式降壓轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)PWM升壓轉(zhuǎn)換器
Christian Schimpfl
2006-04-21 00:09:532268
怡長YZ-2000A清新式空調(diào)扇電路圖
2009-02-28 00:11:431595 
Globalfoundries技術(shù)實(shí)力超越臺(tái)積電？
Gartner的分析師Bob Johnson認(rèn)為，在晶圓代工領(lǐng)域，也許Globalfoundries (GF)目前在產(chǎn)量上并非是一等一，但在技術(shù)水準(zhǔn)上肯定名列前矛：“
2009-08-06 08:38:02459 中國32nm技術(shù)腳步漸近
32nm離我們還有多遠(yuǎn)？技術(shù)難點(diǎn)該如何突破？材料與設(shè)備要扮演何種角色？10月28日于北京舉辦的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)即圍繞“32nm技術(shù)發(fā)展與挑戰(zhàn)
2009-11-02 15:59:47570 三星加速制程微縮 DRAM進(jìn)入40納米世代
三星電子(Samsung Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程
2009-11-18 09:20:55466 28nm器件三大創(chuàng)新，Altera期待超越摩爾定律
隨著TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)工藝即將量產(chǎn)，其合作伙伴Altera日前宣布了其產(chǎn)品線將轉(zhuǎn)向28nm節(jié)點(diǎn)的策略部署。據(jù)了解，TSMC 28nm全節(jié)點(diǎn)有
2010-02-05 08:53:36732 
麻省理工學(xué)院 (MIT)的研究人員表示，已經(jīng)開發(fā)出一種技術(shù)，可望提升在芯片上寫入圖案的高速電子束光刻解析度，甚至可達(dá)9nm，遠(yuǎn)小于原先所預(yù)期的尺寸
2011-07-12 09:01:371498 臺(tái)積電(TSMC)表示在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)以下，半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來自于經(jīng)濟(jì)，并非技術(shù)。
2011-11-01 09:34:33960 德國科學(xué)家研制出一種新式的通用晶體管，其既可當(dāng)p型晶體管又可當(dāng)n型晶體管使用，最新晶體管有望讓電子設(shè)備更緊湊;科學(xué)家們也可用其設(shè)計(jì)出新式電路。
2011-12-23 09:17:20944 IBM目前官方宣布已經(jīng)發(fā)展低于10nm以下的9nm制程電晶體技術(shù)，并以碳元素為主要材質(zhì)。
2012-02-09 09:50:301518 臺(tái)積電技術(shù)長孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3D IC技術(shù)相輔相成，未來10年內(nèi)持續(xù)微縮至7奈米、甚至是5奈米都不成問題。
2012-03-21 09:13:27572 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在面臨一項(xiàng)挑戰(zhàn)，即每兩年微縮晶片特徵尺寸的週期已然結(jié)束，我們正在跨入一個(gè)情勢高度不明的階段。業(yè)界目前面臨的幾項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)都顯示，晶片微縮的路程愈來愈艱困
2012-03-23 08:45:58755 
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電（TSMC）預(yù)計(jì)會(huì)在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:33840 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 ：賽靈思28nm，實(shí)現(xiàn)了超越一代的領(lǐng)先地位。其產(chǎn)品組合 All Programmable FPGA、SoC 和 3D IC 現(xiàn)已開始供貨；在性能、功耗和集成度上該產(chǎn)品組合有著重大突破；此外，
2012-09-28 17:23:17612 
根據(jù)最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個(gè)芯片上集成了上萬個(gè)9nm制程工藝的晶體管，相信大家對(duì)于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內(nèi)存等
2012-11-08 10:28:183292 雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理
2012-11-17 10:29:36844 為確保全軍統(tǒng)一性與整齊劃一，軍委與四總部通知，自2013年5月1日起，全軍將統(tǒng)一啟動(dòng)新式軍車牌號(hào)。新牌號(hào)號(hào)碼采用RFID電子標(biāo)簽技術(shù)，綜合采用信息防偽等6種防偽技術(shù)。
2013-04-28 10:45:561522 比利時(shí)微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級(jí)的氧化鋁鉿電介質(zhì)（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質(zhì)可用于平面 NAND Flash 結(jié)構(gòu)中，并可望推動(dòng)NAND flash在20nm及其以下先進(jìn)制程進(jìn)一步微縮。
2013-06-26 09:37:041010 新式、老式、電魚機(jī)、逆變器-電路大全，新式、老式、電魚機(jī)、逆變器-電路大全
2016-07-25 10:00:00
126 在A10 Fusion 處理器以出眾性能，比下各家安卓 旗艦手機(jī)后，蘋果手機(jī)在性能上的優(yōu)勢似乎已經(jīng)難以被超越。而現(xiàn)在消息更指出，新iPhone在采用高性能架構(gòu)的情況下，可望應(yīng)用新一代制程讓性能進(jìn)一步提升！
2017-01-05 09:25:29712 新式斜井提升防跑車裝置控制電路的研究
2017-01-18 20:39:134 超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會(huì)
2018-06-05 13:45:003536 看看這些微縮模型，能買到銅或者鉛的話，也可以自己做一些。就是那個(gè)小燒杯一般人弄不出來，得會(huì)吹玻璃才行。
2018-08-06 16:41:034429 美國消費(fèi)性電子展盛大展開，法人指出，AMD執(zhí)行長蘇姿豐對(duì) 7nm 制程產(chǎn)品樂觀，臺(tái)系代工廠包含廣達(dá)與英偉達(dá)等，可望有機(jī)會(huì)受惠。
