旺宏電子引領(lǐng)NOR閃存器進(jìn)入串行時(shí)代

旺宏電子是全球最大的只讀存儲(chǔ)器(ROM)生產(chǎn)制造商和嵌入式市場(chǎng)全球第三大NOR閃存供應(yīng)商，提供跨越廣泛規(guī)格及密度的ROM以及NOR閃存,并在相變化存儲(chǔ)器(PCM)領(lǐng)域具有許多重要技術(shù)與專(zhuān)利。旺宏的ROM產(chǎn)品與技術(shù)領(lǐng)先業(yè)界，市場(chǎng)占有率超過(guò)八成，在串行NOR閃存市場(chǎng)的占有率也高達(dá)38%以上。盡管從去年起，閃存公司紛紛傳出不堪虧損而申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)或整并的消息，但旺宏電子卻依然保持了更穩(wěn)定和值得信賴(lài)的經(jīng)營(yíng)。面對(duì)大環(huán)境經(jīng)濟(jì)逐步回暖，旺宏電子如何把握技術(shù)趨勢(shì)和洞察市場(chǎng)先機(jī)以實(shí)現(xiàn)更大突破？本刊專(zhuān)門(mén)采訪了旺宏電子副總經(jīng)理倪福隆先生。

您如何評(píng)價(jià)NOR閃存和ROM的技術(shù)趨勢(shì)？

NOR閃存的技術(shù)發(fā)展主要呈現(xiàn)出了下列三個(gè)方面的技術(shù)趨勢(shì)。(1)制程微縮：傳統(tǒng)的浮柵技術(shù)已被逼入制程微縮的極限, 最先進(jìn)的廠商目前做到了2x奈米, 但這可能是最后一代。后續(xù)的替代技術(shù), 最有可能的是Charge Trapping技術(shù), 而旺宏所研發(fā)的BE-SONOS就是采用此類(lèi)技術(shù)的。而旺宏與IBM共同研發(fā)之相變化內(nèi)存, 即證實(shí)相變化可發(fā)生于20奈米尺寸以下的相變化組件。此項(xiàng)成果對(duì)10余年后之半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖提供了重要的可行性驗(yàn)證。(2)細(xì)胞多位：多位技術(shù)使得單一儲(chǔ)存細(xì)胞放入更多的位, 包括MLC、3LC與4LC。(3)3D架構(gòu)：儲(chǔ)存架構(gòu)從目前的2D變成3D, 旺宏于2009在素有微電子界奧林匹克之稱(chēng)的國(guó)際電子組件大會(huì)IEDM(IEEE International Electron Devices Meeting)上發(fā)表技術(shù)論文，針對(duì)薄膜晶體管(Thin Film Transistor)作為未來(lái)發(fā)展3D內(nèi)存的可行性提出研究成果。

旺宏電子副總經(jīng)理倪福隆先生。

下一代ROM的技術(shù)趨勢(shì)是朝向多位(multiple bits per cell)發(fā)展, 類(lèi)似NAND閃存領(lǐng)域的3LC或4LC技術(shù)走向。

今年哪些熱點(diǎn)應(yīng)用將給內(nèi)存市場(chǎng)帶來(lái)新的成長(zhǎng)機(jī)遇？

對(duì)于NOR閃存，超低價(jià)手機(jī)應(yīng)用因價(jià)格之競(jìng)爭(zhēng)力及其實(shí)用性，成長(zhǎng)動(dòng)力仍然可期。HD TV與HD STB隨著家電下鄉(xiāng)的續(xù)航力與互聯(lián)網(wǎng)電視的火爆, 需求也將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。WiMAX/LTE 4G 已被預(yù)測(cè)為是2010中國(guó)增長(zhǎng)的新亮點(diǎn)。PC/Notebook在全球景氣復(fù)蘇下將掀起換機(jī)潮。而游戲機(jī)、玩具與電子書(shū)可望給ROM帶來(lái)新的市場(chǎng)機(jī)遇。

