可控硅元件的結構簡介
2010年03月03日 13:55 www.nxhydt.com 作者：佚名 用戶評論（0）
關鍵字：可控硅(69948)
可控硅元件的結構簡介
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。
在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。
可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的結構
不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。
圖1、可控硅結構示意圖和符號圖?
非常好我支持^.^
(0) 0%
不好我反對
(0) 0%
相關閱讀：
- [模擬技術] IGBT與MOS管、可控硅的區別 IGBT驅動電路設計 2023-10-18
- [LED驅動] 采用LT3799設計的三端雙向可控硅調光LED驅動器電子電路 2023-10-15
- [模擬技術] 兩顆電容解決可控硅產生的二次放電問題 2023-10-09
- [電子說] 五大電子技術知識詳解（邏輯門電路 可控硅 二三極管） 2023-09-22
- [電子說] 可控硅對觸發電路的要求 2023-09-20
- [電子說] 在RL78/G13芯片上通過可控硅實現風機調速的一種方法 2023-09-28
- [電子說] 晶閘管的特性及工作原理 2023-09-15
- [電子說] 可控硅的用途及結構 2023-09-14
( 發表人：admin )