光電耦合器原理及應用介紹
光電耦合器原理及應用介紹
1,原理。光電耦合器,通常簡稱為光耦。其基本原理是以光作為媒介,來傳輸電信號。在一些特殊的應用場合,會要求輸入/輸出端實現電氣隔離,這樣就不能使用傳統的電子器件來傳輸電信號,光耦正是為了適應這樣的場合而誕生。光耦的輸入端采用發光二極管,用電信號驅動半導體發光器件發光(通常為紅外光),而接收端是光敏管,將接收到的光信號,轉換為電信號輸出。通過電->光->電的轉換,既可以傳輸信號,又實現了電氣隔離的目的。如下圖:
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2,組成。為實現電->光轉換,需要發光二極管;而光->的轉換,則需要光敏管;為消除外界光的干擾,通常是將發送/接收端用不透光的材料封裝起來,將輸入/輸出PIN接出;而為了實現高的電氣隔離強度,則要求封裝材料有高的絕緣強度。所以通常光耦器件由以下幾部分組成:發光二極管、光敏管(通常是光敏三極管)、封裝材料、輸入/輸出PIN。如下圖是某光耦的X-ray照片:
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二、 光電耦合器的制造
光耦通常采用DIP或SMD封裝,實際的工藝流程將紅外LED、硅光敏三極管封裝起來,并形成輸入/輸出引腳,這個過程與IC封裝類似,不同之處在于其選材及關鍵工藝控制。通常光耦的工藝流程如下:
陶瓷基座制作→厚膜電路制作→芯片(IR LED、PD和ASIC)測試→芯片燒結壓焊→中測→耦合對準→裝架→封裝→檢漏→中測→老化篩選→末測。
根據工藝流程,業界通過對光耦生產中不良品的解剖分析,結合光耦自身特點,總結了一些影響光耦可靠性的工藝因素:
??? 1.銀膠對可靠性影響
??? 裝架采用銀漿粘片工藝,可以滿足芯片有較好歐姆接觸,較低正向壓降,但不同品牌銀膠與各種芯片材料及支架粘結力不同,貯存及使用壽命也相差很多。使用不當會造成芯片與支架粘結不牢影響鍵合甚至產生掉片。
???? 2.手工裝架、鍵合質量對可靠性影響
???? 由于紅外芯片長寬都只有
???? 3.內包封、注塑外包封對可靠性影響
???? 光耦在內包封點膠時,針頭碰到金絲會在膠體中產生虛焊、斷絲、倒絲等不良情況。由于內包封材料彈性好,不良品很難篩選干凈,影響產品可靠性。另外,內包封材料與塑封料熱匹配差異較大,外包封后兩者結合并不十分緊密。由于光耦結構上塑封體與支架粘結部分較小,封裝粘模時會使條帶變形,由于起模時塑封體內部尚末完全固化,受力后會產生空隙,引起管腳松動,造成內引線在引線框架處拉斷虛焊,形成斷續性開路。所以選擇結合良好的塑封料和引線框架,改進工藝方法杜絕封裝時拉斷內引線,就可以提高產品密封性和器件穩定性。
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光耦的技術參數可分為輸入特性、輸出特性、傳輸特性、隔離特性等幾大部分。
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3.1????????? 輸入特性
光耦的輸入特性實際也就是其內部發光二極管的特性。常見的參數有:
1.????? 正向工作電流If(Forward Current)
If是指LED正常發光時所流過的正向電流值。不同的LED,其允許流過的最大電流也會不一樣。
2.????? 正向脈沖工作電流Ifp(Peak Forward Current)
Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為保證壽命,通常會采用脈沖形式來驅動LED,通常LED規格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度,占空比為1/10的脈沖電流來計算的。
3.????? 正向工作電壓Vf(Forward Voltage)
Vf是指在給定的工作電流下,LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來測試正向工作電壓,當然不同的LED,測試條件和測試結果也會不一樣。
4.????? 反向電壓Vr(Reverse Voltage )
是指LED所能承受的最大反向電壓,超過此反向電壓,可能會損壞LED。在使用交流脈沖驅動LED時,要特別注意不要超過反向電壓。
5.????? 反向電流Ir(Reverse Current)
通常指在最大反向電壓情況下,流過LED的反向電流。
6.????? 允許功耗Pd(Maximum Power Dissipation)
LED所能承受的最大功耗值。超過此功耗,可能會損壞LED。
7.????? 中心波長λp(Peak Wave Length)
是指LED所發出光的中心波長值。波長直接決定光的顏色,對于雙色或多色LED,會有幾個不同的中心波長值。
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3.2????????? 輸出特性
光耦的輸入特性實際也就是其內部光敏三極管的特性,與普通的三極管類似。常見的參數有:
1.?????? 集電極電流Ic(Collector Current)
光敏三極管集電極所流過的電流,通常表示其最大值。
2.?????? 集電極-發射極電壓Vceo(C-E Voltage)
集電極-發射極所能承受的電壓。
3.?????? 發射極-集電極電壓Veco(E-C Voltage)
發射極-集電極所能承受的電壓
4.?????? 反向截止電流Iceo
發光二極管開路,集電極至發射極間的電壓為規定值時,流過集電極的電流為反向截止電流。
5.?????? C-E飽和電壓Vcd(sat)(C-E Saturation Voltage)
發光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規定值時,并保持IC/IF≤CTRmin時(CTRmin在被測管技術條件中規定)集電極與發射極之間的電壓降。
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3.3????????? 傳輸特性:
1.上升時間Tr (Rise Time)& 下降時間Tf(Fall Time)
光耦合器在規定工作條件下,發光二極管輸入規定電流IFP的脈沖波,輸出端管則輸出相應的脈沖波,從輸出脈沖前沿幅度的10%到90%,所需時間為脈沖上升時間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%,所需時間為脈沖下降時間tf。
