在2012年，整體的電子元器件行業(yè)形勢不佳，尤其是半導(dǎo)體芯片庫存積壓過多，而在今年陸續(xù)有聽說行業(yè)有緩和跡象，不知半導(dǎo)體的發(fā)展將如何呢？
2013-02-27 14:12:58
領(lǐng)帶，這可是當(dāng)年半導(dǎo)體弄潮兒的標(biāo)配。
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集成電路史上最著名的10個(gè)人
于是，第一個(gè)半導(dǎo)體時(shí)代誕生了——集成器件制造商時(shí)代
2024-03-13 16:52:37
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。
2011-10-23 22:05:11
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
今年剛考上研究生 本科是學(xué)通信的 無奈被調(diào)劑到專碩 導(dǎo)師是研究半導(dǎo)體器件的 對(duì)這方面不是很了解 想問下它的就業(yè)前景怎么樣 以后想往集成電路設(shè)計(jì)方面發(fā)展容易嗎？
2012-07-01 23:15:00
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
地，2020 年業(yè)界普遍認(rèn)為 5G 會(huì)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，熱點(diǎn)技術(shù)與應(yīng)用推動(dòng)下，國內(nèi)半導(dǎo)體材料需求有望進(jìn)一步增長。寬禁帶半導(dǎo)體材料測試1 典型應(yīng)用一. 功率雙極性晶體管BJT 特性表征2 典型應(yīng)用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
(個(gè)別的第三位)能存活下來。對(duì)于全球設(shè)備制造商最關(guān)鍵的問題是兼并市場的回報(bào)率太低。產(chǎn)業(yè)的發(fā)展實(shí)際上不存在帶強(qiáng)制性理由,以及不會(huì)無故的把錢送至您手中。預(yù)計(jì)在未來半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)中可能有兩個(gè)領(lǐng)域會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)勁
2010-02-26 14:52:33
請(qǐng)問半導(dǎo)體分立器件怎么分類？
2011-10-26 10:29:14
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導(dǎo)體器件的塑封生產(chǎn)線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設(shè)備也不需要面面俱到，能進(jìn)行小規(guī)模正常生產(chǎn)就行。哪位大神能告知所需設(shè)備的信息，以及這些設(shè)備的國內(nèi)外生產(chǎn)廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向?qū)щ娦浴＠肞N結(jié)的單向?qū)щ娦裕梢灾瞥删哂胁煌δ艿?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對(duì)外界前提（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常
2013-01-28 14:58:38
了45%的轉(zhuǎn)化效率，就輸出功率來看，也從W到了KW級(jí)的轉(zhuǎn)變。目前各國在研制項(xiàng)目的支持下，半導(dǎo)體激光器的芯片結(jié)構(gòu)、外延生長和器件封裝等激光器技術(shù)均有了長足發(fā)展，單元器件的性能也實(shí)現(xiàn)了重大突破：電光轉(zhuǎn)換
2019-04-01 00:36:01
隔著一條禁帶，當(dāng)電子吸收了光的能量從價(jià)帶跳躍到導(dǎo)帶中去時(shí)就把光的能量變成了電，而帶有電能的電子從導(dǎo)帶跳回價(jià)帶，又可以把電的能量變成光，這時(shí)材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長。 小功率半導(dǎo)體
2016-01-14 15:34:44
之一摩爾曾在1965年作出預(yù)言：半導(dǎo)體將會(huì)得到高速發(fā)展，電子學(xué)會(huì)隨之獲得廣泛的普及，滲透到寬廣的應(yīng)用領(lǐng)域中。從半個(gè)世紀(jì)之后再往回看，這一預(yù)言早已得到了完美印證。雖然光纖激光器優(yōu)勢市場潛力很大，不過
2019-05-13 05:50:35
半導(dǎo)體指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，它在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看
2021-09-15 07:24:56
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2017-07-28 10:17:42
要的是，如果在純諍 的半導(dǎo)體中加入適量的微量雜質(zhì)后，可使其導(dǎo)電能力增加至數(shù)十萬倍以上。利用 這一特性，已經(jīng)做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件（如二極管、三極管、場效應(yīng)管 和晶閘管等）。溫度、光照和適量摻入雜質(zhì)
2018-02-11 09:49:21
國際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
一、測試需求：功率器件如場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣雙極晶體管[IGBT) ,這些功率器件提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其最新第三代半導(dǎo)體
2021-05-20 11:17:57
請(qǐng)問泰克示波器如何使用？
2023-11-01 08:02:32
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
`我司專注中低壓mos管（場效應(yīng)管）aos美國萬代半導(dǎo)體以及各系列、型號(hào)，保證原裝正品，大量現(xiàn)貨供應(yīng)批發(fā)，閃電發(fā)貨。產(chǎn)品品牌有AOS美國萬代、LT領(lǐng)泰、新潔能、東沅及長電等等等，型號(hào)多，參數(shù)廣，質(zhì)量