當(dāng)然，這些熱點(diǎn)應(yīng)用也對(duì)NOR 閃存提出了新的要求。一是利用串行閃存的低接腳(8腳)特征取代并行閃存(48腳), 這樣可簡(jiǎn)化系統(tǒng)主芯片對(duì)應(yīng)腳數(shù)需求,也簡(jiǎn)化PCB的布局布線, 以利降低系統(tǒng)整體成本。二是當(dāng)串行閃存取代并行閃存時(shí), 系統(tǒng)操作速度仍須維持在原來(lái)的水平。三是儲(chǔ)存容量大大提高，WiMAX與 HD STB 對(duì)NOR閃存的需求,已開(kāi)始走向64Mb以上甚至到256Mb。

旺宏提供哪些方案以滿(mǎn)足上述需求？

旺宏身為全球串行閃存的領(lǐng)導(dǎo)者, 領(lǐng)先業(yè)界推出多重I/O 串行閃存MXSMIO(Serial Multi I/O)系列產(chǎn)品。包括今年初推出全球速度最快, 節(jié)能低電壓1.8V 適合手持應(yīng)用的MX25U系列,與領(lǐng)先業(yè)界全球第一顆串行最高容量256Mb產(chǎn)品MX25L25635E,皆是熱點(diǎn)應(yīng)用由并行閃存轉(zhuǎn)向串行閃存最合適的選擇。在原有的封裝及接腳設(shè)計(jì)下，即可選擇雙I/O或是四個(gè)I/O模式，使得讀取速度得以提升至兩倍或四倍，不僅讓串行閃存極為適合程序代碼及使用者資料存取，更進(jìn)一步支持XIP(execute-in-place)的需求。

此外, 旺宏鑒于客戶(hù)對(duì)編碼與資料的安全性日趨重視, 推出完整的串行閃存MX25L55系列與并行閃存MX29LA/GA系列的安全性閃存(Secure Flash), 除了閃存存儲(chǔ)器本身可加密外, 也可與主芯片廠商合作加密引擎, 確保主芯片廠商的編碼唯一化。 此系列產(chǎn)品已充分應(yīng)用于STB與網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用的保護(hù)機(jī)制需求。

與海外其它存儲(chǔ)器廠商相比，旺宏有哪些獨(dú)特優(yōu)勢(shì)？

旺宏為存儲(chǔ)器公司中少數(shù)獲利且財(cái)務(wù)穩(wěn)健的公司, 對(duì)客戶(hù)而言, 這意味著貨源的穩(wěn)定與品質(zhì)的確保, 也提供客戶(hù)在長(zhǎng)期配合與服務(wù)的穩(wěn)固基礎(chǔ)。 旺宏更是全球唯一“專(zhuān)注”于ROM與NOR閃存的存儲(chǔ)器廠商, 每年在研發(fā)上投入12%~14%的營(yíng)業(yè)收入, 并擁有生產(chǎn)制造與測(cè)試工廠，可實(shí)現(xiàn)最具競(jìng)爭(zhēng)力的成本。旺宏在地理上也有優(yōu)勢(shì), 在中國(guó)擁有開(kāi)發(fā),系統(tǒng)服務(wù)與行銷(xiāo)團(tuán)隊(duì),可為廣大的中國(guó)電子制造商提供及時(shí)快速的服務(wù)與溝通。

展望未來(lái), 旺宏期望在嵌入式市場(chǎng)NOR閃存領(lǐng)域成為領(lǐng)導(dǎo)廠商, 并提供NAND 閃存新產(chǎn)品新技術(shù), 繼續(xù)成為消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信甚至是手機(jī)市場(chǎng)最佳的存儲(chǔ)器合作伙伴。這是一個(gè)永續(xù)前進(jìn), 無(wú)從達(dá)標(biāo)的承諾。