2.電流傳輸比CTR(Current Transfer Radio)
輸出管的工作電壓為規定值時,輸出電流和發光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
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3.4????????? 隔離特性
1. 入出間隔離電容Cio(Isolation Capacitance):
光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值
2. 入出間隔離電阻Rio:(Isolation Resistance)
半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
3. 入出間隔離電壓Vio(Isolation Voltage)
光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。
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其它參數諸如工作溫度、耗散功率等不再一一敷述。
光電耦合器分類及應用
4.1?????? 分類
按傳輸特性,通常將光電耦合器分為兩類:一類是非線性光耦;一類是線性光耦。非線性光耦的電流傳輸特性曲線是非線性的,這類光耦適合于傳輸開關信號,不適合于傳輸模擬量。 線性光耦的電流傳輸特性曲線接近直線,并且小信號時性能較好,能以線性特性進行隔離控制。所以通常需要傳輸模擬信號的場合,如開關電源輸出端反饋信號與輸入端信號的隔離,就需采用線性光耦;而傳輸邏輯信號的場合,如采樣信號與單片機輸入之間,通常會采用非線性光耦。
線性光耦的隔離原理與普通光耦沒有差別,只是將普通光耦的單發單收模式稍加改變,增加一個用于反饋的光接受電路用于反饋。這樣,雖然兩個光接受電路都是非線性的,但兩個光接受電路的非線性特性都是一樣的。就可以通過反饋通路的非線性來抵消直通通路的非線性,從而達到實現線性隔離的目的。
按結構類型,又可將光耦分為:通用型(又分無基極引線和基極引線兩種)、達林頓型、施密特型、高速型、光集成電路、光纖維、光敏晶閘管型(又分單向晶閘管、雙向晶閘管)、光敏場效應管型,此外還有雙通道式(內部有兩套對管)、高增益型、交-直流輸入型等等。下面舉例介紹一下通用型及達林頓輸出型。
在通用型光耦合器中,接收端是一只硅光電管,因此在B-E之間只有一個硅PN結;達林頓型光耦不然,它由復合管構成,兩個硅PN結串聯成復合管的發射結,因此達林頓光耦有更大的電流傳輸比(通常達林頓型光耦的CTR比通用型光耦大1~2個數量級),從而就擁有更大的驅動能力,如下圖。
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4.2????? 應用
由于光耦優點突出:如信號單向傳輸,輸入端與輸出端完全實現了電氣隔離隔離,輸出信號對輸入端無影響,抗干擾能力強,工作穩定,無觸點,使用壽命長,傳輸效率高等;并且其結構及種類十分繁多,因而其應用十分廣泛,主要應用以下場合:
(1) 在邏輯電路上的應用
光電耦合器可以構成各種邏輯電路,由于光電耦合器的抗干擾性能和隔離性能比晶體管好,因此由它構成的邏輯電路更可靠。需要注意的是光耦的傳輸速率能否滿足邏輯電路的需要。
(2) 作為固體開關應用
在開關電路中,往往要求控制電路和開關之間要有很好的電隔離,對于一般的電子開關來說是很難做到的,但用光電耦合器卻很容易實現。對于開關電路,除了要求光耦有好的隔離性能外,開關時間也非常重要。
(3) 在觸發電路上的應用
將光電耦合器用于雙穩態輸出電路,由于可以把發光二極管分別串入兩管發射極回路,可有效地解決輸出與負載隔離地問題。由于溫度對于光耦的暗電流及LED的穩定性均有影響,所以要十分注意此類電路的使用環境。
(4) 在脈沖放大電路中的應用
光電耦合器應用于數字電路,可以將脈沖信號進行放大。
(5) 在線性電路上的應用
線性光電耦合器應用于線性電路中,具有較高地線性度以及優良的電隔離性能。這類電路一般用于模擬信號的傳輸,如開關電源電路中。
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(6) 其它特殊場合的應用
光電耦合器還可應用于高壓控制,取代變壓器,代替觸點繼電器以及用于a/d電路等多種場合。還可用于工業控制,以弱信號驅動大功率設備等。
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下面舉例說明。如下圖:單片機與RS485通訊口之間的采用光耦隔離,從而使單片機免受外界信號的干擾及突波的沖擊。
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因通常RS485接口與單片機之間的通訊為數字信號,對線性度要求不是很高,但通信的波特率都比較高,如果光耦傳輸波形上升/下降速度過慢,則會成為整個通信系統的瓶頸。所以此處應選取高速光耦。而且與光耦匹配的電阻的阻值也需要最優化。例如:電阻R2、R3如果選取得較大,將會使光耦的發光管由截止進入飽和變得較慢;如果選取得過小,退出飽和也會很慢,所以這兩只電阻的數值要精心選取,通常可以由實驗來定。
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選型要點:1,CTR及線性度;2,隔離特性;3,上升/下降速度;4,隔離電容;5,驅動能力;6,輸入電流。
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更多實例,請參考http://bbs.elecfans.com/dv_rss_xhtml_54_6214_1.html
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二、 供應商介紹
SHARP夏普(日本夏普光電分公司成立于1960年,在日本SHINJO、TENRI及海外都設有工廠和研發中心,其光電半導體產品的銷售量持續二十年穩居全球第一位。)
TOSHIBA東芝
AGLIENT安捷倫(1995年從HP獨立出來)
NEC日電
VISHAY威世
BRIGHT佰鴻
COSMO冠西
MOTOROLA摩托羅拉
PHILIPS菲利浦
EVERLIGHT億光
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( 發表人:愛電路 )