2020-03-11 14:54:35
multisim打開運(yùn)行后右側(cè)沒有泰克示波器
2021-09-18 17:49:56
市場的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來源：來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
。 （5）本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，遭到熱激起后，價(jià)帶中的局部電子會(huì)越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中短少一個(gè)
2020-03-26 15:40:25
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
計(jì)算中的瓶頸。此外當(dāng)PBG結(jié)構(gòu)為圓環(huán)形時(shí)，一般的階梯近似不足以滿足計(jì)算精度。針對(duì)以上兩個(gè)問題，本文采用本課題組帶有共形網(wǎng)格建模的MPI并行FDTD程序?qū)A環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析。討論了單元數(shù)目，單元間距，圓孔內(nèi)徑和導(dǎo)帶寬度對(duì)S參數(shù)的影響，最后設(shè)計(jì)了一種寬禁帶圓環(huán)形PBG結(jié)構(gòu)。
2019-06-27 07:01:22
”，無疑令三星雪上加霜。 因受市況每況愈下的影響和制約，韓國三星電子的發(fā)展面臨著巨大的挑戰(zhàn)。據(jù)最新報(bào)導(dǎo)顯示，三星電子計(jì)劃明年將半導(dǎo)體事業(yè)的投資ST22I支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前
2012-09-21 16:53:46
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
2021-06-08 07:09:36
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2023-03-17 11:13:35
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-08-02 08:23:59
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
基于霍耳效應(yīng)的半導(dǎo)體磁電轉(zhuǎn)換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對(duì)位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導(dǎo)體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
汽車毫米波雷達(dá)的工作原理是什么？汽車毫米波雷達(dá)的測試挑戰(zhàn)有哪些？泰克汽車毫米波雷達(dá)測試解決方案
2021-06-17 09:02:39
，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)(ShortChannelEffect-SCE)，熱載流子注入效應(yīng)(HotCarrierInject-HCI)和柵氧化層漏電等問題。為了克服這些挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體
2018-11-06 13:41:30
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
測試對(duì)測 試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級(jí)，這些對(duì)低噪聲源表，探針臺(tái)和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。半導(dǎo)體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時(shí)利
2019-10-08 15:41:37
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
產(chǎn)線擁有生產(chǎn)設(shè)備近1000臺(tái)，工廠設(shè)有先進(jìn)實(shí)驗(yàn)室，2021年公司的年產(chǎn)能100億顆。合科泰在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)等方面積累了豐富的核心技術(shù)，擁有多項(xiàng)國家發(fā)明專利和實(shí)用新型專利等
2023-03-10 17:34:31
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
在昨天的博客《安森美半導(dǎo)體在PCIM展示寬禁帶技術(shù)的最新創(chuàng)新》中，我們談到了圍繞安森美半導(dǎo)體將于本周在歐洲PCIM展示的WBG的所有令人興奮的發(fā)展。除了WBG，該公司還將在9號(hào)廳342號(hào)展臺(tái)展示其
2018-10-30 09:06:50
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無線
2019-07-05 06:53:04
本帖最后由 像懶惰的貓 于 2017-6-25 22:02 編輯
嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體器件的影響，什么方面的都行。求助大神！
2017-06-25 21:49:06
半導(dǎo)體元器件是用半導(dǎo)體材料制成的電子元器件，隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型半導(dǎo)體元器件層出不窮。半導(dǎo)體元器件是組成各種電子電路的核心元件，學(xué)習(xí)電子技術(shù)必須首先了解半導(dǎo)體元器件的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展，新型電力電子器件不斷涌現(xiàn)，用戶對(duì)器件建模的需求越來越迫切，對(duì)專用建模工具的開發(fā)提出了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)射頻器件建模工具，我們具體該怎么做呢？
