為證明自己在全球晶圓代工的領先地位，三星電子(Samsung Electronics)與臺積電不約而同在2017國際固態電路大會(International Solid-State Circuits Conference;ISSCC)發表了各自最新的制程技術，然而2家廠商透露了相當不同的7奈米制程發展方向。

根據EE Times報導，臺積電贏得了蘋果(Apple) iPhone SoC大部分的訂單后，積極于2017年投入了10奈米晶片的量產推進，并預計于2018年開始提升7奈米晶片的產量，以應付iPhone 8(暫訂)的需求。另一方面，沒有了蘋果訂單的壓力，三星不需急于投入7奈米制程，而是打算借由極紫外光顯影技術(EUV)展現晶圓代工實力。

SRAM被視為是推動下一代節點技術的關鍵。臺積電在ISSCC上展示的7奈米制程256 Mb SRAM測試晶片，存儲單元(bit-cell)面積僅有0.027平方公厘，是2017年進入風險生產的SRAM當中，體積最小的。其SRAM巨集將使用7層金屬層，晶粒總面積為42平方公厘，比臺積電的16奈米版本小了0.34倍。

更重要的是，臺積電表示其以7奈米制程打造的SRAM測試晶片，其良率已經展現相當水準，達成臺積電的設計目標。

三星的技術進展則是側重在研究方面。三星發展出了一套創新的修復程序，并分別針對既有曝光機與EUV設備進行測試，結果證實EUV的確擁有較佳的表現。

然而修復程序并不是生產流程的一部分，因此無法說明三星是否已準備好將EUV應用在7奈米制程。三星在大會上發表的8 Mb測試SRAM晶片，也未使用EUV。

專家認為到了2020年，EUV便可應用在某些關鍵層上。三星曾在2016年底時表示，他們將會把EUV運用在7奈米制程，但并未透露使用的范圍。

三星的7奈米時程或許會落后臺積電1到3年，但三星的7奈米一旦起步，就可透過導入EUV的使用，至少在行銷策略上取得更大的優勢，三星打的算盤類似2015年臺積電16奈米制程與三星14奈米制程代工iPhone AP之對壘一般，臺積電的16奈米制程打造的iPhone系統單晶片，其實在散熱方面更優于三星一籌，但外行人卻從奈米制程表面的數字，以為臺積電制程技術落后于三星。