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啟方半導體基于二代0.13微米嵌入式閃存技術的汽車半導體工藝即將量產

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2006-03-13 13:02:01446

華虹NEC發布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案

華虹NEC發布0.13微米嵌入式EEPROM解決方案 上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)不久前宣布,公司基于0.13微米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺,成功開發出面
2010-01-12 08:43:281596

華虹半導體二代90納米嵌入式閃存開始量產

近日華虹半導體二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經宣布量產,是在第一代的基礎上實現了多方面的技術提升。目前,90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產,標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205

關于華虹半導體基于0.11微米的超低漏電嵌入式閃存技術平臺的看點詳解

華虹半導體今日宣布,基于0.11微米超低漏電嵌入式閃存技術平臺(0.11 μm Ultra Low Leakage eNVM Platform,以下簡稱「0.11μm ULL平臺」),華虹半導體
2018-07-04 17:48:001919

華虹半導體宣布第二代0.18微米5V/40VBCD工藝平臺已成功量產

10月10日,華虹半導體有限公司(“華虹半導體”)宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產,該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢,對于工業控制應用和DC-DC轉換器等產品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:58:004616

華虹半導體宣布第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺已成功實現量產

華虹半導體有限公司(“華虹半導體”)宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺已成功實現量產
2019-06-27 16:22:383721

啟方半導體適用于功率半導體應用的0.18微米高壓BCD工藝開始量產

韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導體(Key Foundry)今天宣布其0.18微米高壓BCD(雙極-CMOS-DMOS)工藝已經開始量產
2022-02-28 10:31:011877

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