2019-08-20 06:20:17
的自然規(guī)律一樣，從圖4、圖5中可見一斑。3．1．3 2005年我國分立器件封裝業(yè)發(fā)展的基本態(tài)勢(1)分立器件是我國半導(dǎo)體市場兩大分支之一(另一支是集成電路)。半導(dǎo)體分立器件由于具有通用性強(qiáng)、應(yīng)用范圍廣泛
2018-08-29 09:55:22
來源:半導(dǎo)體器件應(yīng)用網(wǎng) www.ic.bit-bit.com原創(chuàng)摘要：2011年轉(zhuǎn)眼即逝，縱觀2011年，企業(yè)在半導(dǎo)體行業(yè)的市場有著怎么樣的發(fā)展呢？為適應(yīng)市場需求，半導(dǎo)體器件市場出現(xiàn)了哪些新的技術(shù)
2011-12-08 17:24:00
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡(luò)無處不在、IP無處不在和無縫移動(dòng)連接的總趨勢下，國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)項(xiàng)目組在他們的15年半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展預(yù)測中認(rèn)為，隨著技術(shù)和體系結(jié)構(gòu)推進(jìn)“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
回顧過去30年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，在上世紀(jì)80年代的時(shí)候是以電腦作為主要的推動(dòng)力，上世紀(jì)90年代是以通信產(chǎn)品為主，最近幾年，消費(fèi)電子產(chǎn)品的發(fā)展在數(shù)量上給半導(dǎo)體產(chǎn)品的增長提供了動(dòng)力。可見，市場應(yīng)用的拓展不斷為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展契機(jī)。
2019-08-19 07:20:01
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進(jìn)行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應(yīng)用。
2019-07-23 07:30:07
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
`海飛樂技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復(fù)二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個(gè)現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分。隨著電力電子技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的廣泛應(yīng)用，功率半導(dǎo)體器件直接影響
2021-03-25 14:09:37
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點(diǎn)如表1所示，其絕緣擊穿電場強(qiáng)度較高。只要利用這個(gè)性質(zhì)，就可提高與Si元件相同結(jié)構(gòu)時(shí)的耐壓性能。只要實(shí)現(xiàn)有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
`泰科天潤招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中
2016-11-27 22:34:51
泰克示波器有什么特異功能？
2021-06-17 11:22:25
請(qǐng)問一下半導(dǎo)體發(fā)展至今經(jīng)歷了什么？
2021-06-17 08:10:52
請(qǐng)問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
解釋說：“在產(chǎn)品研發(fā)方面，由我們做主導(dǎo)。客戶提出要求，我們提供方案。至于技術(shù)使用的問題，最關(guān)鍵是靠雙方信譽(yù)，如果為了雙方共同的發(fā)展，就不會(huì)計(jì)較小利。” 飛銳泰克并不拘泥于某一兩個(gè)行業(yè)，而是為各行業(yè)
2019-06-27 08:24:59
半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:02
5985 市場成長率將保持了7.9%左右，半導(dǎo)體分立器件應(yīng)用范圍的不斷拓展，將為行業(yè)發(fā)展帶來新契機(jī)。在2015年度第86屆中國電子展上，半導(dǎo)體分立器件將開設(shè)專門展區(qū)，充分展示這一行業(yè)的新科技與新產(chǎn)品。 第86屆中國電子展 與世界溝通的
2015-09-01 18:47:06850 近日Cree科銳宣布，其與意法半導(dǎo)體簽署了一份多年供貨協(xié)議，為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓。
2019-01-11 16:21:504432 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:583929 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284098 Cree是碳化硅（SiC）領(lǐng)域的龍頭。Cree Wolfspeed產(chǎn)品組合包括了碳化硅（SiC）材料、功率器件、射頻器件，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、快速充電、逆變器、電源、電信、軍事、航空航天等領(lǐng)域。
2021-03-03 14:22:043411 行業(yè)正在構(gòu)建一個(gè)全面的 Chiplet 生態(tài)系統(tǒng)，以充分利用這些優(yōu)勢。隨著異構(gòu)集成（HI）的發(fā)展迎來了巨大挑戰(zhàn)，行業(yè)各方攜手合作發(fā)揮 Chiplet 的潛力變得更加重要。前段時(shí)間，多位行業(yè)專家齊聚在一場由 SEMI 舉辦的活動(dòng)，深入探討了如何助力 Chiplet 生態(tài)克服發(fā)展的挑戰(zhàn)。 ? 日月光集
2023-04-12 11:20:31513 
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