2019-01-10 16:35:512110 工智能（AI）市場。 臺(tái)積電表示，相較7nm制程，5nm的微縮功能在Arm的Cortex-A72核心上能夠提供1.8倍的邏輯密度，性能可提升15%。此外，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)，因此可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡化效益。 臺(tái)積電指出，5nm制程能提供芯片設(shè)計(jì)業(yè)者
2019-04-04 11:16:022899 AI、5G應(yīng)用推動(dòng)芯片微縮化，要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)制程，意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進(jìn)行加工制造，半導(dǎo)體設(shè)備商遂陸續(xù)推出新一代方案。AI、5G應(yīng)用推動(dòng)晶片微縮化，要實(shí)現(xiàn)5nm、3nm等先進(jìn)
2019-08-27 16:47:262449 LED車燈模塊廠麗清第3季業(yè)績逐漸回穩(wěn)，法人預(yù)估第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，今年LED頭燈出貨占比可望提升到1成。
2019-09-04 11:30:29973 2020年除了7nm顯卡之外，AMD的桌面銳龍、HEDT發(fā)燒處理器、服務(wù)器霄龍及筆記本銳龍APU四大產(chǎn)品線也會(huì)繼續(xù)升級(jí)，3款會(huì)上7nm+EUV工藝及Zen3架構(gòu)。AMD不斷加碼7nm工藝將使得他們?cè)谂_(tái)積電的7nm產(chǎn)能占比中首次超越蘋果、海思、高通而成為第一。
2020-01-03 08:59:163124 2020年除了7nm顯卡之外，AMD的桌面銳龍、HEDT發(fā)燒處理器、服務(wù)器霄龍及筆記本銳龍APU四大產(chǎn)品線也會(huì)繼續(xù)升級(jí)，3款會(huì)上7nm+EUV工藝及Zen3架構(gòu)。AMD不斷加碼7nm工藝將使得他們?cè)谂_(tái)積電的7nm產(chǎn)能占比中首次超越蘋果、海思、高通而成為第一。
2020-01-03 10:06:542826 臺(tái)積電稍早曾預(yù)告，5nm先進(jìn)制程已準(zhǔn)備量產(chǎn)，預(yù)定第2季放量，同時(shí)看好5nm和7nm二大主力制程齊發(fā)威，今年?duì)I收增幅可望超過產(chǎn)業(yè)平均數(shù)、達(dá)17%以上。產(chǎn)業(yè)鏈消息人士表示，5nm前期產(chǎn)能非常緊張，對(duì)于蘋果來說，想要不耽誤iPhone 12上市后的表現(xiàn)，那么就要盡可能多的給臺(tái)積電拋出訂單。
2020-04-13 14:30:597597 DRAM還有3D NAND，相對(duì)而言臺(tái)積電則會(huì)推出5nm的加強(qiáng)版，之后再進(jìn)入3nm節(jié)點(diǎn)，而三星似乎已經(jīng)開始了戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在下一盤很大的棋，華為或是三星超越臺(tái)積電一個(gè)重要機(jī)會(huì)。
2020-07-03 10:44:061952 考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項(xiàng)條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。
2020-10-21 16:50:032289 
分析機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年中國的芯片制造產(chǎn)能可望超越美國，這是中國制造在10年前超越美國之后，在高端制造業(yè)上取得的一項(xiàng)偉大成就，當(dāng)然中國的芯片制造工藝技術(shù)還是落后于美國的。 美國今天的強(qiáng)盛得益于它一百多年來
2020-11-26 15:06:202051 本月中旬，在日本東京舉辦了ITF論壇。論壇上，與ASML（阿斯麥）合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
2020-11-30 15:52:211821 Luc Van den hove并公布了3nm及以下制程的微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。截至目前，ASML 已經(jīng)布局了 3m、2nm、1.5nm、1nm 甚至 Sub 1nm 的未來發(fā)展路線規(guī)劃。
2020-12-04 17:53:481274 FinFET晶體管架構(gòu)是當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的主力軍。但是，隨著器件的持續(xù)微縮，短溝道效應(yīng)迫使業(yè)界引入新的晶體管架構(gòu)。在本文中，IMEC的3D混合微縮項(xiàng)目總監(jiān)Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。
2020-12-24 15:54:06289 近日，在日本東京舉辦的ITF論壇上，與ASML合作研發(fā)光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程在微縮層面技術(shù)細(xì)節(jié)。
2021-01-13 16:43:112816 你聽說過晶體管微縮嗎?晶體管微縮是什么情況?作為硬件工程師，不可不知。半導(dǎo)體行業(yè)中，“微縮(Scaling)”是一個(gè)經(jīng)
2021-04-28 09:49:272562 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-05 16:00:291209 
日美深化尖端芯片合作，旨在超越2nm技術(shù)，臺(tái)積電是 2 nm技術(shù)的領(lǐng)先開發(fā)者，而 IBM 也在 2021 年完成了原型。
2022-06-27 16:16:06572 據(jù)消息報(bào)道，全球前三大半導(dǎo)體廠排名大洗牌，據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights估計(jì)，臺(tái)積電第二季度營收超越英特爾，躍居全球第二位，預(yù)期第三季度可望再超越三星，將首度登上半導(dǎo)體龍頭寶座。
2022-09-13 09:45:12776 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種新式抽油煙機(jī)的智能變頻技術(shù)研究.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-23 10:53:440 目前，蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作，預(yù)示臺(tái)積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競爭對(duì)手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:0367
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